介绍下半导体的掺杂问题?

介绍下半导体的掺杂问题?,第1张

不是所有的掺杂都是有效的,因为硅与磷硼的掺杂会有些失败的部分,磷硼没有缔结成四价键,而是三价,这时候还是不会导电,也不会有pn节。其实半导体掺杂是化学反应,不是简单的混合,这种技术只有欧美有。当晶体管越来越小时,普通掺杂成功率越来越低,学学原子晶体,对半导体的认识会有收获。此外,氮元素电负性太大,与硅掺杂无法形成四价,只能是三价键,不可以导电的。

半导体中掺杂的不是离子,而是原子。半导体主体是硅,掺杂少量的3价镓原子之类或者少量5价锑原子之类,成为N型半导体或者P型半导体。这里说的3价和5价是指其能够提供出游离或者共价的电子数(最外层电子),而不是化学中通常所说的化合价。

p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。

对于Ⅳ族元素,半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓),常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度。

在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝,由于铟或铝原子周围有3个价电子,与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子,形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子,在这类半导体的导电中起主要作用。

扩展资料:

在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。

参考资料来源:百度百科--P型半导体

参考资料来源:百度百科--半导体


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