cassette在工厂里什么意思

晶盒。

cassette在工厂里是晶盒的意思。晶盒（Cassette）是用来装晶圆的盒子，是一个个分离的插槽组成。一般一个晶盒可插入25片晶圆。晶圆在加工时都是以晶盒为单位进行的。

由于半导体制造业在美国等西方国家发展较早，目前半导体方面的资料大多数以英文为主。很多的半导体行业术语都还没有标准的中文翻译，在半导体行业内部一般都用英文代之，所以就有了晶盒（Cassette）。

代工。半导体具有特定的电性能。导电的物质称为导体，不导电的物质称为绝缘体。半导体是性质介于两者之间的物质。

导电性可以由电阻率表示。诸如金，银和铜的导体具有低电阻并且容易导电。橡胶，玻璃和陶瓷等绝缘子具有高电阻，并且难以通过电。半导体类具有介于两者之间的属性。它们的电阻率可能会根据温度而变化。在低温下，几乎没有电流通过它们。但是，当温度升高时，电流很容易通过它们。

半导体几乎不导电。但是，当将某些元素添加到半导体中时，电流很容易通过它们。

半导体包括单个元件被称为元素半导体，包括著名的半导体材料的硅。在另一方面，半导体制程两种或多种化合物被称为化合物的向上半导体，并且用于半导体激光器，发光二极管等。

原子由原子核和绕原子核运动的电子组成。

电子无法在围绕原子核的原子空间中的任何距离处绕原子核运行，但只允许某些非常特殊的轨道，并且仅以特定的离散能级存在。这些能量称为能级。大量原子聚集形成晶体，并在固体材料中相互作用，然后能级间距变得如此紧密，以至于它们形成能带。金属，半导体和绝缘体的能带结构彼此不同。

在金属中，导带和价带非常接近，甚至可能重叠，并且费米能（Ef）位于内部。这意味着金属始终具有可以自由移动的电子，因此始终可以携带电流。这样的电子秤为自由电子。这些自由电子的流过产生了金属的电流。

在半导体和绝缘体中，价带和导带由足够宽度的禁止能隙（Eg）隔开，费米能（Ef）在价带和导带之间。为了到达导带，电子必须获得足够的能量以跳过带隙。一旦完成，就可以进行自由移动。

在室温下的半导体中，带隙较小，在半导体的导电性有限的情况下，有足够的热能使电子相当容易地跳过该间隙并在导带中进行跃迁。在低温下，没有电子拥有足够的能量来占据导带，因此电荷不可能移动。在绝对值为零时，半导体是理想的绝缘体。室温下导带中的电子密度不如金属中高，因此不能像金属一样导电。半导体的电导率不如金属，但不如绝缘体那么差。因此，这种材料称为半导体-表示半导体。

绝缘子的带隙很大，因此几乎没有电子可以跳过该间隙。因此，电流在绝缘子中不容易流动。绝缘体和半导体之间的差异是带隙能量的大小。在绝缘体中，禁带非常大，因此电子越过导带所需的能量实际上足够大。绝缘体不容易导电。这意味着绝缘子的电导率非常差。

用于IC等的半导体晶体是99.999999999％的高纯度单晶硅，但是在实际制作电路时，会添加杂质以控制电性能。根据所添加的杂质，它们成为n型和p型半导体。

将五价磷（P）或砷（As）添加到用于n型半导体的高纯度硅中。这些杂志称为施主。施主的能级位于导带附近，即能隙小。然后，处于该能级的电子容易被激发到导带并有助于导电。

另一方面，将三价硼（B）等添加到p型半导体中。这称为受体。受体的能级接近价带。由于此处没有电子，因此价带中的电子被激发。结果，在价带中形成空穴，这有助于导电性。

4月份开始新能源板块掀起了一波上涨大潮，一众个股纷纷创新高，捷佳伟创也不遑多让，年初至今涨幅超过177%，近一年涨幅超过2倍。最近国盛证券发布了公司的深度研报，本文以读者视角来了解下捷佳伟创这家公司。

捷佳伟创成立于2007年6月，2018年8月在创业板上市，公司位于深圳市坪山区，现有员工2143人，公司董事长余仲与副总经理左国军、董事梁美珍为公司控股股东和实际控制人，三人为一致行动人。公司主营业务为晶体硅太阳能电池片生产设备的研发、制造和销售，产品包括单/多晶制绒设备、管式扩散氧化退火炉、酸抛光及碱抛光设备、管式等离子体沉积炉、智能自动化设备、全自动丝网印刷设备等六大产品系列。公司不仅为客户提供晶硅电池片生产设备，还提供晶硅电池"交钥匙工程"系统解决方案、晶体硅电池智能制造车间系统以及晶体硅电池丝网印刷线，目前客户覆盖晶科能源、天合光能、隆基股份等国内外绝大多数电池厂商，市占率超过50%：

近几年受行业快速发展，公司业绩呈高增长，2019年营业收入与归母净利润分别为25.27亿元、3.82亿元，同比增长69.3%和24.7%，业绩增长明显。2020年上半年公司通过分批复工、协助供应商恢复生产等措施，确保公司2月份开始有序复工生产，设备验收确认收入大幅增加，上半年公司实现营收18.93亿元，同比增长55.4%；实现归母净利润2.49亿元，同比增长8.11%。同时公司还持续加强新设备研发与技术创新，不断加大市场开拓力度，巩固公司市场领先地位。

2020年9月29日捷佳伟创发布《2020年度向特定对象发行A股股票预案》，计划向特定对象发行募集资金总额不超过约25亿元，用于超高效太阳能电池装备产业化项目和先进半导体装备研发项目，项目稳步推进后将新增年产25GW Perc+高效新型电池湿法设备，新增25GW HJT超高效新型电池的湿法设备以及单层载板式非晶半导体薄膜CVD产能，并新增年产50套HJT电池镀膜设备。同时公司加大半导体设备投入，专注于Cassette-Less刻蚀设备和单晶圆清洗设备技术改进与研发、立式炉管低压CVD设备、立式炉管低压ALD设备及立式炉管HK ALO/HFO2工艺设备技术的改进与研发：

2019年以来各大硅片厂商相继推出大硅片产品，隆基股份推出166尺寸硅片，中环股份推出210尺寸硅片。2020年以来隆基股份、晶澳和晶科能源组成182联盟并推行182尺寸硅片，光伏硅片尺寸逐步从过去的主流M2、G1硅片向更大尺寸发展。

从光伏的生产工艺来说，硅片后端的电池片和组件环节的生产流程是按片进行生产，单片硅片功率的增加，有助于降低单位的生产成本。从电池片产线来看，每条产线的产能由产线出片速率和每片功率所决定。随着硅片面积的增加，产线上单品功率得到明显提升，从而有助于摊销掉和硅片面积无关的其他固定成本，从而降低非硅成本。因此硅片大型化推动电池片和组件端降低成本。

在2020年SNEC展会上各家组件厂商在基于大尺寸电池片封装的技术上相继推出600W、700W以上高功率组件，电池片大型化趋势明显。

大尺寸电池片渗透率提升催生电池片产线升级需求并催生电池片迎来新一轮扩产高峰，甚至或将加速部分老产线淘汰退出市场。目前存量产线进行小幅更改后可以兼容166硅片，但对182和210硅片而言改造幅度较大，因此新投产电池片产线将选择向下兼容的方式适配182和210硅片。PV InfoLink预计2020年182尺寸和210尺寸电池片产能分别为33GW和18GW，预计到2021年182尺寸和210尺寸硅片产能有望达到79GW和67GW，其中新增产能分别为46GW和49GW：

在技术创新上电池片同样正在完成从P型向N型跨越。2018年以来随着PERC电池片技术推出，单晶硅片转换效率优势更加明显，电池片厂商主动向单晶PERC产线转移，单晶逐步完成对多晶的替代。

相比于P型，N型单晶硅主要在单晶中掺磷，N型材料中的杂质对少子空穴的捕获能力低于P型材料中杂质对少子电子的捕获能力，相同电阻率的N型硅片的少子寿命比P型硅片高出1-2个数量级，达到毫秒级。

从技术路线发展来看，P型电池片转换效率存在瓶颈，P型向N型转换势在必行。目前N型电池片技术主要包括N-Pert、TopCon、异质结和IBC四大技术方向，机理与半导体接近，因此随着电池制备技术升级，光伏电池工艺逐步向半导体工艺升级：

PERC技术是在常规的BSF电池基础上进行背面钝化层和激光开槽，目前单晶PERC电池片最早转换效率为24.06%，但考虑到量产环节中的损耗，PERC的平均量产效率在22.5%左右，传统PERC转换效率提升空间存在瓶颈。

根据《后PERC时代高效晶硅电池量产技术路线探讨》，除了工艺上的优化，还可通过优化制绒技术研发、电流一维传输机制、背面TopCon加载、选择性透过技术结构加载和优化金属化-细栅线技术等对PERC电池结构进行升级。ISFH研究表明采用钝化接触电池结构如TopCon可使得此类电池极限效率提升至28.2%-28.7%，高于异质结的27.5%和PERC的24.5%，非常接近晶体硅太阳能电池极限效率29.43%。目前捷佳伟创积极布局PERC+技术，相关技术钝化设备研发已进入工艺验证阶段。

TopCon生产流程分为9步，分别为硅片制绒清洗、扩散制结、湿法刻蚀、隧道结制备、离子注入、退火和湿化学清洗、ALD沉积氧化铝、PECVD 沉积氮化硅膜、丝网印刷等工序。其中大部分设备可以和PERC+SE产线共用，只需要额外增加硼扩散、LPCVD沉积（隧道结制备环节）、离子注入（或者扩散装备）和去绕镀清洗环节设备，便可以实现设备的升级，目前龙头厂商PERC产线均留有一定设备空间，有助于产线改造升级。

根据TaiyangNews报道，捷佳伟创LPCVD设备已经完成测试，设备与海外厂商相比主要差异不大，随着设备国产化推进，TopCon产线投资成本有望大幅下降：

异质结通常以N型晶体硅做衬底，宽带隙的非晶硅做发射极，具备双面对称结构。电池正表面空穴通过高掺杂P型非晶硅构成空穴传输层；电池背面电子通过高掺杂N型非晶硅构成电子传输层，光生载流子在吸收材料中产生并只能从电池一个表看流出，实现两者分离：

异质结电池片具有转换效率高、生产环节简单、将本空间大、发电增益等优势，目前日本松下和美国Solarcity公司已经布局，产能均达到1GW左右。国内钧石产能达到600MW。在制造工艺中TCO沉积在异质结电池沉积工艺后半部分，通过沉积TCO膜作为减反层和横向运载流子至电极的导电层，一般TCO沉积在PVD设备中通过溅射方式完成。捷佳伟创选择的是反应等离子RPD技术，和双面进行薄膜沉积的PVD路线相比采用自下而上的单侧沉积技术，关键设备是等离子q：

2020年9月捷佳伟创完成新一代HJT关键量产设备RPD5500A的装配调试，新型RPD设备具有离子轰击小、穿透率高等特点，在同等条件下采用新型RPD镀膜的HJT技术装备和工艺方案，相比现有常规HJT装备和工艺，高出至少0.6%的效率增益。如果配合新一代靶材技术和工艺，会带来更高的效率增益、更低的电子共振吸收、更好的长波透光率和更优秀的导电性。此外公司二合一PAR5500设备即将推出，有望大幅降低设备成本。

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