半导体:顾名思议,它是导电能力介于导体和绝缘体之间的物体。它可以是任何形状。不存在具体外形。其作用当然就很多了,因为它本身是一个非常广泛的一个词。湿木也属于半导体。(导体: 电阻率ρ <10-4 Ω·cm 绝缘体:电阻率ρ >109 Ω·cm)二极管:是由电子密度不相同的两种半导体组成的,分为为P极和N极,在中间交汇处形成一个PN结。二极管有很多种,如发光二极管(LED),整流二极管,稳压二极管,开关二极管等等。它的形态也是多样的,你去百度图片搜索中输入二极管就会出现很多。 http://image.baidu.com/i? tn=baiduimage&ct=201326592&cl=2&lm=-1&pv=&word=%B6%FE%BC%AB%B9%DC&z=0(发光二极管相信大家都见过,一般作为指示灯用,例如电脑的硬盘灯一闪一闪的表示你的硬盘正在工作(如果不闪,则很可能是你的机器忙不过来或者是处在待机状态),还有就是一些随身听上的指示灯,以及充电器的指示灯.发光二极管相对其他二极管正向导通
电压较大,一般在1.6V到1.8V间.二其他二极管一般在0.2-0.3V(鍺管),0.6-0.8V (硅管)。整流二极管,也是很常见的,利用的是二极管的单向导通特性,从而可以将负极性电信号滤掉---半波整流,也可以进行其它的整流----例如全波整流。二极管还具有稳压作用,这是因为二极管反向接通时,在二极管被击穿的情况下,其
电流将瞬间增大,这样在外电压增大时,由于二极管被击穿后增加的电流会通过二极管而不会经过与二极管并联的负载上,从而可以保护与其并联的器件。常见的有保护场效应管,即在场效应管栅极反向并接一个二极管。二极管击穿电压一般在4V-7V.钳位作用:钳位作用就是利用二极管的正向导通电压在导通后维持在0.2-0.4V(鍺管),0.6-0.8V(硅管),从而使与其连接的器件两端电压维持在一个范围内,最简单就是三极管的BE结电压在导通时可保持在钳位电压,这点常用于三极管的静态分析。一般无特别说明硅管取0.7V,鍺管取0.3V。开关二极管常见型号有1N4148,1N4150,1N4448,利用的是二极管的高速转换特性。限于水平,暂不作详细介绍。)三极管:如果理解了二极管,三极管就会更加简单一点。它是由两个PN结组成的,成并不等于两个二极管,它分为基极、发射极和
集电极三极。具体的知识参见模拟电路相关教科书里的三极管章节。(三极管是一种控制元件,主要用来控制电流的大小,以共发射极接法为例(信号从基极输入,从集电极输出,发射极接地),当基极电压UB有一个微小的变化时,基极电流IB也会随之有一小的变化,受基极电流IB的控制,集电极电流IC会有一个很大的变化,基极电流IB越大,集电极电流IC也越大,反之,基极电流越小,集电极电流也越小,即基极电流控制集电极电流的变化。但是集电极电流的变化比基极电流的变化大得多,这就是三极管的放大作用。IC 的变化量与IB变化量之比叫做三极管的放大倍数β(β=ΔIC/ΔIB, Δ表示变化量。),三极管的放大倍数β一般在几十到几百倍。 三极管在放大信号时,首先要进入导通状态,即要先建立合适的静态工作点,也叫建立偏置,否则会放大失真。 在三极管的集电极与电源之间接一个电阻,可将电流放大转换成电压放大:当基极电压UB升高时,IB变大,IC也变大,IC 在集电极电阻RC的压降也越大,所以三极管集电极电压UC会降低,且UB越高,UC就越低,ΔUC=ΔUB。仅供参考,请参考有关书籍。
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对于双极性晶体管来说,其工作原理是:
首先,电源作用于发射结上使得发射结正向偏置,发射区的自由电子不断的流向基区,形成发射极电流;
其次,自由电子由发射区流向基区后,先聚集在发射结附近,但随着此处自由电子的增多,在基区内部形成了电子浓度差,使得自由电子在基区中由发射结逐渐流向集电结,形成集电极电流。
最后,由于集电结处存在较大的反向电压,阻止了集电区的自由电子向基区进行扩散,并将聚集在集电结附近的自由电子吸引至集电区,形成集电极电流。
扩展资料
晶体管的特点
1、构件没有消耗
随着材料制作上的进步以及多方面的改善,晶体管的寿命一般比电子管长100到1000倍。
2、消耗电能极少
,晶体消耗电能仅为电子管的十分之一或几十分之一,不像电子管那样需要加热灯丝以产生自由电子,一台晶体管收音机只要几节干电池就可以半年一年地听下去。
3、不需预热
晶体管一开机就工作。例如,晶体管收音机一开就响,晶体管电视机一开就很快出现画面。
4、结实可靠
晶体管比电子管可靠100倍,耐冲击、耐振动。另外,晶体管的体积只有电子管的十分之一到百分之一,放热很少,可用于设计小型、复杂、可靠的电路。
参考资料来源:百度百科--双极性晶体管
参考资料来源:百度百科--晶体管
二极管的英文是diode。二极管的正.负二个端子,一端称为阳极,一端称为阴极。电流只能从阳极向阴极方向移动。二极管是由半导体组成的器件。半导体无论那个方向都能流动电流。
二极管的基本工作原理:
晶体二极管是一个由p型半导体和n型半导体形成的p-n结,在其界面处两侧形成了空间电荷层,并且建有自建电场,当不存在外加电压时,因为p-n结两边载流子浓度差引起的扩散电流和自建电场引起的漂移电流相等而处于电平衡状态。 当产生正向电压偏置时,外界电场与自建电场的互相抑消作用使载流子的扩散电流增加引起了正向电流(也就是导电的原因)。 当产生反向电压偏置时,外界电场与自建电场进一步加强,形成在一定反向电压范围中与反向偏置电压值无关的反向饱和电流I0(这也就是不导电的原因)。
当外加的反向电压高到一定程度时,p-n结空间电荷层中的电场强度达到临界值产生载流子的倍增过程,产生大量电子空穴对,产生了数值很大的反向击穿电流,称为二极管的击穿现象。
拓展资料
1、正向性
外加正向电压时,在正向特性的起始部分,正向电压很小,不足以克服PN结内电场的阻挡作用,正向电流几乎为零,这一段称为死区。这个不能使二极管导通的正向电压称为死区电压。当正向电压大于死区电压以后,PN结内电场被克服,二极管正向导通,电流随电压增大而迅速上升。在正常使用的电流范围内,导通时二极管的端电压几乎维持不变,这个电压称为二极管的正向电压
2、反向性
外加反向电压不超过一定范围时,通过二极管的电流是少数载流子漂移运动所形成反向电流。由于反向电流很小,二极管处于截止状态。这个反向电流又称为反向饱和电流或漏电流,二极管的反向饱和电流受温度影响很大。
参考资料百度百科
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