SOI是什么简称

SOI（硅技术）

SOI全称为Silicon-On-Insulator，即绝缘衬底上的硅，该技术是在顶层硅和背衬底之间引入了一层埋氧化层。

SOI材料具有了体硅所无法比拟的优点：可以实现集成电路中元器件的介质隔离，彻底消除了体硅CMOS电路中的寄生闩锁效应；采用这种材料制成的集成电路还具有寄生电容小、集成密度高、速度快、工艺简单、短沟道效应小及特别适用于低压低功耗电路等优势，因此可以说SOI将有可能成为深亚微米的低压、低功耗集成电路的主流技术。此外，SOI材料还被用来制造MEMS光开关，如利用体微机械加工技术。

扩展资料：

SOI应用范围

除了特异的优点，在集成电路中使用外，还被用于微光机电MEMS系统的制造，如3D反射镜阵列开关。该反射镜是在SOI衬底的活性层中形成可动反射镜，与另一台阶状电极的衬底连接而成。由于使用单晶硅衬底，且在可动反射镜，直径500微米，的上下面上对称的以同一条件而形成反射膜等，因此，具有10纳米级的翘曲与数十纳米的表面粗糙度。

参考资料来源：百度百科-硅

参考资料来源：百度百科-硅技术

SOI 是指以“工程化的”基板代替传统的体型衬底硅的基板技术，这种基板由以下三层构成：

● 薄薄的单晶硅顶层，在其上形成蚀刻电路

● 相当薄的绝缘二氧化硅中间层

● 非常厚的体型衬底硅衬底层，其主要作用是为上面的两层提供机械支撑。

开始采用SOI材料做基板时，芯片制造商在生产过程中仍然能够继续使用传统的制造工艺和设备。事实证明，SOI完全能够满足主流MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）的性能需求。对部分耗尽型和全部耗尽型CMOS（互补金属氧化物半导体） 器件的性能改善、漏电流减小以及功耗减少等都会产生极大地影响，特别适合于低电压器件结构等。

除了CMOS器件，SOI还可用来制造技术领先的微电子机械系统（MEMS

），MEMS 可用于传感器以及微光电技术电路等。此外，也可以利用SOI增强BiCMOS、功率器件和高压器件的性能，另外还能够改善在高温环境或者曝光在电离辐射环境下的集成电路的性能。