半导体工厂上班对身体有害吗?

对身体有害。

半导体产业属于重污染企业，工厂内会有大量的酸性气体。这些气体来自于晶圆的蚀刻、清洗等过程。如HCl、HNO3、NH4OH等气体都很容易产生大量的浓烟，这些烟雾中含有刺激性且含毒性的NO2等等。

由于半导体制造的过程中会需要大量使用光阻液、显影液等等，这些溶液主要是有机物质，因此在蚀刻、清洗、薄膜生长等过程中，会有大量的有机溶剂被使用，其中就包括二甲苯、丙酮、苯、CCl4、CF4、CCl2F2等等，其中苯就是高毒性的一级致癌物。

半导体工厂对有害物质实施的措施

为了防止这些污染伤害员工、污染环境，半导体工厂需要有极为严格的污染防治措施，包括实时处理工作场所的空气、妥善处理生产废料。

尤其是快速发展的亚微米工艺对生产现场的空气洁净度要求特别高，所有半导体加工设备都必须放置在与灰尘隔离的封闭空间中，即为洁净室。

洁净室的洁净度有一个公认的标准，以10类为例，是指在单位立方英寸的洁净室空间内，平均只有10个粒径在0.5微米以上的粉尘，所以Class数越少，清洁度越好，当然成本也越贵。同时，也是洁净室设备厂商保证洁净空间安全、舒适、节能、高效。

抛光和研磨的步骤在传统半导体的封装中或是晶圆制造完后的加工工艺,工艺流程就叫研磨(grinding)和抛光(polish).所有的晶圆基本上都会经过研磨,但不一定都要抛光,只有要达到的厚度比较薄,或是对背面强度要求比较高的才会做抛光.

结晶态硅材料的制备方法通常是先将硅石(SiO2)在电炉中高温还原为冶金级硅(纯度95%～99%)，然后将其变为硅的卤化物或氢化物，经提纯，以制备纯度很高的硅多晶。包括硅多晶的西门子法制备、硅多晶的硅烷法制备。在制造大多数半导体器件时，用的硅材料不是硅多晶，而是高完整性的硅单晶。通常用直拉法或区熔法由硅多晶制得硅单晶。

世界上直拉硅单晶和区熔硅单晶的用量约为9：1，直拉硅主要用于集成电路和晶体管，其中用于集成电路的直拉硅单晶由于其有明确的规格，且其技术要求严格，成为单独一类称集成电路用硅单晶。区熔硅主要用于制作电力电子元件，纯度极高的区熔硅还用于射线探测器。硅单晶多年来一直围绕着纯度、物理性质的均匀性、结构完整性及降低成本这些问题而进行研究与开发。

材料的纯度主要取决于硅多晶的制备工艺，同时与后续工序的玷污也有密切关系。材料的均匀性主要涉及掺杂剂，特别是氧、碳含量的分布及其行为，在直拉生长工艺中采用磁场(见磁控直拉法单晶生长)计算机控制或连续送料，使均匀性得到很大改善；对区熔单晶采用中子嬗变掺杂技术，大大改善了均匀性。在结构完整性方面，直拉硅单晶早已采用无位错拉晶工艺，目前工作主要放在氧施主、氧沉淀及其诱生缺陷与杂质的相互作用上。

氧在热处理中的行为非常复杂。直拉单晶经300～500℃热处理会产生热施主，而经650℃以上热处理可消除热施主，同时产生氧沉淀成核中心，在更高温度下处理会产生氧沉淀，形成层错和位错等诱生缺陷，利用这些诱生缺陷能吸收硅中有害金属杂质和过饱和热点缺陷的特性，发展成使器件由源区变成“洁净区”的吸除工艺，能有效地提高器件的成品率。

对硅单晶锭需经切片、研磨或抛光(见半导体晶片加工)后，提供给器件生产者使用。

某些器件还要求在抛光片上生长一层硅外延层，此种材料称硅外延片。

非晶硅材料具有连续无规的网格结构，最近邻原子配位数和结晶硅一样，仍为4，为共价键合，具有短程有序，但是，键角和键长在一定范围内变化。由于非晶硅也具有分开的价带和导带，因而有典型的半导体特性，非晶硅从一晶胞到另一晶胞不具有平移对称性，即具有长程无序性，造成带边的定域态和带隙中央的扩展态，非晶硅属亚稳态，具有某些不稳定性。其制备方法有辉光放电分解法等(见太阳电池材料)。

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