电机增量式编码器HTL 和TTL的区别

区别一、不一样的传输距离。

1、HTL：对于HTL的带有对称负信号输出的编码器，信号传输距离可达311米。

2、TTL：对于TIL的带有对称负信号输出的编码器，信号传输距离可达160米。

区别二、不一样的电压。

1、HTL：国值电压比较高。当电源电压为15V时，阙值电压达7-8V。

2、TTL：被利用的最多是因为通常数据表示采用二进制规定，+5V等价于逻辑”1"，0V等价于逻辑”0”。

区别三、不一样的特点。

1、HTL：噪声容忍度较大，具有较强的抗干扰能力。 缺点是工作速度比较低，因此用于工作速度要求不高且具有抗干扰能力的某些工业控制设备。

2、TTL：TTL电平信号直接与集成电路连接而不需要价格昂贵的线路驱动器以及接收器电路；计算机处理器控制的设备内的数据传输速度很高，并且TTL接口可以满足此要求。 在大多数情况下，TTL通信采用并行数。

整个DDR SDRAM颗粒的编号，一共是由14组数字或字母组成，他们分别代表内存的一个重要参数，了解了他们，就等于了解了现代内存。

颗粒编号解释如下：

1． HY是HYNIX的简称，代表着该颗粒是现代制造的产品。

2． 内存芯片类型：（5D=DDR SDRAM）

3． 处理工艺及供电：（V：VDD=3.3V &VDDQ=2.5V；U：VDD=2.5V &VDDQ=2.5V；W：VDD=2.5V &VDDQ=1.8V；S：VDD=1.8V &VDDQ=1.8V）

4． 芯片容量密度和刷新速度：（64：64M 4K刷新；66：64M 2K刷新；28：128M 4K刷新；56：256M 8K刷新；57：256M 4K刷新；12：512M 8K刷新；1G：1G 8K刷新）

5． 内存条芯片结构：（4＝4颗芯片；8＝8颗芯片；16＝16颗芯片；32＝32颗芯片）

6． 内存bank（储蓄位）：（1＝2 bank；2＝4 bank；3＝8 bank）

7． 接口类型：（1=SSTL_3；2=SSTL_2；3=SSTL_18）

8． 内核代号：（空白=第1代；A=第2代；B=第3代；C=第4代）

9． 能源消耗：（空白=普通；L=低功耗型）

10． 封装类型：（T=TSOP；Q=LOFP；F＝FBGA；FC＝FBGA（UTC:8x13mm））

11． 封装堆栈：（空白=普通；S=Hynix；K=M&T；J＝其它；M=MCP（Hynix）；MU＝MCP（UTC））

12． 封装原料：（空白=普通；P=铅；H＝卤素；R=铅+卤素）

13． 速度：（D43＝DDR400 3-3-3；D4=DDR400 3-4-4；J＝DDR333；M＝DDR333 2-2-2；K＝DDR266A；H＝DDR266B；L＝DDR200）

14． 工作温度：（I=工业常温（-40 - 85度）；E=扩展温度（-25 - 85度））

由上面14条注解，我们不难发现，其实最终我们只需要记住2、3、6、13等几处数字的实际含义，就能轻松实现对使用现代DDR SDRAM内存颗粒的产品进行辨别。尤其是第13位数字，它将明确的告诉消费者，这款内存实际的最高工作状态是多少。假如，消费者买到一款这里显示为L的产品（也就是说，它只支持DDR 200的工作频率），那么就算内存条上贴的标签或者包装盒上吹的再好，它也只是一款低档产品。

常见SDRAM 编号识别

维修SDRAM内存条时，首先要明白内存芯片编号的含义，在其编号中包括以下几个内容：厂商名称（代号）、容量、类型、工作速度等，有些还有电压和一些特殊标志等。通过对这些参数的分析比较，就可以正确认识和理解该内存条的规格以及特点。

(1)世界主要内存芯片生产厂商的前缀标志如下：

▲ HY HYUNDAI ------- 现代

▲ MT Micron ------- 美光

▲ GM LG-Semicon

▲ HYB SIEMENS ------ 西门子

▲ HM Hitachi ------ 日立

▲ MB Fujitsu ------ 富士通

▲ TC Toshiba ------ 东芝

▲ KM Samsung ------ 三星

▲ KS KINGMAX ------ 胜创

(2)内存芯片速度编号解释如下:

★ -7 标记的SDRAM 符合 PC143 规范,速度为7ns.

★ –75标记的SDRAM 符合PC133规范,速度为7.5ns.

★ –8标记的SDRAM 符合PC125规范,速度为8ns.

★ –7k/-7J/10P/10S标记的SDRAM 符合PC100规范,速度为10ns.

★ –10K标记的SDRAM符合PC66规范,速度为15ns.

(3) 编 号 形 式

HY 5a b ccc dd e f g h ii-jj

其中5a中的a表示芯片类别,7---SDRAMD—DDR SDRAM.

b表示电压,V—3.3VU---2.5V空白—5V.

CCC表示容量,16—16M65—64M129—129M256—256M.

dd表示带宽。

f表示界面，0—LVTTL； 1—SSTL（3）； 2—SSTL_2.

g表示版本号，B—第三代。

h表示电源功耗， L—低功耗； 空白—普通型。

ii表示封装形式， TC—400mil TSOP—H.

jj表示速度，7—143MHZ75—133MHZ8—125MHZ

10P—100MHZ(CL=2)10S—100MHZ(CL=3)

10—100MHZ(非PC100)。

例：1） HY57V651620B TC-75

按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 133MHZ.

2) HY57V653220B TC-7

按照解释该内存条应为：SDRAM， 3.3V, 64M, 143MHZ

全球主要内存芯片生产厂家(掌握内存芯片生产技术的厂家主要分布在美国、韩国、日本、德国、台湾)：

序号 品牌 国家/地区 标识 备注

1 三星 韩国 SAMSUNG

2 现代 韩国 HY

3 乐金 韩国 LGS 已与HY合并

4 迈克龙 美国 MT

5 德州仪器 美国 Ti 已与Micron合并

6 日电 日本 NEC

7 日立 日本 HITACHI

8 冲电气 日本 OKI

9 东芝 日本 TOSHIBA

10 富士通 日本 F

11 西门子 德国 SIEMENS

12 联华 台湾 UMC

13 南亚 台湾 NANYA

14 茂矽 台湾 MOSEI

（一）按功能结构分类

集成电路按其功能、结构的不同，可以分为模拟集成电路和数字集成电路两大类。

模拟集成电路用来产生、放大和处理各种模拟信号（指幅度随时间边疆变化的信号。例如半导体收音机的音频信号、录放机的磁带信号等），而数字集成电路用来产生、放大和处理各种数字信号（指在时间上和幅度上离散取值的信号。例如VCD、DVD重放的音频信号和视频信号）。

（二）按制作工艺分类

集成电路按制作工艺可分为半导体集成电路和薄膜集成电路。

膜集成电路又分类厚膜集成电路和薄膜集成电路。

（三）按集成度高低分类

集成电路按集成度高低的不同可分为小规模集成电路、中规模集成电路、大规模集成电路和超大规模集成电路。

（四）按导电类型不同分类

集成电路按导电类型可分为双极型集成电路和单极型集成电路。

双极型集成电路的制作工艺复杂，功耗较大，代表集成电路有TTL、ECL、HTL、LST-TL、STTL等类型。单极型集成电路的制作工艺简单，功耗也较低，易于制成大规模集成电路，代表集成电路有CMOS、NMOS、PMOS等类型。

（五）按用途分类

集成电路按用途可分为电视机用集成电路、音响用集成电路、影碟机用集成电路、录像机用集成电路、电脑（微机）用集成电路、电子琴用集成电路、通信用集成电路、照相机用集成电路、遥控集成电路、语言集成电路、报警器用集成电路及各种专用集成电路。

1.电视机用集成电路包括行、场扫描集成电路、中放集成电路、伴音集成电路、彩色解码集成电路、AV/TV转换集成电路、开关电源集成电路、遥控集成电路、丽音解码集成电路、画中画处理集成电路、微处理器（CPU）集成电路、存储器集成电路等。

2.音响用集成电路包括AM/FM高中频电路、立体声解码电路、音频前置放大电路、音频运算放大集成电路、音频功率放大集成电路、环绕声处理集成电路、电平驱动集成电路，电子音量控制集成电路、延时混响集成电路、电子开关集成电路等。

3.影碟机用集成电路有系统控制集成电路、视频编码集成电路、MPEG解码集成电路、音频信号处理集成电路、音响效果集成电路、RF信号处理集成电路、数字信号处理集成电路、伺服集成电路、电动机驱动集成电路等。

4.录像机用集成电路有系统控制集成电路、伺服集成电路、驱动集成电路、音频处理集成电路、视频处理集成电路。

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