沟槽金属氧化物半导体场效应晶体管（Trench MOSFET）的工作原理是什么？

工作原理是：当栅极和源极间加正向电压时，在P-和栅极相邻的区域，形成垂直的沟道，电流从漏极流向源极时，同样的，电流垂直流过芯片内部。其结构特点为栅极的宽度远小于垂直导电的平面结构，具有更小的单元的尺寸和导通电阻。

貌似是电路电子的专业英语,我不学这个专业的,也只能在网上搜到这些了,你看看吧~

N-channel ：N沟道

TrenchMOS :深槽MOS （半导体转换器）

FET(field effect transistor) :场效应晶体管

备注：

MOSFET

（Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor）

金属氧化半导体场效应管

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

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