影响半导体器件响应特性的因素有哪些

如果是响应特性的话题主可能是想问半导体的响应速度，也就是对高频信号的响应。首先在半导体本身上面分析，就是看禁带的形状，因为这影响到电子在半导体内部的有效质量，禁带变化得越激烈，有效质量越小，受电场加速越快，响应速度就越快。同理还跟掺杂有关系，掺杂越多电子运动阻碍变多，弛豫时间变短，响应也会变慢。在期间层面上金属半导体结或者pn结之间的势垒相差太大，电子穿越的时候需要能量就高，响应也会变慢；还有就是半导体作材料时的厚度，接触面积都会影响传播的时间影响响应速度：材料越薄，接触面积越大，响应越快。如果没有回答对方向可以随时回复~

光电检测器件基本上就是pn结二极管（Si、Ge、pin结光电二极管）。其频率响应主要决定于pn结势垒电容（电容越大，响应速度就越慢）；这与半导体的掺杂浓度有关，也与pn结面积有关。掺杂浓度越高，势垒厚度越薄，则势垒电容就越大；pn结面积越大，势垒电容就越大。

pin结光电二极管的势垒电容很小，故响应速度较快；但是，如果其中i型层太厚的话，则光生载流子渡越i型层的时间太长，反而又影响到响应速度。

金属应变片和半导体应变片的灵敏度分别由尺寸和电导率因素确定。根据查询相关资料信息，金属应变片灵敏度取决于尺寸变化，半导体应变片（压阻效应为主），灵敏度取决于电导率变化，对不同半导体，施加电荷方向不同，压阻响应不一样。

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