1、随机存储器
对于任意一个地址,以相同速度高速地、随机地读出和写入数据的存储器(写入速度和读出速度可以不同)。存储单元的内部结构一般是组成二维方矩阵形式,即一位一个地址的形式(如64k×1位)。但有时也有编排成便于多位输出的形式(如8k×8位)。
特点:这种存储器的特点是单元器件数量少,集成度高,应用最为广泛(见金属-氧化物-半导体动态随机存储器)。
2、只读存储器
用来存储长期固定的数据或信息,如各种函数表、字符和固定程序等。其单元只有一个二极管或三极管。一般规定,当器件接通时为“1”,断开时为“0”,反之亦可。若在设计只读存储器掩模版时,就将数据编写在掩模版图形中,光刻时便转移到硅芯片上。
特点:其优点是适合于大量生产。但是,整机在调试阶段,往往需要修改只读存储器的内容,比较费时、费事,很不灵活(见半导体只读存储器)。
3、串行存储器
它的单元排列成一维结构,犹如磁带。首尾部分的读取时间相隔很长,因为要按顺序通过整条磁带。半导体串行存储器中单元也是一维排列,数据按每列顺序读取,如移位寄存器和电荷耦合存储器等。
特点:砷化镓半导体存储器如1024位静态随机存储器的读取时间已达2毫秒,预计在超高速领域将有所发展。
扩展资料:
半导体存储器优点
1、存储单元阵列和主要外围逻辑电路制作在同一个硅芯片上,输出和输入电平可以做到同片外的电路兼容和匹配。这可使计算机的运算和控制与存储两大部分之间的接口大为简化。
2、数据的存入和读取速度比磁性存储器约快三个数量级,可大大提高计算机运算速度。
3、利用大容量半导体存储器使存储体的体积和成本大大缩小和下降。
参考资料来源:百度百科-半导体集成存储器
断电后仍能保存信息的存储器有很多种,比如闪存,磁盘,硬盘,移动硬盘,U盘,光盘,磁带,软盘,SD卡等。其中,闪存是最常用的,它可以在断电后保存数据,而且它的存取速度也很快,因此被广泛应用于电脑、手机等电子设备中。STM32F4是由ST(意法半导体)开发的一种高性能微控制器。其采用了90 纳米的NVM 工艺和ART(自适应实时存储器加速,Adaptive Real-Time MemoryAccelerator™)。
简介:
ST(意法半导体)推出了以基于ARM&regCortex™-M4为内核的STM32F4系列高性能微控制器,其采用了90 纳米的NVM 工艺和ART(自适应实时存储器加速,Adaptive Real-Time MemoryAccelerator™)。
ART技术使得程序零等待执行,提升了程序执行的效率,将Cortext-M4的性能发挥到了极致,
使得STM32 F4系列可达到210DMIPS@168MHz。
自适应实时加速能够完全释放Cortex-M4 内核的性能当CPU 工作于所有允许的频率(≤168MHz)时,在闪存中运行的程序,可以达到相当于零等待周期的性能。
STM32F4系列微控制器集成了单周期DSP指令和FPU(floating point unit,浮点单元),提升
了计算能力,可以进行一些复杂的计算和控制。
STM32 F4系列引脚和软件兼容于当前的STM32 F2系列产品。
优点
※兼容于STM32F2系列产品,便于ST的用户扩展或升级产品,而保持硬件的兼容能力。
※集成了新的DSP和FPU指令,168MHz的高速性能使得数字信号控制器应用和快速的产品开发达到了新的水平。提升控制算法的执行速度和代码效率。
※先进技术和工艺
- 存储器加速:自适应实时加速(ART Accelerator™ )
- 多重AHB总线矩阵和多通道DMA:支持程序执行和数据传输并行处理,数据传输速率非常快
- 90nm工艺
※高性能
- 210DMIPS@168MHz
- 由于采用了ST的ART加速,程序从FLASH运行相当于0等待更多的存储器
- 多达1MB FLASH (将来ST计划推出2MB FLASH的STM32F4)
- 192Kb SRAM:128KB 在总线矩阵上,64KB在专为CPU使用的数据总线上高级外设与STM32F2兼容
- USB OTG高速 480Mbit/s
- IEEE1588, 以太网 MAC 10/100
- PWM高速定时器:168MHz最大频率
- 加密/哈希硬件处理器:32位随机数发生器(RNG)
- 带有日历功能的32位RTC:<1 μA的实时时钟,1秒精度
※更多的提升
- 低电压:1.8V到3.6V VDD,在某些封装上,可降低至1.7V
- 全双工I2S
- 12位 ADC:0.41us转换/2.4Msps(7.2Msps在交替模式)
- 高速USART,可达10.5Mbits/s
- 高速SPI,可达37.5Mbits/s
- Camera接口,可达54M字节/s
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