氮化镓如果应有在充电器上可以实现非常明显的升级,采用氮化镓材料做出来的充电头,体积和苹果5W差不多大的情况下,能实现更大的功率。
氮化镓充电头拥有更小的体积,却能够实现更大的功率,提高充电能力。
氮化镓号称第三代半导体核心材料。氮化镓,分子式GaN,英文名称Gallium nitride,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体
大部分行业的基础材料是硅,从电子行业看硅是非常重要的材料。但随着硅极限被逐步逼近,基本上现在硅的开发达到了瓶颈,许多产业已经开始努力寻找更合适的替代品,氮化镓就是这样进入到了人们眼中。
氮化镓号称第三代半导体核心材料。相对硅而言,氮化镓拥有更宽的带隙,宽带隙也意味着,氮化镓能比硅承受更高的电压,拥有更好的导电能力。简而言之两种材料在相同体积下,氮化镓比硅的效率高出不少。如果氮化镓替换现在所有电子设备,可能会让电子产品的用电量再减少10%或者25%。
【氮化镓能比硅承受更高的电压,拥有更好的导电能力】这意味着,在许多电源管理产品中,氮化镓是更强的存在。应用层面,采用氮化镓做充电器的话能够实现更快充电更小体积。
打个比方说,采用氮化镓材料做出来的充电头,体积和苹果5W差不多大的情况下,能实现更多的功率。苹果的5W充电头实现的充电效率相信大家都懂的,未来新的材料大规模应有后就有望改变这种情况。毕竟,市场上更好的方案出现,很可能会倒逼苹果进步。
未来一段时间中,采用氮化镓材料做出来的充电器会越来越多,能大大提升产品的充电能力。
好。根据相关资料显示普通员工一年到手现金10万,加五险一金有12万以上。氮化镓是一种无机物,化学式GaN,是氮和镓的化合物,是一种直接能隙(direct bandgap)的半导体,自1990年起常用在发光二极管中。此化合物结构类似纤锌矿,硬度很高。氮化镓的能隙很宽,为3.4电子伏特,可以用在高功率、高速的光电元件中,例如氮化镓可以用在紫光的激光二极管,可以在不使用非线性半导体泵浦固体激光器(Diode-pumpedsolid-state laser)的条件下,产生紫光(405nm)激光。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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