MOS管有什么牌子啊 国内外的品牌

目前市面上主流采用的MOS管有ST、ON(安森美)、infineon、fairchildsemi（仙童(飞兆半导体)）、台湾富鼎先进、台湾茂达、aosmd等……。铭瑄采用最多的是ST。Infineon:（英飞凌）ON(安森美)fairchildsemi（仙童/飞兆半导体)美国ST台湾富鼎：台湾aosmd台湾茂达

最近经常有客户问我们，国产MOS管什么品牌好？国产十大MOS管品牌有哪些？哪些国产MOS管品牌可以替代英飞凌MOS管等国外品牌？下面小编就来分析下国产MOS管品牌，探讨下国内外功率MOSFET器件的品牌对比及市场前景。首先来谈一谈十大认知度较高的国产MOS管品牌（排名不分先后）：长电长晶科技，吉林华微，士兰微，华润华晶，新洁能，东光微，江苏捷捷微，乐山无线电，苏州固锝，先科。当然还有其他就不一一列举，其实比较起来很难说国产十大MOS管品牌哪个好，这个问题是见仁见智的，我们南山电子授权代理经销长晶科技和新洁能，小编就先说说这两个牌子，长电长晶科技不用多说了，从事电子元器件行业的应该都知道，细分领域多，主做二三极管，MOS管这块儿当然也做，例如CJ3400，CJ2301，CJ3134等都是稳定性较好，认知度较高，市场比较热销的MOS管型号，而新洁能MOS管相较于国内其他功率器件企业，新洁能资金实力并不突出，那么，它是如何在背景强大、资金充裕的国产MOS管竞争对手中脱颖而出？其技术“硬实力”如何？我们来看图说话：

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国产MOS管

多年来，新洁能始终专注MOSFET、IGBT领域，取得了不少突破：是同时拥有“沟槽型功率MOSFET”、“超结功率MOSFET”、“屏蔽栅功率MOSFET ”及IGBT 四大产品平台的本土企业。在中高端功率器件领域，新洁能交出了不错的成绩单：2018年，新洁能位列中国功率半导体行业第六，这是新洁能连续第三个年头跻身全国前十功率半导体企业榜单。随着新洁能逐渐打开市场、提升品牌知名度，其产品亦从单一的MOSFET、IGBT芯片转为更具集成性的功率器件。

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研发技术

最后我们就来谈谈一个客户问的问题：哪些国产MOS管品牌可以替代英飞凌MOS管等国外品牌？国外认知度较高的品牌相信很多客户并不陌生：英飞凌，安森美，仙童，东芝，ST意法半导体，NXP，AOS等等。说实话英飞凌MOS管这些都是庞然大物，以高功率MOSFET为例，英飞凌、安森美、意法半导体均已推出先进的屏蔽栅功率和超结功率MOSFET，而国内有能力量产的厂商寥寥无几，且可靠性与适用性离一流厂商仍有差距。

这些都是实际存在的问题，我们想要进步就不能一叶遮目，避而不谈，但是我们相信专注于一个领域不停进步，新洁能已具备屏蔽栅功率和超结功率MOSFET特色工艺技术，其部分产品的参数性能与送样表现，与英飞凌、安森美等国际品牌相当。新洁能踌躇满志，计划在未来三年内，进一步树立起中国半导体品牌形象。为此，公司拟筹资数亿，用于以下三方面建设：研发更高性能功率器件、建设半导体封装测试生产线与研发高性能原材料碳化硅。手捧功率半导体领域耀眼的两颗“明珠”——MOSFET、IGBT，新洁能期待成为中高端市场稀缺标杆，与英飞凌、安森美同台竞技。展望未来，新洁能还将致力于攻破更高精尖技术，打造出更好的产品，树立中国半导体品牌形象。南山电子期待与新洁能共同进步，一路同行。

现在来说MOS管分为几大系列：美系、日系、韩系、台系、国产。

美系：IR ST 仙童 安森美 TI  PI 英飞凌；

日系：东芝 瑞萨 新电元；

韩系：KEC AUK 美格纳 森名浩 威士顿 信安 KIA；

台系:APEC CET ；

国产：吉林华微 士兰微 华润华晶  东光微 深爱半导体。

扩展资料

mos管是金属(metal)—氧化物(oxide)—半导体(semiconductor)场效应晶体管，或者称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。

MOS管的source和drain是可以对调的，他们都是在P型backgate中形成的N型区。在多数情况下，这个两个区是一样的，即使两端对调也不会影响器件的性能；这样的器件被认为是对称的。

场效应管（FET），把输入电压的变化转化为输出电流的变化；FET的增益等于它transconductance， 定义为输出电流的变化和输入电压变化之比。

市面上常有的一般为N沟道和P沟道，详情参考右侧图片（N沟道耗尽型MOS管）。而P沟道常见的为低压mos管。

场效应管通过投影

一个电场在一个绝缘层上来影响流过晶体管的电流。事实上没有电流流过这个绝缘体，所以FET管的GATE电流非常小。

这种晶体管称为金属氧化物半导体(MOS)晶体管，或,金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）。因为MOS管更小更省电，所以他们已经在很多应用场合取代了双极型晶体管。

首先考察一个更简单的器件——MOS电容——能更好的理解MOS管。这个器件有两个电极，一个是金属，另一个是extrinsic silicon（外在硅），他们之间由一薄层二氧化硅分隔开。

金属极就是GATE，而半导体端就是backgate或者body。他们之间的绝缘氧化层称为gate dielectric（栅介质）。图示中的器件有一个轻掺杂P型硅做成的backgate。这个MOS 电容的电特性能通过把backgate接地，gate接不同的电压来说明。

MOS电容的GATE电位是0V。金属GATE和半导体BACKGATE在WORK FUNCTION上的差异在电介质上产生了一个小电场。在器件中，这个电场使金属极带轻微的正电位，P型硅负电位。

这个电场把硅中底层的电子吸引到表面来，它同时把空穴排斥出表面。这个电场太弱了，所以载流子浓度的变化非常小，对器件整体的特性影响也非常小。

参考资料：mos管.百度百科

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