基极电压、集电极电压与管压降之间的关系

基极电压升高引起集电极负载电阻Rc两端电压升高，而管压降Uce则下降。管压降一般指集电极与发射极之间的电压，即：

Uce=Uc-Ue，其中Uc、Ue分别表示集电极和发射极对“地”（即参考点）电压。

正常工作时，基极电压Ub比发射极电压Ue高一个发射结压降Ube，所以：

Ub=Ue+Ube，其中Ube是三极管的属性，硅管约0.7V、锗管约0.2V。

扩展资料：

基极：基极是半导体三极管的电极。一只半导体三极管有三个电极：分别是发射极、基极和集电极。半导体管在工作时要加工作电压，于是就产生了各极电流。

半导体三极管在工作时发射极电流等于基极和集电极电流之和。其中基极电流最小，发射极电流最大。在基极加一很小的电流，在集电极就能输出很大的电流，因此三极管有放大作用。

分母中的(1+β)Re的物理概念可以用电阻的归算来理解。所以将Re乘以(1+β)，是因为对于图3-2-2(c)，写列基极电流方程时，在基极电流流过的电路网眼中电流不等，在基极是IB，在发射极是IE，为了保证基极电流流过Re。

产生的电压降与IE流过时一样，所以要将Re乘以(1+β)。这是放大电路中经常使用的电阻归算的概念，将发射极回路的电阻归算到基极回路，要乘以(1+β)；将电阻从基极回路归算到发射极回路要除以(1+β)。

参考资料来源：百度百科-基极电流

三个极分别叫基极、集电极和发射极。

它是由2块N型半导体中间夹着一块P型半导体所组成，两个PN结将三极管分为三个区：基区、发射区和集电区。发射区与基区之间形成的PN结称为发射结，而集电区与基区形成的PN结称为集电结，三条引线分别称为发射极e、基极b和集电极。

当b点电位高于e点电位零点几伏时，发射结处于正偏状态，而C点电位高于b点电位几伏时，集电结处于反偏状态，集电极电源Ec要高于基极电源助o。

由于基区很薄，加上集电结的反偏，注入基区的电子大部分越过集电结进入集电区而形成集电集电流Ic，只剩下很少（1-10%）的电子在基区的空穴进行复合，被复合掉的基区空穴由基极电源Eb重新补纪念给，从而形成了基极电流bo根据电流连续性原理得：le=Ib+Ic，这就是说，

在基极补充一个很小的b，就可以在集电极上得到一个较大的Ic，这就是所谓电流放大作用，Ic与b是维持一定的比例关系，即：β1=Ic/b式中：β--称为直流放大倍数，集电极电流的变化量AIc与基极电流的变化量△b之比为：β=△Ic/△Ib式中β--称为交流电流放大倍数，

由于低频时β1和β的数值相差不大，所以有时为了方便起见，对两者不作严格区分，β值约为几十至一百多。三极管是一种电流放大器件，但在实际使用中常常利用三极管的电流放大作用，通过电阻转变为电压放大作用。

扩展资料：

放大原理

1、发射区向基区发射电子

电源Ub经过电阻Rb加在发射结上，发射结正偏，发射区的多数载流子(自由电子）不断地越过发射结进入基区，形成发射极电流Ie。同时基区多数载流子也向发射区扩散，但由于多数载流子浓度远低于发射区载流子浓度，可以不考虑这个电流，因此可以认为发射结主要是电子流。

2、基区中电子的扩散与复合

电子进入基区后，先在靠近发射结的附近密集，渐渐形成电子浓度差，在浓度差的作用下，促使电子流在基区中向集电结扩散，被集电结电场拉入集电区形成集电极电流Ic。也有很小一部分电子（因为基区很薄）与基区的空穴复合，扩散的电子流与复合电子流之比例决定了三极管的放大能力。

3、集电区收集电子

由于集电结外加反向电压很大，这个反向电压产生的电场力将阻止集电区电子向基区扩散，同时将扩散到集电结附近的电子拉入集电区从而形成集电极主电流Icn。另外集电区的少数载流子（空穴）也会产生漂移运动，流向基区形成反向饱和电流，用Icbo来表示，其数值很小，但对温度却异常敏感。

参考资料：百度百科-三极管

建议楼主多看一些电子元件基础的知识

硅二极管的导通电压一般在0.6-0.7V之间，这个只是导通电压的一个波动范围，如果说0.5v以上就导通，是不专业的说法，也不规范

二极管的正向导通电流是毫安级的，正向工作电流一般都是安培级的，具体的看型号而定。

"(虽然0.5v-->0.6v之间的电流确实是小的一点点^_^)"，说明楼主对二极管的知识了解太少，要多KK才行

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