封装之后的测试不熟,有FT、SLT等,具体不详,yield map一类,以前在fab的时候,看到的是结果,具体测法不详,说一下fab芯片制造完成之后的测试吧。
1,出厂必测的WAT,wafer acceptance test,主要是电性能测试,每一类晶体管的参数,电压电容电阻等,每一层金属的电阻,层间的电容等,12寸厂的晶圆抽测9颗样点,均匀分布在整个wafer上,答主熟悉的55nm技术,每一个样点上必测70~120个参数,整片wafer测完约需要10~15分钟,设备主要是安捷伦和东电的;
2,在晶圆制造过程中监测膜厚、线宽等,膜厚是13点,线宽是9点;
3,光学镜头芯片还会测试wafer的翘曲度、整体厚度值,要配合后端芯片的再制备;
4,在测试芯片(非生产性正常检测)的时候,还会测试NBTI、TDDB、GOV等;
5,其他根据芯片特性的测试。
半导体存储器的两个技术指标是:存储容量和存取时间。存储容量:指该存储器的大小,体现所能存储数据的多少。
存取时间:对该存储器读写的时间,时间越短,性能越好。在cpu执行指令时,需要多次对存储器读写,读写时间短可以提高cpu的性能。
半导体存储器(semi-conductor memory)
是一种以半导体电路作为存储媒体的存储器。
按其制造工艺可分为:双极晶体管存储器和MOS晶体管存储器。
按其存储原理可分为:静态和动态两种。
其优点是:体积小、存储速度快、存储密度高、与逻辑电路接口容易。
主要用作高速缓冲存储器、主存储器、只读存储器、堆栈存储器等。
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