半导体中载流子在运动过程中为什么会遭到散射

我认为在未与N型半导体结合前，P型半导体当中的少数载流子是P型本身掺杂进去的3价元素导致的共价键不平衡而引发的少数自由电子，它们紊乱的在空穴中填充。当P型与N型接触时，P型中的少数载流子（电子）继续填充P型中的空穴，而N型中的多数载流子（电子）也趋向于向浓度低的P型中填充空穴，于是填充后使P型中3价元素的共价键稳定(固定负离子)，N型中5价元素的共价键也稳定(固定正离子)，此时这些稳定的掺杂元素所在区域就形成PN结（空间电荷区），而两侧(远离)PN结处的P型还是有很多空穴、N型还是有很多载流子。此时PN结形成的空间电荷区产生一个由N指向P的电场，该电场吸引P型中的少数载流子（自由电子）流向N结，吸引N型中的少数空穴流向P结，这些少子（本征载流子）的移动（漂移）就形成了漂移电流，也就是漏电流。

1) 对掺杂的Si、Ge，主要的散射是声学波散射和电离杂质散射；

2) 对III-V族化合物半导体，如GaAS，光学波散射也很重要，即主要散射是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；

3) 电离杂质散射：τi∝Ni^(-1)T^(3/2),

声学波散射：τs∝T^(-3/2),

光学波散射：τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]

希望可以帮到你o(∩_∩)o ，还有疑问可以追问或者我哦~

满意，！

激光散射技术是指用激光作光源，在入射光方向以外，借检测散射光强度、频移及其角度依赖等而得到粒子重量、尺寸、分布及聚集态结构等信息的方法的统称，有着广阔的用途。就检测纳米材料而言，主要涉及频移及其角度依赖性的检测，这种散射技术又称动态光散射、准d性光散射及光子相关光谱，分别以测定参数的性质、能量转移的大小及测定方法的原理而得名。

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