如何调节半导体催化剂的费米能级和逸出功?

调节半导体催化剂的费米能级和逸出功可以通过改变半导体催化剂的化学组成来实现，例如改变半导体催化剂中的金属元素或不同的元素的组成比例，可以改变半导体催化剂的费米能级和逸出功，从而调节其反应过程。根据查询相关公开信息显示，它还可以通过改变半导体催化剂的晶体结构、表面形貌和表面活性剂的掺杂等方式调整其费米能级和逸出功。

半导体的逸出功大小顺序是电子从逸出功小的材料移向逸出功大的材料。根据查询相关公开信息显示，半导体的逸出功比金属的小，故当金属与半导体接触时，电子就从半导体流入金属，在半导体表面层内形成一个由带正电不可移动的杂质，电子从逸出功小的材料移向逸出功大的材料，即从金属移向半导体。

功函数在固体物理中被定义为：把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。

功函数（又称功函、逸出功，英语：Work function）是指要使一粒电子立即从固体表面中逸出，所必须提供的最小能量（通常以电子伏特为单位）。这里“立即”一词表示最终电子位置从原子尺度上远离表面但从宏观尺度上依然靠近固体。功函数不是材料体相的本征性质，更准确的说法应为材料表面的性质（比如表面暴露晶面情况和受污染程度）功函数是金属的重要属性。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。

扩展资料：

热功函

功函数在热发射理论中也同等重要。这里电子从热而非光子中获得能量。在这种情况下，即电子从加热的充满负电的真空管灯丝逃逸的情况下，功函数可被称作热功函。钨是真空管中常见的金属元素，它的功函数大约是4.5eV。

热发射要求有灯丝加热电流(if)，来保持2000-2700K的温度。一旦达到灯丝电流的饱和态，则灯丝电流的大小改变不再影响电子束电流。 电子q被提供一个非常靠近克服功函数(W)所需势的灯丝电流(Goldstein, 2003)。热功函取决于晶体取向而且趋向于对开放晶格的金属更小，对于原子紧密堆积的金属更大。范围大概是1.5–6 eV。某种程度上稠密晶面比开放晶格金属更高。

参考资料来源：百度百科-功函数

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