半导体镀膜工艺是什么

镀膜工艺一般是PVD和CVD。PVD：物理气相沉积。通过plasm轰击金属靶材（金靶，铜靶，Al，Cr.....），金属原子脱离靶材，落在wafer表明，形成薄膜。CVD：化学气相沉积。这个是通过化学反应，在晶圆表面张氧化薄膜。

是SOP,QFP,QFN上LEAD脚镀层厚度啊

不同的镀层厚度要求也不一样

问题问得太笼统,常规镀层是几个微米,封装上的凸点也有上百微米的

老大，是LF的镀银层，还是电流的镀银层。

电镀。上面写错了。

QFN 上PPF镀层较多吧， 具体金层5奈米左右， 钯几十奈米，镍1微米左右。

常用的镍银或镍金层一般1~3微米吧。镍层较厚， 要起阻挡层作用嘛。

另外镀的方法上有电镀和EN镀，镀层表面质量不一样。

分立半导体器件的电镀一般采用纯锡或锡基和金电镀，这几年由于欧洲RoHS指令生效，纯锡电镀较为流行。纯锡电镀有Wisker的问题，所以镀层厚度的最小值一般要求超过8微米，并配合150C回火。

不同的封装工艺，对镀层的要求不尽一样，所以我认为业界没有固定的标准。只要能做到满足可靠性就可以了.

200-600微英寸

---