电子为什么从更负的导带跃迁到更正的导带

电子带负电，正负相吸。拓展：跃迁类型第一种类型：价带顶和导带底位于相同的k点，直接带隙半导体电子吸收光子从价带顶跃迁到导带底，满足能量守恒和准栋梁守恒的选样定则，即 在讨论本征光吸收时，光子动量可省（差了个数量级），跃迁选择定则可简写成，跃迁过程中波矢不变，能带图上，初末态几乎在同一条直线上，也称竖直跃迁第二种类型：价带顶和导带底位于不同的k点，间接带隙半导体非竖直跃迁，单纯吸收光子不能使电子从价带顶跃迁到导带底，必须在吸收光子的同时伴随吸收或者发射一个声子：电子能量差=光子能量声子能量声子能量较小，近似：电子能量差=光子能量而准动量守恒的跃迁选择定则为： 为声子的准动量，它与能带中电子的准动量相仿，可略去光子动量：公式理解：电子跃迁过程中，光子主要提供跃迁所需的能量，二声子则住哟啊提供给跃迁所需的准动量。光吸收的逆反应：导带中的电子跃迁到价带空能级而发射光子，称为电子-空穴对的复合发光。通常来说，电子集中在导带底，空穴集中在价带顶发射光子的能量基本等于带隙宽度。吸收相同的光子，直接带隙半导体发光几率远大于简介带隙半导体，利用电子-空穴复合发光的器件主要时直接半导体，发光颜色取决与半导体的带隙大小。

发光是物体内部以某种方式储存的能量转化为光辐射的过程.发光物体的光辐射是材料中受激发的电子跃迁到基态时产生的.半导体（主要是元素周期表中Ⅲ族和Ⅴ族元素构成的化合物半导体）发光二极管属于电流激发的电致发光器件.

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