解释半导体在光辐射下电导率发生变化的原因？

光电导效应，又称为光电效应、光敏效应，是光照变化引起半导体材料电导变化的现象。即光电导效应是光照射到某些物体上后，引起其电性能变化的一类光致电改变现象的总称。当光照射到半导体材料时，材料吸收光子的能量，使非传导态电子变为传导态电子，引起载流子浓度增大，因而导致材料电导率增大。在光线作用下，对于半导体材料吸收了入射光子能量， 若光子能量大于或等于半导体材料的禁带宽度， 就激发出电子-空穴对，使载流子浓度增加，半导体的导电性增加，阻值减低，这种现象称为光电导效应。光敏电阻就是基于这种效应的光电器件。

直接带隙半导体当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变（光子的动量很小，可以忽略）——满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带（即电子与空穴复合）时，也可以保持动量不变——直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合（不需要声子来接受或提供动量）。因此，直接带隙半导体中载流子的寿命必将很短；同时，这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出（因为没有声子参与，故也没有把能量交给晶体原子）——发光效率高（辐射光子）间接带隙半导体材料导带最小值（导带底）和满带最大值在k空间中不同位置。形成半满能带不只需要吸收能量，还要改变动量（需要吸收或发射一个声子），根据单电子理论，可知道其吸收系数没有本征的陡峻、剧烈。希望采纳！

我想问一下楼主，你是想要问光学上的自发和受激辐射（Spontaneous

and

Stimulated

Emission）么？

如果是，那470135251兄弟说的就不是你要的答案。他说的大意是有能量流入半导体，半导体才会发光。否则发出的光这部分能量哪来？

以下回答问题~如果你问的是Spontaneous

and

Stimulated

Emission的话~

是自发辐射。。

所有的半导体发出的光，包括激光的初始原因都是自发辐射。。只有产生了自发辐射之后，才可能引起受激辐射~

而在自发辐射产生光子后，这些光子所引起的受激辐射才会参与进来。。

并不是一开始就是受激辐射。而且之后哪一种辐射占大比例的话，还是要看不同条件的。

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