半导体薄膜为什么既具有高透光性又具有高的导电性

半导体薄膜为什么既具有高透光性又具有高的导电性,第1张

半导体薄膜既具有高透光性又具有高的导电性的原因是纤维材质。半导体薄膜经过电镀形成可自我联结的纳米铜导线铁丝织网,应用于可弯曲的触摸屏、可穿戴、柔性太阳能电池和电子皮肤中,半导体薄膜既具有高透光性又具有高的导电性的原因是纤维材质。

【ito膜在led中的作用】为了提高led芯片的出光效率,人们想了许多办法。比如,当前市场上出现了许多亮度较高的ito芯片的led,gan基白光led中如果用ito替代ni/au作为p型电极芯片的亮度要比采用通用电极的芯片高20%-30%。在众多可作为透明电极的材料中,ito是被最广泛应用的一种,ito薄膜即铟锡氧化物半导体透明导电膜,通常有两个性能指针:电阻率和透光率。主要是由于ito可同时具有低电阻率及高光穿透率的特性,符合了导电性及透光性良好的要求。在氧化物导电膜中,以掺sn的in2o3(ito)膜的透过率最高和导电性能最好,而且容易在酸液中蚀刻出细微的图形。

【ito薄膜】是一种n型半导体材料,具有高的导电率、高的可见光透过率、高的机械硬度和良好的化学稳定性。

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ITO膜在LED中的作用是增加了光透过率:

ITO的微观结构。在SnO2中加入Sn后,Sn元素可以在铟镓晶格中取代,以SnO2的形式存在。由于In2O3中的in元素是三价的,当形成SnO2时,电子将贡献给导带。

同时,在一定的缺氧条件下产生氧空穴,形成载流子浓度为1020~1021CM-3,迁移率为10~30cm/vs.该机制提供了10-4Ω量级的低膜电阻率。

所以ITO薄膜具有半导体的导电性。Ito是一种宽能带薄膜,其禁带宽度为3.5-4.3ev。激发吸收阈值为3.75ev,相当于330nm波长。

因此,ITO薄膜的透射率很低。同时,由于载流子等离子体振动在近红外区域的反射,ITO薄膜在近红外区域的透光率也很低。

但ITO薄膜在可见光区域的透射率很好。由于材料本身特殊的物理和化学性质,ITO薄膜具有良好的导电性和可见光透过率。

扩展资料:

在国内,ITO薄膜设备的制造和发展是20世纪80年代开始的,主要是一些单体式的真空镀膜设备,由于ITO工艺和制成方法的限制,因此产品品质较差、产量较小,当时的产品主要用作普通的透明电极和太阳能电池等方面。

20世纪90年代初,随着LCD器件的飞速发展,对ITO薄膜产品的需求量也是急剧的增加,国内部分厂家纷纷开始从国外引进一系列整厂ITO镀膜生产线

但由于进口设备的价格昂贵,技术服务不方便等因素,使许多厂商还是望而却步。80年代末,中国诞生了第一条TN-LCD用ITO连续镀膜生产线。

该生产线采用的工艺路线是将铟锡合金材料利用直流磁控溅射的原理沉积到基片的表面,并进行高温氧化处理,将铟锡合金薄膜转换成所需的ITO薄膜。

这种生产线的特点是设备的产能较低,质量较差,工艺调节复杂。90年代中期,随着国内LCD产业的发展,对ITO产品的需求量增大的同时,对产品的质量有了新的要求。

因此出现了第二代ITO镀膜生产线。该生产线不仅产量比第一代生产线有了大幅度的提升,同时由于直接采用ITO陶瓷靶材沉积ITO薄膜。

并兼容了射频磁控溅射沉积SiO2薄膜的工艺,使该生产线无论从产品的质量上、还是工艺可控性等方面与第一代生产线相比均有了质的飞跃。

参考资料来源:百度百科—ITO薄膜


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