体积缩小和器件速度提高,日益需要在生产过程中实现新的参数测试功能,而过去只有在实验室中才需要这些功能。Agilent 4075和4076为精确检定新的器件结构提供了所需的灵活性,如超薄栅氧化物MOSFET (金属氧化物半导体场效应晶体管)或通信应用中使用的高速半导体器件。通过先进的设计,Agilent 4075和4076支持10-ns短脉冲式IV测量,对热量或电荷异常灵敏的器件必需进行此类测量,如高速逻辑应用中使用的SOI晶体管和高介电常数晶体管。此外,Agilent 4076支持直到1 fA的超低电流测量功能。
“Agilent 4075和4076使广大客户能够高效检定使用65 nm工艺技术制造的先进器件,从而加快器件开发周期,改善产出。”安捷伦Hachioji半导体测试分部副总裁兼总经理Minoru Ebihara说,“由于高频脉冲式测量功能,这些系统有助于正确检定对热量灵敏的器件。”
与整个4070系列一样,Agilent 4075和4076支持300 mm SECS/GEM自动化协议,这些协议已经在世界各地的生产线中得到验证。SECS/GEM是半导体行业的标准,保证制造设备共享一致的界面和行为。
现代超薄栅MOSFET容易受到电子隧道的影响。为检定其电容和电压(CV)行为特点,测量频率必需超过几兆赫。但是,高频CV (HFCV)及实现检定必需的射频频率CV (RFCV)测量技术之间相互抵触。Agilent 4075和4076同时支持HFCV (4294A)仪器和RFCV (ENA/PNA)仪器,使得用户能够选择最佳方法,满足自己的工艺技术和生产测试需求。
Agilent 4075和4076都把高速电容测量单元(CMU)集成到测试头中。这一功能可以在1 kHz - 2 MHz频率范围内,对层间/层内氧化物非常快速地进行电容测量,从而改善吞吐量,降低测试成本。
通信应用和高速逻辑应用要求深入检定高速半导体器件的性能。Agilent 4075与4076皆支持利用PNA进行RF的S参数测试功能,相对于目前市面上使用VNA的解决方案,以PNA为主的RF解决方案可提供更高的产出速度。
诸如SOI或高k等最新的先进技术需要超短的脉冲测试能力,以防止产生有害的热量或电荷敏感效应。然而,生产测试系统的脉冲式测量能力却只限于测量微秒的范围。Agilent 4075与4076可提供短至10纳秒的超短脉冲式IV测量能力,能有效地测量SOI或高k晶体管等对热或电荷高度敏感组件的特性。
Agilent 4076还为生产测试提供了实验室测试功能。高级工艺通常要求在生产中精确测量各种参数,如MOSFET低于门限的泄漏电流和铜(Cu)金属Van der Paw电阻。这些测量要求异常精确的电流和电压测量分辨率,而此前只有实验室中才能提供这种分辨率。
Agilent 4075和4076所有的RF、HFCV和超短脉冲式IV测量功能都可以在整个新设计的直接对接接口上使用。这种直接对接的设计可通过自动化的探针卡更换机制,让使用者轻易地控制和变换探针卡,而且这种RF直接对接的方式也不会减少任何的DC针脚。
诸如测量链接库和校准工具等 *** 作简易、采用图形化使用者接口的软件皆支持这些RF、HFCV和脉冲式IV测量功能。
封装之后的测试不熟，有FT、SLT等，具体不详，yield map一类，以前在fab的时候，看到的是结果，具体测法不详，说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。
1，出厂必测的WAT，wafer acceptance test，主要是电性能测试，每一类晶体管的参数，电压电容电阻等，每一层金属的电阻，层间的电容等，12寸厂的晶圆抽测9颗样点，均匀分布在整个wafer上，答主熟悉的55nm技术，每一个样点上必测70~120个参数，整片wafer测完约需要10~15分钟，设备主要是安捷伦和东电的；
2，在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等，膜厚是13点，线宽是9点；
3，光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值，要配合后端芯片的再制备；
4，在测试芯片（非生产性正常检测）的时候，还会测试NBTI、TDDB、GOV等；
5，其他根据芯片特性的测试。
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