drv在半导体领域中是什么意思

英语缩略词“DRV”经常作为“Device driver (for hardware)”的缩写来使用，中文表示：“设备驱动程序（用于硬件）”。本文将详细介绍英语缩写词DRV所代表英文单词，其对应的中文拼音、详细解释以及在英语中的流行度。此外，还有关于缩略词DRV的分类、应用领域及相关应用示例等。

“DRV”（“设备驱动程序（用于硬件））释义

英文缩写词：DRV

英文单词：Device driver (for hardware)

缩写词中文简要解释：设备驱动程序（用于硬件）

中文拼音：shè bèi qū dòng chéng xù yòng yú yìng jiàn

缩写词流行度：4093

缩写词分类：Computing

缩写词领域：File Extensions

以上为Device driver (for hardware)英文缩略词DRV的中文解释，以及该英文缩写在英语的流行度、分类和应用领域方面的信息。

LCD驱动IC的原理液晶显示器讯号扫描方式为一次一列，并且逐列而下。Gate Driver IC连结至晶体管之Gate端，负责每一列晶体管的开关，扫描时一次打开一整列的晶体管。当晶体管打开(ON)时，Source Driver IC才能够逐行将控制亮度、灰阶、色彩的控制电压透过晶体管Source端、Drain端形成的通道进入Panel的画素中。因为Gate Driver IC负责每列晶体管的开关，所以又称为Row Driver或Scan Driver。当Gate Driver逐列动作时，Source Driver IC负责在每一列中将数据电压逐行输入，因此又称为Column Driver或Data Driver。

大尺寸LCD驱动IC的特点

第一，高电压工艺。模拟电路中电压越高，驱动能力越强，因此大尺寸LCD驱动IC采用高电压制造工艺，通常Source Driver IC为10~12V， Gate Driver IC更高，达40V。

第二，运行频率高。液晶显示器的分辨率越来越高，这就意味着扫描列数的增加， Gate Driver IC必须不断提高开关频率， Source Driver IC必须不断提高扫描频率。

第三，封装工艺特殊。LCD驱动IC通常绑定在LCD面板上，因此厚度必须尽可能地薄，通常采用高成本的TCP封装。还有特别追求薄的，采用COG封装，再有就是目前正在兴起的COF封装。

第四，管脚数特别多。Gate Driver IC最少256脚， Source Driver IC最少384脚。

第五，单一型号出货量特别大。驱动IC 单月平均出货量高达1.5亿片，而其中平均每个型号的出货量达差不多在300万片左右。

LCD 的构造是在两片平行的玻璃当中放置液态的晶体，两片玻璃中间有许多垂直和水平的细小电线，透过通电与否来控制杆状水晶分子改变方向，将光线折射出来产生画面。

MOSFET数字电路

数字科技的进步，如微处理器运算效能不断提升，带给深入研发新一代MOSFET更多的动力，这也使得MOSFET本身的 *** 作速度越来越快，几乎成为各种半导体主动元件中最快的一种。MOSFET在数字信号处理上最主要的成功来自CMOS逻辑电路的发明，这种结构最大的好处是理论上不会有静态的功率损耗，只有在逻辑门（logic gate）的切换动作时才有电流通过。CMOS逻辑门最基本的成员是CMOS反相器（inverter），而所有CMOS逻辑门的基本 *** 作都如同反相器一样，在逻辑转换的瞬间同一时间内必定只有一种晶体管（NMOS或是PMOS）处在导通的状态下，另一种必定是截止状态，这使得从电源端到接地端不会有直接导通的路径，大量节省了电流或功率的消耗，也降低了集成电路的发热量。

MOSFET在数字电路上应用的另外一大优势是对直流（DC）信号而言，MOSFET的栅极端阻抗为无限大（等效于开路），也就是理论上不会有电流从MOSFET的栅极端流向电路里的接地点，而是完全由电压控制栅极的形式。这让MOSFET和他们最主要的竞争对手BJT相较之下更为省电，而且也更易于驱动。在CMOS逻辑电路里，除了负责驱动芯片外负载（off-chip load）的驱动器（driver）外，每一级的逻辑门都只要面对同样是MOSFET的栅极，如此一来较不需考虑逻辑门本身的驱动力。相较之下，BJT的逻辑电路（例如最常见的TTL）就没有这些优势。MOSFET的栅极输入电阻无限大对于电路设计工程师而言亦有其他优点，例如较不需考虑逻辑门输出端的负载效应（loading effect）。

模拟电路

有一段时间，MOSFET并非模拟电路设计工程师的首选，因为模拟电路设计重视的性能参数，如晶体管的转导（transconductance）或是电流的驱动力上，MOSFET不如BJT来得适合模拟电路的需求。但是随著MOSFET技术的不断演进，今日的CMOS技术也已经可以符合很多模拟电路的规格需求。再加上MOSFET因为结构的关系，没有BJT的一些致命缺点，如热破坏（thermal runaway）。另外，MOSFET在线性区的压控电阻特性亦可在集成电路里用来取代传统的多晶硅电阻（poly resistor），或是MOS电容本身可以用来取代常用的多晶硅—绝缘体—多晶硅电容（PIP capacitor），甚至在适当的电路控制下可以表现出电感（inductor）的特性，这些好处都是BJT很难提供的。也就是说，MOSFET除了扮演原本晶体管的角色外，也可以用来作为模拟电路中大量使用的被动元件（passive device）。这样的优点让采用MOSFET实现模拟电路不但可以满足规格上的需求，还可以有效缩小芯片的面积，降低生产成本。

随著半导体制造技术的进步，对于整合更多功能至单一芯片的需求也跟著大幅提升，此时用MOSFET设计模拟电路的另外一个优点也随之浮现。为了减少在印刷电路板（Printed Circuit Board,PCB）上使用的集成电路数量、减少封装成本与缩小系统的体积，很多原本独立的类比芯片与数位芯片被整合至同一个芯片内。MOSFET原本在数位集成电路上就有很大的竞争优势，在类比集成电路上也大量采用MOSFET之后，把这两种不同功能的电路整合起来的困难度也显著的下降。另外像是某些混合信号电路（Mixed-signal circuits），如类比/数位转换器（Analog-to-Digital Converter,ADC），也得以利用MOSFET技术设计出效能更好的产品。

---