如何调节半导体催化剂的费米能级和逸出功?

调节半导体催化剂的费米能级和逸出功可以通过改变半导体催化剂的化学组成来实现，例如改变半导体催化剂中的金属元素或不同的元素的组成比例，可以改变半导体催化剂的费米能级和逸出功，从而调节其反应过程。根据查询相关公开信息显示，它还可以通过改变半导体催化剂的晶体结构、表面形貌和表面活性剂的掺杂等方式调整其费米能级和逸出功。

半导体的逸出功大小顺序是电子从逸出功小的材料移向逸出功大的材料。根据查询相关公开信息显示，半导体的逸出功比金属的小，故当金属与半导体接触时，电子就从半导体流入金属，在半导体表面层内形成一个由带正电不可移动的杂质，电子从逸出功小的材料移向逸出功大的材料，即从金属移向半导体。

把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。功函数的大小通常大概是金属自由原子电离能的二分之一。同样地将真空中静止电子的能量与半导体费米能级的能量之差定义为半导体的功函数。功函数的单位:电子伏特,eV

功函数(work function)又称功函、逸出功，在固体物理中被定义成：把一个电子从固体内部刚刚移到此物体表面所需的最少的能量。

真空能级：电子达到该能级时完全自由而不受核的作用。 功函数：真空能级与费米能级之差。

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