半导体测试 Lot,Wafer,Bin,Die,分别对应的是图中的那些？

T352光器件封装-光器件封装工艺之--lot、wafer、bar条、die、chip的区别

光通信女人

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这是个挺有意思的话题，器件封装厂家介绍，“我们有Bar条解理和测试”时，内心常常充满了自豪，也经常会迎来参观访问者们一句“哦”。

今天国华聊几个名词，比如激光器lot、wafer、bar、die、chip都是指哪一种形态？ 顺便聊下为什么激光器特有Bar条这个词。

半导体光芯片或者电芯片，最早都是一盘子做出来，在一个wafer上，或者叫晶元、晶圆。

无论是光模块里的激光器芯片、探测器芯片、驱动器电芯片，都是一盘一盘的做出来的。中间工艺有不同，设备不同，材料不同....

但都是一个圆盘子，早期小文【 [图文1]T218 半导体芯片制造流程与设备】，点击就可以链接。

国华之前小文说一盘子制作完成之后，整体用探针卡测试，把不良品标注（绿

光通信行业有个特殊的中间品，叫Bar条，这是什么神奇的东西呢。

比如，探测器芯片，可以直接给光一测有木有转成电，或者VCSEL是面发射，一盘子每个激光器加电，一测上面有没有光什么波长的光....。

FP、DFB是侧面发光，一盘子码的整齐的，侧面有没有光咱也看不到啊。咋办。

给它一条一条分开，侧面镀上膜做做端面处理，然后测试，好的坏的就可以区分。这个过程叫解理。

解理这个词是用在矿物质晶体上的，咱们光学的基本材料也是晶体啊，像掰巧克力一样，顺着纹理稍稍用力，就解开成一条条的。

“那直接掰成一块块的测试呗”

也不是不可以，羊毛出在羊身上，你让咱供应商一把把薅羊毛可以，一根一根薅羊毛也可以，用多少人费多少时间的问题呗。

能一盘盘测试，就不愿多费人力设备一条条测，能一条一条的测就不愿意一颗一颗的测。谁家的钱也不是大风刮来的。

Bar测好，再整成小芯片，这个小芯片，一颗颗的，有叫“晶粒”、有叫“chip”，也有叫“芯片或光芯片”，还有叫“管芯”...

为甚么有个管字，其实国华也没有找到确切出处, 或者可能是激光器也好，探测器也好，本质是个PN结，也就是二极管的“管”。

管它呢继续聊，做成一颗颗芯片就可以去封装成光器件了。

哦，对，咱们还有一个词，叫lot，其实一炉子（MOCVD）不只出一盘wafer，一般几盘放一起做，叫一个批次，材料的配比相同，工艺流程相同。

这同一批次叫一个lot，有些属性是通的，

做为一个自豪的底层劳动人民，劳动人民的自豪也是分层次的，自豪程度也是略有不同。

比如，越精细的越自豪：

有材料生长能力>晶圆能力>bar条测试能力>TO封装能力>OSA组装能力>光模块设计能力

越上游越自豪(甲方掏腰包的角色）：

运营商>设备制造商>模块制造商>光器件制造商>芯片提供商>辅材配料商

资源越稀缺越自豪：

光芯片制造能力>电芯片制造能力>封装能力>芯片使用者

在国华的看法里，一个产业良性共同发展才是大道之理，共同把一个蛋糕做精美，无论做蛋糕的师傅、卖蛋糕的店员、买蛋糕的美女都会开心、掏腰包的大哥略忧伤。

一个良性产业各自做各自专业的事，多赢，成就的是一个大环境大氛围。

君不见相机产业链的翘楚‘柯达’不是败给竞争对手，而是败给另一个产业，手机业的崛起，使得每一个手机都成为了相机。

在同一个产业内，竞争是避免不了的，如果站在对手的角度审视自己、发现问题解决问题也是提升自身的一种途径，有序的竞争与协作是个好事情。

我家大哥在家总想欺负欺负我，树立一种权威，他多歇着我多干活，他管攒钱我管挣钱。家庭话语权这是红果果的竞争啊，可是谁敢揍一下国华，我家大哥能跟他玩儿命，这也是红果果的协作。

国华今天班了个门弄了个斧，见谅见谅。

区别在于工艺研发不同。

etch意思是干法刻蚀，lithography，litho，photo都指光刻。etch只负责etch工艺研发，litho只负责litho工艺研发。工艺部门最好的是litho第二是etch。

一般半导体研发中litho在前，etch在后。litho曝光完成对图案的传递后，再利用etch蚀刻技术把图案转移到光刻胶下面的film中。

扩散技术目的在于控制半导体中特定区域内杂质的类型、浓度、深度和PN结。在集成电路发展初期是半导体器件生产的主要技术之一。但随着离子注入的出现，扩散工艺在制备浅结、低浓度掺杂和控制精度等方面的巨大劣势日益突出，在制造技术中的使用已大大降低。1 扩散机构2 替位式扩散机构这种杂质原子或离子大小与Si原子大小差别不大，它沿着硅晶体内晶格空位跳跃前进扩散，杂质原子扩散时占据晶格格点的正常位置，不改变原来硅材料的晶体结构。硼、磷、砷等是此种方式。 3． 填隙式扩散机构这种杂质原子大小与Si原子大小差别较大，杂质原子进入硅晶体后，不占据晶格格点的正常位置，而是从一个硅原子间隙到另一个硅原子间隙逐次跳跃前进。镍、铁等重金属元素等是此种方式在当今的亚微米工艺中，由于浅结、短沟的限制，硅片工艺后段的热过程越来越被谨慎地使用，但是退火仍然以不同的形式出现在工艺的流程中。退火可以激活杂质，减少缺陷，并获得一定的结深。它的工艺时间和温度关系到结深和杂质浓度。4磷掺杂由于磷掺杂的控制精度较底，它已经渐渐地退出了工艺制作的舞台。但是在一些要求不高的工艺步骤仍然在使用。5多晶掺杂向多晶中掺入大量的杂质，使多晶具有金属导电特质，以形成MOS之“M”或作为电容器的一个极板或形成多晶电阻，之所以不用离子注入主要是出于经济的原因

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