ek09008是三极管，是一种控制电流的半导体器件。其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关。三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结。

基本的原理是这样，光能够激发半导体中的电子，将电子从价带激发到导带生成光生电子，而价带中产生对应的光生空穴，电子和空穴分别扩散到半导体表面，在表面与不同的反应对象进行反应。光生电子具有还原性，空穴具有氧化性，这两种应能可以分别应用在不同的领

半导体的逸出功大小顺序是电子从逸出功小的材料移向逸出功大的材料。根据查询相关公开信息显示，半导体的逸出功比金属的小，故当金属与半导体接触时，电子就从半导体流入金属，在半导体表面层内形成一个由带正电不可移动的杂质，电子从逸出功小的材料移向逸出

电子克服原子核的束缚，从材料表面逸出所需的最小能量,称为逸出功。电子从金属中逸出，需要能量．增加电子能量有多种方法，如用光照、利用光电效应使电子逸出，或用加热的方法使金属中的电子热运动加剧，也能使电子逸出．本实验用加热金属，使热电子发射的方

四探针技术——测量电阻率ρ=1σ和载流子浓度。三探针技术——测量击穿电压，并得到电阻率。Hall效应技术——测量Hall系数R，并得到迁移率（μ=Rσ）。MOS电容-电压技术——测量MOS中的界面态和电荷等。光电导衰退技术——测量少数载流

半导体的逸出功大小顺序是电子从逸出功小的材料移向逸出功大的材料。根据查询相关公开信息显示，半导体的逸出功比金属的小，故当金属与半导体接触时，电子就从半导体流入金属，在半导体表面层内形成一个由带正电不可移动的杂质，电子从逸出功小的材料移向逸出

红限波长求：产生光电效应，所需照射光的最低频率叫做红限频率（即截止频率）。红线波长由普朗克常数和逸出功决定，光速由真空磁导率和真空介电常数决定。光电效应里电子的射出方向不是完全定向的，只是大部分都垂直于金属表面射出，与光照方向无关。光是电

这个需要有一定的固体物理知识,其实也很好理解,你可以首先想象出一个空间直角坐标系.以硅举例,硅是由两个面心立方沿对角线方向也就是坐标(1,1,1)方向移动0.25对角线长度套构而成,所构成的复式格子,111方向只是一种观察方向而已,硅还可以

半导体的逸出功大小顺序是电子从逸出功小的材料移向逸出功大的材料。根据查询相关公开信息显示，半导体的逸出功比金属的小，故当金属与半导体接触时，电子就从半导体流入金属，在半导体表面层内形成一个由带正电不可移动的杂质，电子从逸出功小的材料移向逸出

半导体的逸出功大小顺序是电子从逸出功小的材料移向逸出功大的材料。根据查询相关公开信息显示，半导体的逸出功比金属的小，故当金属与半导体接触时，电子就从半导体流入金属，在半导体表面层内形成一个由带正电不可移动的杂质，电子从逸出功小的材料移向逸出

把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。功函数的单位:电子伏特,eV功函数(work funct

LG：logicDR: dramFL: flashMD: microdisplayCIS: cmos image sensorNROM: flash项目的一个代号EE: EEPROMHV: high voltageSOC: system o

半导体费米更加活跃。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体的费米能级比金属高，是因为半导体的费米更加活跃。通常导体材料中电子的费米波长为35nm，金属材料

光电效应是一个很重要而神奇的现象，简单来说，具体指在一定频率光子的照射下，某些物质内部的电子会被光子激发出来而形成电流，从能量转化的角度来看，这是一个光生电，光能转化为电能的过程。光电效应的公式：hv=ek+w。其中，hv是光频率为v的

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对于功率半导体器件，芯片焊接材料必须在这些器件工作的较高温度下能够保持可靠焊接，同时为工作中的器件提供一个高导热的散热路径。如果芯片粘接材料能够承受比高铅焊料更高的工作温度，这将意味着它在宽禁带半导体器件如SiC功率二极管和晶体管应用中会有

把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。功函数的单位:电子伏特,eV功函数(work funct

半导体费米更加活跃。半导体在集成电路、消费电子、通信系统、光伏发电、照明、大功率电源转换等领域都有应用，如二极管就是采用半导体制作的器件。半导体的费米能级比金属高，是因为半导体的费米更加活跃。通常导体材料中电子的费米波长为35nm，金属材料

氧硫化物半导体。氧硫化物半导体Y2Ti2O5S2在作为可见光诱导整体水裂解反应催化剂时具有可观的前景。半导体指常温下导电性能介于导体(conductor)与绝缘体(insulator)之间的材料。半导体在收音机、电视机以及测温上有着广泛的应