1、产生方式不同：
（1）、MOM 电容：MOM也就是finger 电容，即利用同层metal边沿之间的C，为了省面积，可以多层metal叠加。
（2）、MIM电容：MIM是利用上下两层metal之间的C，即极板电容，下极板为Mn，上极板为Mn+1，因为普通的Mn和Mn+1在三维空间隔着氧化层离得比较远，所以C并不大。
MIM会引入一层光罩（MCT之类），这一层做在Mn上面，Mn+1下面，用Vian与Mn+1相连，所以实际上是Mn与MCt之间的C，极板间距缩小，C变大。
2、Q值不同：
MOM 电容比MIM电容的Q值大。
3、形成不同：
（1）、MOM是使用用来连线的metal自然形成的，可以多层stack插指形成。
（2）、MIM一般用两层位于TOP metal和Mn-1之间的薄铝或者用一层薄铝和Mn-1形成电容。
4、cap不同：
（1）、MOM是fringe cap为主。
（2）、MIM是平板cap为主。
扩展资料：
电容器的作用：
（1）、耦合：用在耦合电路中的电容称为耦合电容，在阻容耦合放大器和其他电容耦合电路中大量使用这种电容电路，起隔直流通交流作用。
（2）、滤波：用在滤波电路中的电容器称为滤波电容，在电源滤波和各种滤波器电路中使用这种电容电路，滤波电容将一定频段内的信号从总信号中去除。
（3）、退耦：用在退耦电路中的电容器称为退耦电容，在多级放大器的直流电压供给电路中使用这种电容电路，退耦电容消除每级放大器之间的有害低频交连。
（4）、高频消振：用在高频消振电路中的电容称为高频消振电容，在音频负反馈放大器中，为了消振可能出现的高频自激，采用这种电容电路，以消除放大器可能出现的高频啸叫。
（5）、谐振：用在LC谐振电路中的电容器称为谐振电容，LC并联和串联谐振电路中都需这种电容电路。
（6）、旁路：用在旁路电路中的电容器称为旁路电容，电路中如果需要从信号中去掉某一频段的信号，可以使用旁路电容电路，根据所去掉信号频率不同，有全频域（所有交流信号）旁路电容电路和高频旁路电容电路。
（7）、中和：用在中和电路中的电容器称为中和电容，在收音机高频和中频放大器，电视机高频放大器中，采用这种中和电容电路，以消除自激。
（8）、定时：用在定时电路中的电容器称为定时电容，在需要通过电容充电、放电进行时间控制的电路中使用定时电容电路，电容起控制时间常数大小的作用。
（9）、积分：用在积分电路中的电容器称为积分电容，在电势场扫描的同步分离电路中，采用这种积分电容电路，可以从场复合同步信号中取出场同步信号。
（10）、微分：用在微分电路中的电容器称为微分电容，在触发器电路中为了得到尖顶触发信号，采用这种微分电容电路，以从各类（主要是矩形脉冲）信号中得到尖顶脉冲触发信号。
（11）、补偿：用在补偿电路中的电容器称为补偿电容，在卡座的低音补偿电路中，使用这种低频补偿电容电路，以提升放音信号中的低频信号，此外，还有高频补偿电容电路。
（12）、自举：用在自举电路中的电容器称为自举电容，常用的OTL功率放大器输出级电路采用这种自举电容电路，以通过正反馈的方式少量提升信号的正半周幅度。
（13）、分频：在分频电路中的电容器称为分频电容，在音箱的扬声器分频电路中，使用分频电容电路，以使高频扬声器工作在高频段，中频扬声器工作在中频段，低频扬声器工作在低频段。
（14、）负载电容：是指与石英晶体谐振器一起决定负载谐振频率的有效外界电容，负载电容常用的标准值有16pF、20pF、30pF、50pF和100pF。
负载电容可以根据具体情况作适当的调整，通过调整一般可以将谐振器的工作频率调到标称值。
参考资料来源：
百度百科-电容器
CH11． 按规模划分，集成电路的发展已经经历了哪几代？它的发展遵循了一条业界著名的定律，请说出是什么定律？
晶体管-分立元件-SSI-MSI-LSI-VLSI-ULSI-GSI-SOC。MOORE定律
2． 什么是无生产线集成电路设计？列出无生产线集成电路设计的特点和环境。
拥有设计人才和技术，但不拥有生产线。特点：电路设计，工艺制造，封装分立运行。环境：IC产业生产能力剩余，人们需要更多的功能芯片设计
3． 多项目晶圆（MPW）技术的特点是什么？对发展集成电路设计有什么意义？
MPW：把几到几十种工艺上兼容的芯片拼装到一个宏芯片上，然后以步行的方式排列到一到多个晶圆上。意义：降低成本。
4． 集成电路设计需要哪四个方面的知识？
系统，电路，工具，工艺方面的知识
CH2
1． 为什么硅材料在集成电路技术中起着举足轻重的作用?
原材料来源丰富，技术成熟，硅基产品价格低廉
2．GaAs和InP材料各有哪些特点?P10,11
3．怎样的条件下金属与半导体形成欧姆接触？怎样的条件下金属与半导体形成肖特基接触？
接触区半导体重掺杂可实现欧姆接触，金属与掺杂半导体接触形成肖特基接触
4．说出多晶硅在CMOS工艺中的作用。P13
5．列出你知道的异质半导体材料系统。
GaAs/AlGaAs, InP/ InGaAs, Si/SiGe,
6．SOI材料是怎样形成的，有什么特点?
SOI绝缘体上硅，可以通过氧隔离或者晶片粘结技术完成。特点：电极与衬底之间寄生电容大大减少，器件速度更快，功率更低
7. 肖特基接触和欧姆型接触各有什么特点？
肖特基接触：阻挡层具有类似PN结的伏安特性。欧姆型接触：载流子可以容易地利用量子遂穿效应相应自由传输。
8. 简述双极型晶体管和MOS晶体管的工作原理。P19,21
CH3
1． 写出晶体外延的意义，列出三种外延生长方法，并比较各自的优缺点。
意义：用同质材料形成具有不同掺杂种类及浓度而具有不同性能的晶体层。外延方法:液态生长，气相外延生长，金属有机物气相外延生长
2．写出掩膜在IC制造过程中的作用，比较整版掩膜和单片掩膜的区别，列举三种掩膜的制造方法。P28,29
3．写出光刻的作用，光刻有哪两种曝光方式？作用：把掩膜上的图形转换成晶圆上的器件结构。曝光方式有接触与非接触两种。
4．X射线制版和直接电子束直写技术替代光刻技术有什么优缺点？
X 射线（X-ray）具有比可见光短得多的波长，可用来制作更高分辨率的掩膜版。电子束扫描法，，由于高速电子的波长很短，分辨率很高
5． 说出半导体工艺中掺杂的作用，举出两种掺杂方法，并比较其优缺点。
热扩散掺杂和离子注入法。与热扩散相比，离子注入法的优点如下：1.掺杂的过程可通过调整杂质剂量与能量来精确控制杂质分布。2.可进行小剂量的掺杂。3.可进行极小深度的掺杂。4.较低的工业温度，故光刻胶可用作掩膜。5.可供掺杂的离子种类较多，离子注入法也可用于制作隔离岛。缺点：价格昂贵，大剂量注入时，半导体晶格会遭到严重破坏且难以恢复
6．列出干法和湿法氧化法形成SiO2的化学反应式。
干氧湿氧
CH4
1．Si工艺和GaAs工艺都有哪些晶体管结构和电路形式？见表4.1
2．比较CMOS工艺和GaAs工艺的特点。
CMOS工艺技术成熟，功耗低。GaAs工艺技术不成熟，工作频率高。
3. 什么是MOS工艺的特征尺寸？
工艺可以实现的平面结构的最小宽度，通常指最小栅长。
4. 为什么硅栅工艺取代铝栅工艺成为CMOS工艺的主流技术？
铝栅工艺缺点是，制造源漏极与制造栅极需要两次掩膜步骤（MASK STEP），不容易对齐。硅栅工艺的优点是：自对准的，它无需重叠设计，减小了电容，提高了速度，增加了电路的稳定性。
5. 为什么在栅长相同的情况下NMOS管速度要高于PMOS管？
因为电子的迁移率大于空穴的迁移率
6．简述CMOS工艺的基本工艺流程。P.52
7．常规N-Well CMOS工艺需要哪几层掩膜？每层掩膜分别有什么作用？P50表4.3
CH5
1． 说出MOSFET的基本结构。
MOSFET由两个PN结和一个MOS电容组成。
2． 写出MOSFET的基本电流方程。
3． MOSFET的饱和电流取决于哪些参数？
饱和电流取决于栅极宽度W，栅极长度L，栅-源之间压降，阈值电压，氧化层厚度，氧化层介电常数
4． 为什么说MOSFET是平方率器件？
因为MOSFET的饱和电流具有平方特性
5． 什么是MOSFET的阈值电压？它受哪些因素影响？
阈值电压就是将栅极下面的Si表面从P型Si变成N型Si所必要的电压。影响它的因素有4个：材料的功函数之差，SiO2层中可以移动的正离子的影响，氧化层中固定电荷的影响，界面势阱的影响
6． 什么是MOS器件的体效应？
由于衬底与源端未连接在一起，而引起的阈值电压的变化叫做体效应。
7． 说明L、W对MOSFET的速度、功耗、驱动能力的影响。
P70，71
8． MOSFET按比例收缩后对器件特性有什么影响?
不变，器件占用面积减少，提高电路集成度，减少功耗
9． MOSFET存在哪些二阶效应？分别是由什么原因引起的？
P.70-73沟道长度调制效应，体效应，亚阈值效应
10．说明MOSFET噪声的来源、成因及减小的方法。
噪声来源：热噪声和闪烁噪声。热噪声是由沟道内载流子的无规则热运动造成的，可通过增加MOS管的栅宽和偏置电流减少热噪声。闪烁噪声是由沟道处二氧化硅与硅界面上电子的充放电引起的，增加栅长栅宽可降低闪烁噪声。
CH6
1．芯片电容有几种实现结构？
① 利用二极管和三极管的结电容；
② 叉指金属结构；
③ 金属-绝缘体-金属（MIM）结构；
④ 多晶硅/金属-绝缘体-多晶硅结构。
2．采用半导体材料实现电阻要注意哪些问题？
精度、温度系数、寄生参数、尺寸、承受功耗以及匹配等方面问题
3．画出电阻的高频等效电路。
4．芯片电感有几种实现结构？
(1)集总电感
集总电感可以有下列两种形式:
1 匝线圈
2 圆形、方形或其他螺旋形多匝线圈
(2)传输线电感
5．微波集成电路设计中，场效应晶体管的栅极常常通过一段传输线接偏置电压。试解释其作用。
阻抗匹配
6．微带线传播TEM波的条件是什么？
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