二极管的击穿原理是什么，齐纳击穿与雪崩击穿有什么去别？

击穿的原理就是电场强度（能量）达到一定程度，使原来不能参与导电的电荷变成自由电荷而且数量急剧增长。

齐纳击穿与雪崩击穿只是其两种不同的表现形式而已，原理不赘述，课本上都有。

回复楼下：

别乱讲，只要限制电流与功耗，任何“击穿”都是可恢复的！

实际上掺杂浓度决定了击穿类型。通常，击穿电压<6~7V的属于齐纳击穿，高于此电压的属于雪崩击穿，这是由PN结的内部结构决定的，能不能恢复只是看PN是不是被物理地烧坏，与产生击穿的机制是无关的！

电力MOSFET的输出特性分为：

（1）截止区（对应于GTR的截止区）；

（2）饱和区（对应于GTR的放大区）；

（3）非饱和区（对应于GTR的饱和区）。

电力MOSFET工作在开关状态，即在截止区和非饱和区之间来回转换。电力MOSFET漏源极之间有寄生二极管，漏源极间加反向电压时器件导通。电力MOSFET的通态电阻具有正温度系数，对器件并联时的均流有利。

扩展资料

MOSFET的核心是金属—氧化层—半导体电容。氧化层的材料多半是二氧化硅，其下是作为基极的硅，而其上则是作为栅极的多晶硅，这样的结构正好等于一个电容器。

氧化层扮演电容器中介电质的角色，而电容值由氧化层的厚度与二氧化硅的介电常数来决定。栅极多晶硅与基极的硅则成为MOS电容的两个端点。

当一个电压施加在MOS电容的两端时，半导体的电荷分布也会跟著改变。考虑一个P型的半导体（空穴浓度为NA）形成的MOS电容，当一个正的电压VGB施加在栅极与基极端时，空穴的浓度会减少，电子的浓度会增加。

当VGB够强时，接近栅极端的电子浓度会超过空穴。这个在P型半导体中，电子浓度（带负电荷）超过空穴（带正电荷）浓度的区域，便是所谓的反转层。

MOS电容的特性决定了MOSFET的 *** 作特性，但是一个完整的MOSFET结构还需要一个提供多数载流子的源极以及接受这些多数载流子的漏极。

参考资料来源：百度百科--全控型器件

参考资料来源：百度百科--MOSFET

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