1、BG:是背面减薄(BacksideGridding),采用In-Feed削磨的方式,将晶圆厚度减薄到目的厚度。提高芯片热扩散效率、电性能、机械性能,减小封装体积,及划片加工量。
2、BM:是背面金属化(BacksideMetallization),使用电子束产生高温蒸发金属,使金属原子在真空中直线运动,沉积在晶圆上,实现晶圆背面金属化。
这个课题太大!因为涉及半导体材料的泛范围太广了!简单地说:以半导体材料及衍生材料为主体的各种工艺研发和制造都称为半导体工艺!半导体:顾名思义!就是导电率介于导体和绝缘体之间的金属及非金属材料!常见的硅,锗,都属于此类!欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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