集成电路设计中的fib测试是什么意思

FIB电路修改则是利用FIB对芯片电路进行物理修改，可使芯片设计者对芯片问题处作针对性的测试，以便更快更准确的验证设计方案。 若芯片部份区域有问题，可通过FIB对此区域隔离或改正此区域功能，以便找到问题的症结。FIB还能在最终产品量产之前提供部分样片和工程片，利用这些样片能加速终端产品的上市时间。利用FIB修改芯片可以减少不成功的设计方案修改次数，缩短研发时间和周期。

FIB 是英文 Focused Ion Beam的缩写，依字面翻译为聚焦离子束。简单的说就是将Ga(镓)元素离子化成Ga+， 然后利用电场加速，再利用静电透镜(electrostatic)聚焦，将高能量(高速)的Ga+打到指定的点。基本原理与SEM类似，仅是所使用的粒子不同( e- vs. Ga +)，透镜型式(磁透镜 vs. 静电透镜)位置不同。

FIB(聚焦离子束，Focused Ion beam)是将液态金属(Ga)离子源产生的离子束经过离子q加速,聚焦后照射于样品表面产生二次电子信号取得电子像.此功能与SEM（扫描电子显微镜）相似,或用强电流离子束对表面原子进行剥离,以完成微、纳米级表面形貌加工.通常是以物理溅射的方式搭配化学气体反应，有选择性的剥除金属,氧化硅层或沉积金属层。高性能聚焦离子束系统(简称FIB)具有许多独特且重要的功能,已广泛的应用于半导体工业上[1-6],其特性在于能将以往在半导体设计、制造、检测及故障分析上许多困难、耗时或根本无法达成之问题一一解决。例如精密定点切面、晶粒大小分布检测、微线路分析及修理等

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