载流子迁移率的单位是什么

c_/v·s，载流子迁移率在固体物理学中用于指代半导体内部电子和空穴整体的运动快慢。

电子运动速度等于迁移率乘以电场强度，也就是说相同的电场强度下，载流子迁移率越大，运动得越快；迁移率小，运动得慢。同一种半导体材料中，载流子类型不同，迁移率硅中载流子迁移率随掺杂浓度的变化曲线不同，一般是电子的迁移率高于空穴。

扩展资料：

迁移率决定半导体材料的电导率，影响器件的工作速度。对于载流子迁移率已有诸多文章对载流子迁移率的重要性进行了研究。

迁移率的相关概念在半导体材料中，由某种原因产生的载流子处于无规则的热运动，当外加电压时，导体内部的载流子受到电场力作用，做定向运动形成电流，即漂移电流，定向运动的速度成为漂移速度，方向由载流子类型决定。在电场下，载流子的平均漂移速度v与电场强度E成正比。

参考资料来源：百度百科-载流子迁移率

系统利用飞行时间法(time-of-flight，TOF)测量半导体材料的迁移率以及相关的光电特性， 广泛适用于各类半导体材料， 如有机半导体、金属- 有机框架（metal-organic framework, MOF）、共价有机框架（covalent organic framework,COF）、钙钛矿材料等。FlyTOF系统是一款高度集成化的光电测试系统，配备便捷的上位机控制和数据测量软件，可助力客户进行快速、准确的测量。

特点：

专业的信号调教，电磁兼容噪声小；

软件自动控制，测试快速便捷；

快速换样装置，惰性气体氛围测试；

可实现宽温度范围的变温测试（选配）；

可灵活耦合各种类型的激发光源。

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