掺杂半导体材料中的费米能级与掺杂后在能隙中多出的能级是同一个吗？（只考虑n掺杂或p掺杂）

不是，费米能级表征的是电子的填充水平。无论是否掺杂，半导体都有费米能级。

你所说的掺杂半导体多出来的能级应该指的是杂质能级。如果是n掺杂就是施主能级，如果是p掺杂就是受主能级。

掺杂后，费米能级会移动很靠近杂质能级，但是绝不是同一个。

能层（英语：Energy level）理论是一种解释原子核外电子运动轨道的一种理论。它认为电子只能在特定的、分立的轨道上运动，各个轨道上的电子具有分立的能量，这些能量值即为能级。电子可以在不同的轨道间发生跃迁，电子吸收能量可以从低能级跃迁到高能级或者从高能级跃迁到低能级从而辐射出光子。氢原子的能级可以由它的光谱显示出来。能带理论（Energy band theory ）是讨论晶体（包括金属、绝缘体和半导体的晶体）中电子的状态及其运动的一种重要的近似理论。它把晶体中每个电子的运动看成是独立的在一个等效势场中的运动，即是单电子近似的理论；对于晶体中的价电子而言，等效势场包括原子实的势场、其他价电子的平均势场和考虑电子波函数反对称而带来的交换作用，是一种晶体周期性的势场。

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