P型半导体和N型半导体是怎么得来的

先介绍本真半导体

本真半导体就是纯净的硅或者锗形成的半导体，但是这类半导体没多大用，因为其载流子浓度低，导电能力很差（其导电能力其实是由电子-空穴对表现出来的，电子离开原来的位置后，原来的位置就成为了空穴），于是人们就想出了参杂。

如果往硅里面参杂3价元素硼，那么可以得到P型半导体，这是为什么呢？

记住参杂的是原子，整块材料是电中性的。当参杂磷原子进去时，磷是元素周期表中15号元素，外围5个电子，而硅外围4个电子，但是磷只能和硅形成4个共价键。这就导致了还剩一个磷的电子落单，它很不稳定，动不动就离家出走，留下空穴。每参杂一个磷原子，便会有一个单身磷电子（对，就是这么可怜），所以整块材料中电子成为多数，空穴成为少数（空穴只在电子离家出走的时候形成），电子为多数载流子就叫N（negetive)型半导体.

反之，你可以类比P（positive )型半导体.

对于未掺杂的本征半导体，导带中的电子是由它下面的一个能带（即价带）中的电子（价电子）跃迁上来而形成的，这种产生电子（同时也产生空穴——半导体的另外一种载流子）的过程

，称为本征激发。在本征激发过程中，电子和空穴是成对产生的，则总是有“电子浓度=空穴浓度”。这实际上就是本征半导体的特征，因此可以说，凡是两种载流子浓度相等的半导体，就是本征半导体。这就意味着，不仅未掺杂的半导体是本征半导体，就是掺杂的半导体，在一定条件下（例如高温下）也可以转变为本征半导体。

价带的能量低于导带，它也是由许多准连续的能级组成的。但是价带中的许多电子（价电子）并不能导电，而少量的价电子空位——空穴才能导电，故称空穴是载流子。空穴的最低能量——势能，也就是价带顶，通常空穴就处于价带顶附近。

价带顶与导带底之间的能量差，就是所谓半导体的禁带宽度。这就是产生本征激发所需要的最小平均能量。这是半导体最重要的一个特征参量。

可以。

申报人须符合下列条件之一：

（1）博士研究生毕业；

（2）硕士研究生毕业后，从事所申报专业工作满3年；

（3）本科毕业后，从事所申报专业工作满5年；

（4）专科毕业后，从事所申报专业工作满7年；

（5）专科及以上学历毕业后，取得助师级专业技术（职务任职）资格满4年；

（6）1982年底前取得中专学历，并从事所申报专业工作满15年。

扩展资料：

1、按规定审批程序，对工艺文件、工装图纸有更改权，对制订的工艺文件有解释权，对不符合图纸要求的工艺作业有纠正权。

2、对各车间执行工艺的情况有检查、监督权，对违反工艺纪律的行为有制止和处罚权。

3、有权向有关部门索取产品质量和原材料消耗的资料。

4、有权召开全公司性工艺技术人员的专业会议，进行技术交流，组织技术攻关，对各车间的技术业务工作进行布置和指导。

5、工艺部部长对全公司工艺技术人员的奖惩、晋升、晋级有建议权。

参考资料来源：百度百科-工艺工程师

参考资料来源：百度百科-中级工程师

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