cmos集成工艺为什么能将陷阱注入放到sti工艺之后

CMOS 集成电路的基础工艺之一就是双阱工艺，它包括两个区域，即n-MOS和p-MOS 有源区，分别对应p阱和N阱，在进行阱注入时，产业内的主流技术多数采用倒掺杂技术来调节晶体管的电学特性，即首先采用高能量、大剂量的离子注入，注入的深度约为 1um，注入区域与阱相同，随后通过大幅降低注入能量及剂量，控制注入深度和掺杂剖面。阱的注入掺杂不仅可以调节晶体管的阈值电压，也可以解决CMOS 电路常见的一些问题，如闩锁效应和其他可靠性问题。

sot23-6 s47为元件码，后三位为内部码

600KHZ 18V 2.0A 同步降压转换器

型号为STI3470.

sot23-5 s10为元件码，后三位为内部码

1.5MHZ 1.2A 同步降压转换器。

型号为STI3408

以上两款都是杭州尚途半导体出的电源芯片。

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