金属材料与半导体，绝缘体材料的热容在极低温下有何区别

金属材料： 在温度很高和很低的情况下，自由电子和离子振动对热容的贡献都要考虑。 无机非金属材料(与 Debye 热容理论相符): 低温时 CV ∝ T3， 高温时 CV ≈ 25 J/ K·mol ，无机材料的热容与材料的结构关系不大。

硅的比热容量为：700 J/（kg·K）。

比热容，简称比热，亦称比热容量，是热力学中常用的一个物理量，用来表示物质提高温度所需热量的能力，而不是吸收或者散热能力。它指单位质量的某种物质升高（或下降）单位温度所吸收（或放出）的热量。

其国际单位制中的单位是焦耳每千克开尔文[J/( kg· K )]，即令1KG的物质的温度上升1开尔文所需的热量。硅的比热容量为：700 J/（kg·K），也就是说硅使1KG的物质的温度上升1开尔文所需的热量为700 J。

扩展资料：

上海交通大学教授金贤敏说：“采用硅晶体管开发量子位，还有一个原因在于，相对于超导材料，硅量子位的可靠性更高。所有的量子位都容易出错，因为它们使用的量子效应非常脆弱，即使对设备的噪音加以控制，也能在远不足一微秒的瞬间扰乱量子叠加。”

首台采用传统计算机硅芯片制造技术的量子计算机已由英特尔公司研制成功，并交付给了合作伙伴——位于荷兰代尔夫特理工大学的研究机构。英特尔的这台低调设备或许就像一朵羞答答的迎春花，昭示硅量子技术春天的到来。

一些科学家也表示，在“硅路线”上看到了希望。澳大利亚新南威尔士大学米歇尔·西蒙斯的团队也在开发用硅制造量子计算机的方法。去年5月，西蒙斯创办了初创企业“硅量子计算”，澳大利亚政府提供了资金支持。

参考资料：百度百科-硅

参考资料：百度百科-比热容

参考资料：人民网-硅量子计算机研发渐入佳境

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