所以能拿到台面上的方法都无效之后，美国连借口也懒得找了，直接联合欧洲各芯片厂商封锁芯片供应，还有中国台湾的台积电，都加入到围堵华为的队伍中。
没有理由，只有目的，那就是想挤死华为，进而迟滞中国的5G产业发展。
而且这也不是美国唯一的手段，美国的铁杆盟友、五眼联盟的澳大利亚频频在国际事务中攻击中国。
为了拖慢中国崛起的步伐，美国似乎已经恼羞成怒，拉开了对中国极限施压的序幕！
华为承受了很大压力，因为芯片的断供，华为产能和销售额大幅缩水，手机在国内的市场占有率退出了前四，持续研发的资金也受到影响。
既然手机的芯片不卖给我们，那么，我们自己生产不可以吗？
答案是，不可以。
因为制造手机芯片所用到的7纳米制程的光刻机为荷兰阿斯麦尔公司（ASML）所有，而该公司也在美国的授意或威胁之下，不肯把光刻机卖给中国。
这一次随着华为被制裁，也曝出了一个令国人更加震惊的消息，原来在芯片行业让西方人高歌猛进的研发团队，竟然也是一群黄皮肤黑眼睛的人！
而对于如今要在半导体行业发力的中国而言，这是一个必须要予以深刻反思的问题。
中微半导体股份有限公司董事长兼总经理尹志尧说：全球芯片领域的专家，在芯片界排名前十的行业里，或者创始人、或者CEO竟然都是华人。
其中最著名的就是杨培东，杨培东出生于1971年，在国内完成大学学习后赴美留学，之后一直在美国工作，更是在2016年当选为美国科学院院士，在半导体制造领域拥有极高的权威。
正是这群人紧紧地扼住了中国芯片业发展的咽喉，限制了中国在5G通讯领域的发展。
在这里，我们并不能简单地把这类人归于不爱国的范畴而大加指责，因为这里有个矛盾，那就是国家的理想与个人理想之间的矛盾。
限于国家发展的共性规律，当年国内确实没有发展半导体的环境，为了自己能学有所成，他们选择了到海外发展，所以造成了我国在半导体领域的人才流失，导致美国芯片专家多数是华人的现象。
好在近几年，我国在芯片领域的布局，这类人才大量流失的情况有了一定改善。
当年我们为什么在实际上没有重视芯片
这么明显的命门，为什么就轻易被美国抓住呢？
说出来，令人心酸，不是中国人没看出来，因为二十年前，手机在我国悄然兴起，低廉的制造成本使它受到了青年人的追捧，以拥有一款小巧的手机为荣。
巨大的手机市场，催生了对芯片的强劲需求、芯片制造业一片大好。
但在1990年到2001年前后发生了几件事，让我国不得不重新审视国家的产业发展方向。
1993年7月23日，美国公然断掉GPS导航系统，在公海逼停我国银河号货轮，强迫银河号接受美国检查；
紧接着，2001年4月1日，在中国南海，我国的歼-8型81192战机被美国的一架EP-3电子侦察机撞损后坠海，飞行员王伟失踪。
这一系列的事件让我们认识到我国在国防、在军事上要比肩美国，还有很长的路要走。
那个时候，是发展综合性的军力国力最重要，还是发展几十年以后才有可能被打压的手机芯片重要？答案不言而喻。虽然国防军工也要芯片，但芯片不是全部。我们只能一步步解决。
一个小小的芯片怎么就会影响到国家的产业布局呢？
别看芯片小，它可是烧钱的行当，2000年，我国改革开放成效见长，国力有了很大增强，GDP突破10万亿大关，但是用钱的地方还是太多，一个指甲盖大小的芯片有多烧钱呢？
可以说，是越小越烧钱！
而且芯片的研发周期长，技术风险大，把钱砸进去，也不一定能看到结果，一旦研发方向出现错误，前期所有的钱就相当于丢进了水里，实在是一个烧钱烧到绝望的行业。
单以制造芯片所用到的光刻机举例就可以说明问题，就算是现在以一台EUV（极紫外）光刻机横行全球芯片业的荷兰阿斯麦尔公司（ASML），也是靠不断海量资金的融入才能维持产品的升级迭代研发。
阿斯麦尔公司为了筹集EUV光刻机的研发资金，于2012年提出“客户联合投资计划”：客户先通过注资的方式成为股东，然后拥有优先订货权。
也就是加钱抢票的意思。
通过这种手段，阿斯麦尔公司把研发资金的压力及风险转嫁到了客户身上。
谁也不知道，究竟要往“风险”里面砸多少钱，花多长时间，一旦公司实力稍差，在研发还未完成时，自己的公司就爆仓了，前期所投的钱也血本无归。
但客户们为了早人一步实现产品升级，也只好甘心情愿冒着被阿斯麦尔公司当杀猪盘的风险继续投资。
通过这一项计划，阿斯麦尔公司从美欧日手里筹来了53亿欧元资金，折合人民币500亿，占到了当年我国国防预算的7.4%。
听起来不多，但这仅是“首付”，之后还要源源不断地砸钱，其它相关产业如晶元的提取制作都得花钱，如果把钱都给了芯片，那么我们的高铁和北斗卫星的事关国防民生的项目又怎么能不受影响。
我们的国力决定我们只能有选择地发展而不能全面铺开。有些零部件只能暂时采取国际分工的方式，甚至暂时受制于人。
如果那个时候就去和美欧比烧钱，无疑会掉入他们的圈套。
但华为的崛起令世界都来不及反应！
美欧、甚至连我国自己都没想到，华为能成为通讯行业的一匹黑马，更成为5G领域的领头羊，这才是美国不能接受的。
在美国的印象中，本来觉得自己在通讯行业还能在原地等中国二十年，或者是十年。
没想到华为像头灰犀牛一样狂奔着冲到他们跟前，并很快把他们甩在身后。
美国人不敢再装绅士了，于是对华为痛下杀手，意图再次封印中国的 科技 发展。
建国后，我们的尖端 科技 一路狂奔，走到今天，可以说接近于西方，甚至有些地方还远远强于西方，比如华为手里的5G技术。
但越尖端的前沿 科技 越需要一个雄厚的产业链为之支撑。
一条产业链的模式大概是这样子的，原材料——粗加工——精加工——制造业——尖端 科技 。
这条产业链理想状态应是均匀的，由于我们在尖端 科技 这个链条上跑的太快，把精加工与制造业这两个链条相对性地拉细。
换言之，我国的精加工与制造业是赶不上高端 科技 的需求的。
这就是我们有求于美欧、日本的地方。
精加工与制造业就是支撑我们高 科技 发展的命门所在，在电子集成方面，我们被拉细的环节就是芯片制造业！
对此西方发达国家心知肚明，他们的制裁，像是一支箭射向了阿基琉斯之踵，芯片断供瞬间让华为遭遇巨大危机！
哀而不伤，痛而不亡的芯片断供
事实上，美国这一招确实狠辣，打痛了华为，但却打不死华为，更达不到拖慢我们在芯片业的发展脚步的目的。
说起来，有人可能不信，阿斯麦尔公司引以为傲的7纳米制程应用最多的地方也就是手机通讯行业，而对于国防角度来说，并不是太卡脖子的事。
就连美国人当年引以为傲的外星 科技 ——F-22上面使用的处理器——PowerPC-603E，1995年研发，其芯片制程还没有步入纳米级，尚处于微米级别，硬要换算成纳米大概也就是500纳米制程；
美军卖遍全球的“神机”——F-35战斗机，其搭载芯片制程45纳米，而现在我国的芯片水平已经攻入了28纳米甚至是14纳米制程以内了。
也就是说，满足我国国防需要的芯片，我们是能够造出来的。
其次，美国制裁华为，到底打疼了没有？确实打疼了，可是普通人有没有感觉到？相信很多人没有感觉到，因为除了华为手机，我们还有其他手机可选。
其实回过头来，才能看明白，二十多年前国家在权衡利弊后，做出的决策虽然艰难，却是正确的。
这种疼，有可能在二十年前国家就意识到了，但我们当时只能选择更加重要的方面。
因为手机如果没了华为，我们还可以选择其它手机，如果我国的北斗导航卫星没了，我们如何选择？如果我们的歼20没有了，我们该如何选择？如果我们的高铁没了，我们又该作如何选择？
相比之下，81192飞行员王伟，才是我们身上最痛的地方，是我们不能再忍受的。
所以二十年前选择国防、航天、高铁、粮食安全，忍痛做出暂时的取舍是正确的，为的是不再让银河号事件重演，不再让我们的国土受到侵犯。
其实我们早已悄悄发力
我们要一直放弃半导体芯片行业吗？当然不会。
2018年4月16日晚，美国商务部发布公告称，美国政府在未来7年内禁止中兴通讯向美国企业购买敏感产品。
换言之，是对中兴下达了封杀令。
短短一年后，又将q口对准了华为，并决心要彻底毁掉华为！
这一次我们并没有忍气吞声，国家的力量开始下场帮忙！二十年来欠芯片行业的，我们今天要还！
清华大学和西安 科技 大学开始开设半导体相关专业培养人才，其它知名大学也积极跟进，并与市场充分融合，虽然目前在光刻机等方面，与国际上还有相当大的差距，但却也以肉眼可见的速度在缩小。
大概从2009年开始，中国已经在芯片行业发力，一路攻坚克难，国产首套90纳米高端光刻机已经成功研制。
2020年6月，上海微电子设备有限公司透露，将在2021-2022年交付首台国产28nm工艺浸没式光刻机。
这个成果标志着国产光刻机工艺从以前的90nm一举突破到28nm，有了阶段性的飞跃。
差距还很远，但我们已经迎头追赶。
同样，我们在这个行业也准备弯道超车，我国光电所微细加工光学技术国家重点实验室研制出来的SP光刻机是世界上第一台单次成像达到 22纳米的光刻机，结合多重曝光技术，可以用于制备10纳米以下的信息器件。
这不仅是世界上光学光刻的一次重大变革，同时也意味着在光刻领域，我们找到了一条更为便捷的生产工艺，研发成本和周期进一步降低，其意义在于有可能抢到工业4.0的第一赛道。
虽然面对未来，我们还有更长的路要走，但毕竟我们是看到了曙光。
正如70年前，西方封锁核技术，但我们的原子d还是在罗布泊炸响。
十年前，封锁高铁、盾构机技术，但我们现在的高铁和地铁却世界一流！制出一流芯片，还会远吗？
我们青年对于国内芯片及光刻产业最大的支持，就是该学习的好好学习，将来投身于国家的芯片产业，发挥作用；
该工作的努力工作，为国家做贡献，只要不被国外的智库干扰了发展思路，不给国家添乱，我们就成功了。
为什么这一次遇到发达国家的打压，我们觉醒了，选择不再忍了？其实一切都是经济说了算。
因为2020年，除去疫情影响，我国的GDP是101.6万亿，人均GDP连续两年超1万美元。
是2000年的十倍。
占到美国经济发展总量的70%还多，手里更是握十万亿左右的外汇，甚至比美国人自己手里的现金都多，殷厚的家底才是我们反击的底气。
我们并不是觉醒，其实一直都睁着眼睛，看着敌视我们的国家在表演。
随着绿色低碳战略的不断推进,提升能源利用效率和能源转换效率已经成为各行各业的共识,如何利用现代化新技术建成可循环的高效、高可靠性的能源网络,无疑是当前各国重点关注的问题。
值此背景下,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体成为市场聚焦的新赛道。根据Yole预测数据, 2025年全球以半绝缘型衬底制备的GaN器件市场规模将达到20亿美元,2019-2025年复合年均增长率高达12%! 其中,军工和通信基站设备是GaN器件主要的应用市场,2025年市场规模分别为11.1亿美元和7.31亿美元
全球以导电型碳化硅衬底制备的SiC器件市场规模到2025年将达到25.62亿美元,2019- 2025年复合年均增长率高达30%! 其中,新能源汽车和光伏及储能是SiC器件主要的应用市场, 2025年市场规模分别为15.53亿美元和3.14亿美元。
本文中,我们将针对第三代半导体产业多个方面的话题,与国内外该领域知名半导体厂商进行探讨解析。
20世纪50年代以来,以硅(Si)、锗(Ge)为代的第一代半导体材料的出现,取代了笨重的电子管,让以集成电路为核心的微电子工业的发展和整个IT产业的飞跃。人们最常用的CPU、GPU等产品,都离不开第一代半导体材料的功劳。可以说是由第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。
然而由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低等原因,硅材料在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制。因此,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料开始崭露头角,使半导体材料的应用进入光电子领域,尤其是在红外激光器和高亮度的红光二极管方面。与此同时,4G通信设备因为市场需求增量暴涨,也意味着第二代半导体材料为信息产业打下了坚实基础。
在第二代半导体材料的基础上,人们希望半导体元器件具备耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能更强、工作速度更快、工作损耗更低特性,第三代半导体材料也正是基于这些特性而诞生。
笔者注意到,对于第三代半导体产业各家半导体大厂的看法也重点集中在 “高效”、“降耗”、“突破极限” 等核心关键词上。
安森美中国汽车OEM技术负责人吴桐博士 告诉笔者: “第三代半导体优异的材料特性可以突破硅基器件的应用极限,同时带来更好的性能,这也是未来功率半导体最主流的方向。” 他表示随着第三代半导体技术的普及,传统成熟的行业设计都会有突破点和优化的空间。
英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区应用市场总监程文涛 则从能源角度谈到,到2025年,全球可再生能源发电量有望超过燃煤发电量,将推动第三代半导体器件的用量迅速增长。 在用电端,由于数据中心、5G通信等场景用电量巨大,节电降耗的重要性凸显,也将成为率先采用第三代半导体器件做大功率转换的应用领域。
第三代半导体材料区别于前两代半导体材料最大的区别就在于带隙的不同。 第一代半导体材料属于间接带隙,窄带隙第二代半导体材料属于直接带隙,同样也是窄带隙二第三代半导体材料则是全组分直接带隙,宽禁带。
和前两代半导体材料相比,更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。
随着碳化硅、氮化镓等具有宽禁带特性(Eg>2.3eV)的新兴半导体材料相继出现,世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。具体来看:
与硅相比, 碳化硅拥有更为优越的电气特性 :
1.耐高压 :击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地 提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗
2.耐高温 :半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化
3.高频性能 :碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。
氮化镓则具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。 尤其是在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事 或者民用领域氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。
半导体行业有个说法: “一代材料,一代技术,一代产业” ,在第三代半导体产业规模化出现之前,也还存在着不少亟待解决的技术难题。
第三代半导体全产业链十分复杂,包括衬底→外延→设计→制造→封装。 其中,衬底是所有半导体芯片的底层材料,起到物理支撑、导热、导电等作用外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层,这些外延层是制造半导体芯片的重要原料,影响器件的基本性能设计包括器件设计和集成电路设计,其中器件设计包括半导体器件的结构、材料,与外延相关性很大制造需要通过光刻、薄膜沉积、刻蚀等复杂工艺流程在外延片上制作出设计好的器件结构和电路封装是指将制造好的晶圆切割成裸芯片。
前两个环节衬底和外延生长正是第三代半导体生产工艺及其难点所在。我们重点挑选碳化硅、氮化镓两种典型的第三代半导体材料来看,它们的生产制备到底还面临哪些问题。
从碳化硅来看,还需要“降低衬底生长缺陷,以及提高工艺效率” 。首先碳化硅单晶制备目前最常用的是物理气相输运法(PVT)或籽晶的升华法,而碳化硅单晶在形成最终的短圆柱状之前,还需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺才能成为衬底材料。
这一机械、化学制造过程存在着加工困难、制造效率低、制造成本高等问题。此外,如果再加上考虑单晶加工的效率和成本问题,那还能够保障晶片具备良好的几何形貌,如总厚度变化、翘曲度、变形,而且晶片表面质量(粗糙度、划伤等)是否过关等,这都是碳化硅衬底制备中的巨大挑战。
此外,碳化硅材料是目前仅次于金刚石硬度的材料,材料的机械加工主要以金刚石磨料为基础切割线、切割刀具、磨削砂轮等工具。这些工具的制备难度大,使用寿命短,加工成本高,为了延长工具寿命、提高加工质量,往往会采用微量或极低速进给量,这就牺牲了碳化硅材料制备的整体生产效率。
对于氮化镓来说,则更看重“衬底与外延材料需匹配”的难题 。由于氮化镓在高温生长时“氮”的离解压很高,很难得到大尺寸的氮化镓单晶材料,当前大多数商业器件是基于异质外延的,比如蓝宝石、AlN、SiC和Si材料衬底来替代氮化镓器件的衬底。
但问题是这些异质衬底材料和氮化镓之间的晶格失配和热失配非常大,晶格常数差异会导致氮化镓衬底和外延层界面处的高密度位错缺陷,严重的话还会导致位错穿透影响外延层的晶体质量。这也就是为什么氮化镓更看重衬底与外延材料需匹配的难点。
在落地到利用第三代半导体材料去解决具体问题时,程文涛告诉OFweek维科网·电子工程, 英飞凌的碳化硅器件所采用的沟槽式结构解决了大多数功率开关器件的可靠性问题。
比如现在大多数功率开关器件产品采用的是平面结构,难以在开关的效率上和长期可靠性上得到平衡。采用平面结构,如果要让器件的效率提高,给它加点电,就能导通得非常彻底,那么它的门级就需要做得非常薄,这个很薄的门级结构,在长期运行的时候,或者在大批量运用的时候,就容易产生可靠性的问题。
如果要把它的门级做的相对比较厚,就没办法充分利用沟道的导通性能。而采用沟槽式的做法就能够很好地解决这两个问题。
吴桐博士则从产业化的角度提出, 第三代半导体技术的难点在于有关设计技术和量产能力的协调,以及对长期可靠性的保障。尤其是量产的良率,更需要持续性的优化,降低成本,提升可靠性。
观察当前半导体市场可以发现,占据市场九成以上的份额的主流产品依然是硅基芯片。
但近些年来,“摩尔定律面临失效危机”的声音不绝于耳,随着芯片设计越来越先进,芯片制造工艺不断接近物理极限和工程极限,芯片性能提升也逐步放缓,且成本不断上升。
业界也因此不断发出质疑,未来芯片的发展极限到底在哪,一旦硅基芯片达到极限点,又该从哪个方向下手寻求芯片效能的提升呢?笔者通过采访发现,国内外厂商在面对这一问题时,虽然都表达出第三代半导体产业未来值得期待,但也齐齐提到在这背后还需要重点解决的成本问题。
“目前硅基半导体从架构上、从可靠性、从性能的提升等方面,基本上已经接近了物理极限。第三代半导体将接棒硅基半导体,持续降低导通损耗,在能源转换的领域作出贡献,” 程文涛也为笔者描述了当前市场上的一种现象:可能会存在一些定价接近硅基半导体的第三代半导体器件,但并不代表它的成本就接近硅基半导体。因为那是一种商业行为,就是通过低定价来催生这个市场。
以目前的工艺来讲,第三代半导体的成本还是远高于硅基半导体 ,程文涛表示:“至少在可见的将来,第三代半导体不会完全取代第一代半导体。因为从性价比的角度来说,在非常宽的应用范围中,硅基半导体目前依然是不二之选。第三代半导体目前在商业化上的瓶颈就是成本很高,虽然在迅速下降,但依然远高于硅基半导体。”
作为中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一,泰科天润同样也表示对第三代半导体产业发展的看好。
虽然碳化硅单价目前比硅高不少,但从系统整体的角度来看,可以节约电感电容以及散热片。如果是大功率电源系统整体角度看成本未必更高,同时还能更好地提升效率。 这也是为什么现阶段虽然单器件碳化硅比硅贵,依然不少领域客户已经批量使用了。
从器件的角度来看,碳化硅从四寸过度到六寸,未来往八寸甚至十二寸发展,碳化硅器件的成本也将大幅度下降。据泰科天润介绍,公司新的碳化硅六寸线于去年就已经实现批量出货,为客户提供更高性价比的产品,有些产品实现20-30%的降价幅度。除此之外,泰科天润耗时1年多成功开发了碳化硅减薄工艺,在Vf水平不变的情况下,可以缩小芯片面积,进一步为客户提供性价比更高的产品。
泰科天润还告诉笔者:“这两年随着国外友商的缺货或涨价,比如一些高压硅器件,这些领域已经出现碳化硅取代硅的现象。随着碳化硅晶圆6寸产线生产技术的成熟,8寸晶圆的发展,碳化硅器件有望与硅基器件达到相同的价格水平。”
吴桐博士认为, 目前来看在不同的细分市场,第三代半导体跟硅基器件是一个很好的互补,也是价钱vs性能的一个平衡。随着第三代半导体的成熟以及成本的降低,最终会慢慢取代硅基产品成为主流方案。
那么对于企业而言,该如何发挥第三代半导体的综合优势呢?吴桐博士表示,于安森美而言,首先是要垂直整合,保证稳定的供应链,可长期规划的产能布局以及达到客观的投资回报率其次是在技术研发上继续发力,比如Rsp等参数,相比行业水准,实现用更小的半导体面积实现相同功能,这样单个器件成本得以优化第三是持续地提升FE/BE良率,等效的降低成本第四是与行业大客户共同开发定义新产品,保证竞争力以及稳定的供需关系最后也是重要的一点,要帮助行业共同成长,蛋糕做大,产能做强,才能使得单价有进一步下降的空间。
第三代半导体产业究竟掀起了多大的风口?根据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》内容:2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元,预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度,到2022年市场规模将达到623.42亿元。
其中,第三代半导体衬底市场规模从7.86亿元增长至15.21亿元,年复合增速为24.61%,半导体器件市场规模从86.29亿元增长至608.21亿元,年复合增速为91.73%。
得益于第三代半导体材料的优良特性,它在 光电子、电力电子、通讯射频 等领域尤为适用。具体来看:
光电子器件 包括发光二极管、激光器、探测器、光子集成电路等,多用于5G通信领域,场景包括半导体照明、智能照明、光纤通信、光无线通信、激光显示、高密度存储、光复印打印、紫外预警等
电力电子器件 包括碳化硅器件、氮化镓器件,多用于新能源领域,场景包括消费电子、新能源汽车、工业、UPS、光伏逆变器等
微波射频器件 包括HEMT(高电子迁移率晶体管)、MMIC(单片微波集成电路)等,同样也是用在5G通信领域,不过场景则更加高端,包括通讯基站及终端、卫星通讯、军用雷达等。
现阶段,欧美日韩等国第三代半导体企业已形成规模化优势,占据全球市场绝大多数市场份额。我国高度重视第三代半导体发展,在研发、产业化方面出台了一系列支持政策。国家科技部、工信部等先后开展了“战略性第三代半导体材料项目部署”等十余个专项,大力支持第三代半导体技术和产业发展。
早在2014年,工信部发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》提出设立国家产业投资基金,重点支持集成电路等产业发展,促进工业转型升级,同时鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入集成电路领域在去年全国人大发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中,进一步强调培育先进制造业集群,推动集成电路、航空航天等产业创新发展。瞄准人工智能、量子信息、集成电路等前沿领域,实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。
具体来看当前主要应用领域的发展情况:
1.新能源汽车
新能源汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场,全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展,对功率半导体器件需求量日益增加,成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性,在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分,碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品, 由于成本的原因,目前使用比例还相对较低,但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势,通过降低冷却等系统的整体成本找到了市场。
2.光伏
光伏逆变器曾普遍采用硅器件,经过40多年的发展,转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点,将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如,在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里,碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。
3.轨道交通
未来轨道交通对电力电子装置,比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率,有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前,受限于碳化硅功率器件的电流容量,碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升,全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。
4.智能电网
目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。
第三代半导体自从在2021年被列入十四五规划后,相关概念持续升温,迅速成为超级风口,投资热度高居不下。
时常会听到业内说法称,第三代半导体国内外都是同一起跑线出发,目前大家差距相对不大,整个产业发展仍处于爆发前的“抢跑”阶段,对国内而言第三代半导体材料更是有望成为半导体产业的“突围先锋”,但事实真的是这样吗?
从起步时间来看,欧日美厂商率先积累专利布局,比如 英飞凌一直走在碳化硅技术的最前沿,从30年前(1992年)开始包含碳化硅二极管在内的功率半导体的研发,在2001年发布了世界上第一款商业化碳化硅功率二极管 ,此后至今英飞凌不断推出了各种性能优异的碳化硅功率器件。除了产品本身,英飞凌在2018年收购了Siltectra,致力于通过冷切割技术优化工艺流程,大幅提高对碳化硅原材料的利用率,有效降低碳化硅的成本。
安森美也是第三代半导体产业布局中的佼佼者,据笔者了解, 安森美通过收购上游碳化硅供应企业GTAT实现了产业链的垂直整合,确保产能和质量的稳定。同时借助安森美多年的技术积累以及几年前收购Fairchild半导体基因带来的技术补充,安森美的碳化硅技术已经进入第三代,综合性能在业界处于领先地位 。目前已成为世界上少数提供从衬底到模块的端到端碳化硅方案供应商,包括碳化硅球生长、衬底、外延、器件制造、同类最佳的集成模块和分立封装方案。
具体到技术上, 北京大学教授、宽禁带半导体研究中心主任沈波 也曾提出,国内第三代半导体和国际上差距比较大,其中很重要的领域之一是碳化硅功率电子芯片。这一块国际上已经完成了多次迭代,虽然8英寸技术还没投入量产,但是6英寸已经是主流技术,二极管已经发展到了第五代,三极管也发展到了第三代,IGBT也已进入产业导入前期。
另外车规级的碳化硅MOSFET模块在意法半导体率先通过以后,包括罗姆、英飞凌、科锐等国际巨头也已通过认证,国际上车规级的碳化硅芯片正逐渐走向规模化生产和应用。反观国内,目前真正量产的主要还是碳化硅二极管,工业级MOSFET模块估计到明年才能实现规模量产,车规级碳化硅模块要等待更长时间才能量产。
泰科天润也直言,国内该领域仍处于后发追赶阶段:器件方面,从二极管的角度, 国产碳化硅二极管基本上水平和国外差距不大,但是碳化硅MOSFET国内外差距还是有至少1-2代的差距 可靠性方面,国外碳化硅产品市场应用推广较早,积累了更加丰富的应用经验,对产品可靠性的认知,定义以及关联解决可靠性的方式都走得更前一些,国内厂家也在推广市场的过程中逐步积累相关经验产业链方面,国外厂家针对碳化硅的材料优势,相关匹配的产业链都做了对应的优化设计,使之能更加契合的体现碳化硅的材料优势。
OFweek维科网·电子工获悉,泰科天润在湖南新建的碳化硅6寸晶圆产线,第一期60000片/六寸片/年。此产线已经于去年实现批量出货,2022年始至4月底已经接到上亿元销售订单。 作为国内最早从事碳化硅芯片生产研发的公司,泰科天润积累了10余年的生产经验,针对特定领域可以结合自身的研发,生产和工艺一体化,快速为客户开发痛点新品 ,例如公司全球首创的史上最小650V1A SOD123,专门针对解决自举驱动电路已经替换高压小电流Si FRD解决反向恢复的痛点问题而设计。
虽然说IDM方面,我国在碳化硅器件设计方面有所欠缺,少有厂商涉及于此,但后发追赶者也不在少数。
就拿碳化硅产业来看,单晶衬底方面国内已经开发出了6英寸导电性碳化硅衬底和高纯半绝缘碳化硅衬底。 山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能 均已完成6英寸衬底的研发,中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。
此外,在模块、器件制造环节我国也涌现了大批优秀的企业,包括 三安集成、海威华芯、泰科天润、中车时代、世纪金光、芯光润泽、深圳基本、国扬电子、士兰微、扬杰科技、瞻芯电子、天津中环、江苏华功、大连芯冠、聚力成半导体 等等。
OFweek维科网·电子工程认为,随着我国对新型基础建设的布局展开和“双碳”目标的提出,碳化硅和氮化稼等第三代半导体的作用也愈发凸显。
上有国家支持政策,下有新能源汽车、5G通信等旺盛市场需求, 我国第三代半导体产业也开始由“导入期”向“成长期”过渡,初步形成从材料、器件到应用的全产业链。但美中不足在于整体技术水平还落后世界顶尖水平好几年,因此在材料、晶圆、封装及应用等环节的核心关键技术和可靠性、一致性等工程化应用问题上还需进一步完善优化。
当前,全球正处于新一轮科技和产业革命的关键期,第三代半导体产业作为新一代电子信息技术中的重点组成部分,为能源革命带来了深刻的改变。
在此背景下,OFweek维科网·电子工程作为深耕电子产业领域的资深媒体,对全球电子产业高度关注,紧跟产业发展步伐。为了更好地促进电子工程师之间技术交流,推动国内电子行业技术升级,我们继续联袂数十家电子行业企业技术专家,推出面向电子工程师技术人员的专场在线会议 「OFweek 2022 (第二期)工程师系列在线大会」 。
本期在线会议将于6月22日在OFweek官方直播平台举办,将邀请国内外知名电子企业技术专家,聚焦半导体领域展开技术交流,为各位观众带来技术讲解、案例分享和方案展示。
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