光效率很大的话差不多就是直接带隙,发光效率低的话就是间接带隙。直接带隙材料吸收光谱应该能比较明显地区分出本征吸收带和吸收边,变化相对较缓,而间接带隙材料比较陡峭。
间接带隙半导体材料(如Si、Ge)导带最小值(导带底)和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量,还要改变动量。
电子在k状态时的动量是(h/2pi)k,k不同,动量就不同,从一个状态到另一个必须改变动量。与之相对的直接带隙半导体则是电子在跃迁至导带时不需要改变动量。
扩展资料:
光致发光过程包括荧光发光和磷光发光。通常用于半导体检测和表征的光致发光光谱指的是光致荧光发光。
光致发光特点:
1、光致发光优点
设备简单,无破坏性,对样品尺寸无严格要求;分辨率高,可做薄层和微区分析。
2、光致发光缺点
通常只能做定性分析,而不作定量分析;如果做低温测试,需要液氦降温,条件比较苛刻;不能反映出非辐射复合的深能级缺陷中心。
参考资料来源:百度百科--光致发光光谱
一、性质不同
1、半导体:是常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。
2、光学:是物理学的重要分支学科、也是与光学工程技术相关的学科。
二、应用不同
1、半导体:半导体可以用来测量温度,测温范围可以达到生产、生活、医疗卫生、科研教学等应用的70%的领域,有较高的准确度和稳定性,分辨率可达0.1℃,甚至达到0.01℃也不是不可能,线性度0.2%,测温范围-100~+300℃,是性价比极高的一种测温元件。
2、光学:由于光学由许多与物理学紧密联系的分支学科组成,具有广泛的应用,所以还有一系列应用背景较强的分支学科也属于光学范围。如有关电磁辐射物理量测量的光度学和辐射度学;以正常平均人眼为接收器来研究电磁辐射所引起的彩色视觉及其心理物理量的测量的色度学等。
扩展资料:
半导体的特点
1、半导体五大特性∶掺杂性,热敏性,光敏性,负电阻率温度特性,整流特性。
2、在形成晶体结构的半导体中,人为地掺入特定的杂质元素,导电性能具有可控性。★
3、在光照和热辐射条件下,其导电性有明显的变化。
参考资料来源:百度百科-半导体
参考资料来源:百度百科-光学
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