锑这个字怎么读

tī 。

部首: 钅

部外笔画: 7

总笔画: 12

解释：金属元素，符号Sb（stibium）。普通锑银白色，质硬而脆，有冷胀性。无定形锑灰色，由卤化锑电解制得。用于工业和医药中，超纯锑是重要的半导体和红外探测器材料。

扩展资料

导体制造业是人类科技文明的集大成者。发展锑化物半导体已成为我国第四代半导体核心技术发展的战略性方向之一。

“锑化物半导体为突破传统体系的技术封锁，提供了自主掌握命门技术的钥匙。”日前，中国科学院半导体研究所半导体超晶格国家重点实验室研究员、国家重点研发计划量子调控与量子信息项目负责人牛智川告诉科技日报记者。

前三代难以满足新需求

半导体与原子能、计算机、激光并称为当代四大技术发明，是当代科技和社会经济发展的前沿方向和重大领域。

“半导体科学成为信息时代的战略性科技领域，首先得益于上世纪初量子理论在固态体系中的衍生发展与深入完善，同时又依赖于半导体制造技术的创新迭代与产业应用。”牛智川说。

迄今为止得到公认的半导体代际技术所对应的材料体系已经明确：基于Ⅳ族硅Si、锗Ge元素的第一代半导体；基于Ⅲ-Ⅴ族砷化镓、磷化铟的第二代半导体；基于Ⅲ-Ⅴ族氮化镓、Ⅳ族碳化硅的第三代半导体等。

光电子材料

optoelectronic material

在光电子技术领域应用的，以光子、电子为载体，处理、存储和传递信息的材料。光电子技术是结合光学和电子学技术而发展起来的一门新技术，主要应用于信息领域，也用于能源和国防领域。已使用的光电子材料主要分为光学功能材料、激光材料、发光材料、光电信息传输材料（主要是光导纤维）、光电存储材料、光电转换材料、光电显示材料（如电致发光材料和液晶显示材料）和光电集成材料。

（一）新型光电子材料及相关基础材料、关键设备和特种光电子器件

1、光电子基础材料、生长源和关键设备

研究目标：突破新型生长源关键制备技术，掌握相关的检测技术；突破半导体光电子器件的基础材料制备技术，实现产业化。

研究内容及主要指标：

1) 高纯四氯化硅(4N)的纯化技术和规模化生产技术(B类，要求企业负责并有配套投入)

2) 高纯(6N)三甲基铟规模化生产技术(B类，要求企业负责并有配套投入)

3) 可协变(Compliant)衬底关键技术(A类)

4) 衬底材料制备与加工技术(B类)

重点研究开发外延用蓝宝石、GaN、SiC等衬底材料的高标抛光产业化技术（Epi-ready级）；大尺寸（>2"）蓝宝石衬底材料制备技术和产业化关键技术。蓝宝石基GaN器件芯片切割技术。

5) 用于平板显示的光电子基础材料与关键设备技术(A类)

大面积(对角线>14〃)的定向排列碳纳米管或纳米棒薄膜生长的关键技术等离子体平板显示用的新型高效荧光粉的关键技术。

2、人工晶体和全固态激光器技术

研究目标：研究探索新型人工晶体材料与应用技术，突破人工晶体的产业化关键技术，研制大功率全固态激光器，解决产业化关键技术问题。

研究内容及主要指标：

1) 新型深紫外非线性光学晶体材料和全固态激光器(A类)

2) 面向光子/声子应用的人工微结构晶体材料与器件 (A类)

3) 研究开发瓦级红、蓝全固态激光器产业化技术(B类)，高损伤阈值光学镀膜关键技术(B类)，基于全固态激光器的全色显示技术(A类)

4) 研究开发大功率半导体激光器阵列光纤耦合模块产业化技术(B类)

5) Yb系列激光晶体技术(A类)。

3、新型半导体材料与光电子器件技术

研究目标：重点研究自组装半导体量子点、ZnO晶体和低维量子结构、窄禁带氮化物等新型半导体材料及光电子器件技术。

研究内容及主要指标：

1) 研究ZnO晶体、低维量子结构材料技术，研制短波长光电子器件 (A类)

2) 自组装量子点激光器技术 (A类)

3) Ⅲ-Ⅴ族窄禁带氮化物材料及器件技术(A类)

4) 光泵浦外腔式面发射半导体激光器(A类)

4、 光电子材料与器件产业化质量控制技术(A类)

研究目标：发展人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件表征评价技术，解决产业化质量控制关键技术。

研究内容：重点研究人工晶体与全固态激光器、GaN基材料及器件质量监测新方法与新技术，相关产品测试条件与数据标准化研究。

5、光电子材料与器件的微观结构设计与性能预测研究(A类)

研究目标：提出光电子新材料、新器件的构思，为原始创新提供理论概念与设计

研究内容：针对光电子技术的发展需求，结合本主题的研制任务，采用建立分析模型、进行计算机模拟，在不同尺度（从原子、分子到纳米、介观及宏观）范围内，阐明材料性能与微观结构的关系，以利性能、结构及工艺的优化。解释材料制备实验中的新现象和问题，预测新结构、新性能，预报新效应，以利材料研制的创新。低维量子结构材料新型表征评价技术和设备。

（二）通信用光电子材料、器件与集成技术

1、集成光电子芯片和模块技术

研究目标：突破并掌握用于光电集成(OEIC)、光子集成(PIC)与微光电机械(MOEMS)方面的材料和芯片的关键工艺技术，以典型器件的研制带动研究开发工艺平台的建设和完善，探索集成光电子系统设计和工艺制造协调发展的途径，促进芯片、模块和组件的产业化。

研究内容及主要指标：

1) 光电集成芯片技术

(1)速率在2.5Gb/s以上的长波长单片集成光发射机芯片及模块关键技术(A类)

(2) 高速 Si基单片集成光接收机芯片及模块关键技术(A类)

2) 基于平面集成光波导技术的OADM芯片及模块关键技术(A类)

3) 平面光波导器件的自动化耦合封装关键技术(B类)

4) 基于微光电机械(MOEMS)芯片技术的8′8以上阵列光开关关键技术(A类)

5) 光电子芯片与集成系统(Integrated System)的无生产线设计技术研究(A类)

2、 通信光电子关键器件技术

研究目标：针对干线高速通信系统和密集波分复用系统、全光网络以及光接入网系统的需要，重点进行一批技术含量高、市场前景广阔的目标产品和单元技术的研究开发，迅速促进相应产品系列的形成和规模化生产，显著提高我国通信光电子关键器件产业的综合竞争能力。

研究内容及主要指标：

(1) 速率在10Gb/s以上的高速光探测器组件(PIN-TIA) 目标产品和规模化生产技术，直接调制DFB-LD目标产品和规模化生产技术，光转发器(Transponder)目标产品和规模化生产技术；(均为B类，要求企业负责并有配套投入)

(2) 40通道、0.8nm间隔EDFA动态增益均衡关键技术(A类)；

(3) InGaNAs高性能激光器研究(A类)；

(4) 光波长变换器关键技术和目标产品(B类)；

(5) 可调谐激光器目标产品(A类)；

(6) 用于无源光网络(EPON)的突发式光收发模块关键技术和目标产品(B类)。

3、光纤制造新技术及新型光纤

研究目标：研究开发并掌握具有自主知识产权的光纤预制棒制造技术；研究开发新一代通信光纤，推动光纤通信系统在高速、大容量骨干网以及接入网中的应用。

研究内容和主要指标：

1) 光纤预制棒制造新技术(B类，要求企业负责并有配套投入)；

2) 新型特种光纤(A类)。

（三）面向信息获取、处理、利用的光电子材料与器件

1．GaN材料和器件技术

研究目标：重点突破用于蓝光激光器衬底的GaN体单晶生长技术。

研究内容及主要指标：

大面积、高质量GaN体单晶生长技术。

2、超高亮度全色显示材料与器件应用技术

研究目标：研究开发用于场致电子发射平板显示器（FED）材料和器件结构，以及超高亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术。

说明：等离子体平板显示器和高亮度、长寿命有机发光器件（OLED）和FED的产业化关键技术将于"平板显示专项"中考虑。

研究内容及主要指标：

1) 超高亮度冷阴极发光管制作和应用的关键技术(A类)

2) 研制FED用的、能够在低电压下工作的新型冷阴极电子源结构、新型冷阴极电子发射材料(A类)。

3、超高密度光存储材料与器件技术

研究目标：发展具有自主知识产权的超高密度、大容量、高速度光存储材料和技术，达到国际先进水平，为发展超高密度光存储产业打下基础。

研究内容及主要指标：

1) DVD光头用光源和非球面透镜等产业化关键技术(B类)；

2) 新型近场光存储材料和器件(A类)。

4、光传感材料与器件技术

研究目标：以特殊环境应用为目的，实现传感元器件的产业化技术开发；研究开发新型光电传感器。

研究内容及主要指标：

1) 光纤光栅温度、压力、振动传感器的产业化技术(B类，要求企业负责并有配套投入)

2) 锑化物半导体材料及室温无制冷红外焦平面探测器技术(A类)

3) 大气监测用高灵敏红外探测器及其列阵(A类)

4) 基于新概念、新原理的光电探测技术(A类)

5、新型有机光电子材料及器件

研究目标：研究开发新型有机半导体材料及其在光显示等领域的应用。

研究内容及主要指标：：

1) 有机非线性光学材料及其在全光光开关中的应用(A类)

2) 有机半导体薄膜晶体管材料与器件技术(A类)。

第四代半导体材料：以氧化镓(Ga2O3)为代表

作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓（Ga2O3）由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的关注和研究。

氧化镓是一种宽禁带半导体，禁带宽度Eg=4.9eV，其导电性能和发光特性良好，因此，其在光电子器件方面有广阔的应用前景，被用作于Ga基半导体材料的绝缘层，以及紫外线滤光片。

第四代半导体的发展背景

随着量子信息、人工智能等高新技术的发展，半导体新体系及其微电子等多功能器件技术也在更新迭代。虽然前三代半导体技术持续发展，但也已经逐渐呈现出无法满足新需求的问题，特别是难以同时满足高性能、低成本的要求。

此背景下，人们将目光开始转向拥有小体积、低功耗等优势的第四代半导体。第四代半导体具有优异的物理化学特性、良好的导电性以及发光性能，在功率半导体器件、紫外探测器、气体传感器以及光电子器件领域具有广阔的应用前景。

目前具有发展潜力成为第四代半导体技术的主要材料体系主要包括：窄带隙的锑化镓、铟化砷化合物半导体；超宽带隙的氧化物材料；其他各类低维材料如碳基纳米材料、二维原子晶体材料等。

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