n型半导体和p型半导体的区别是什么？

n型半导体和p型半导体的区别如下：

1、形成原因不同

在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；施主杂质：周期表第V族中的某种元素，例如砷或锑。

在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体；受主杂质：周期表中第Ⅲ族中的一种元素，例如硼或铟。

2、导电特性不同

P型半导体的导电特性：它是靠空穴导电，掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能也就越强。

N型半导体的导电特性：掺入的杂质越多，多子（自由电子）的浓度就越高，导电性能也就越强。

3、定义不同

N型半导体，也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。“N”表示负电的意思，取自英文Negative的第一个字母。在这类半导体中，参与导电的 主要是带负电的电子，这些电子来自半导体中的施主。

P型半导体，也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。

相关介绍：

在半导体中掺入施主杂质，就得到N型半导体；在半导体中掺入受主杂质，就得到P型半导体。由P型半导体或N型半导体单体构成的产品有热敏电阻器、压敏电阻器等电阻体。由P型与N型半导体结合而构成的单结半导体元件，最常见的是二极管。

P型半导体也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位子，就形成P型半导体。在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

这是接触后的图。接触前P型半导体里面是空穴，n型半导体里面是电子，两块半导体内均没有空间电荷区。当P型半导体和n型半导体接触后，p型半导体内的空穴往往比n型半导体内的空穴浓度多很多个量级（对硅来说一般10个量级左右吧），这时p型半导体内的空穴就会向n型半导体扩散。同理n型半导体内的电子也会像p型半导体扩散。p型半导体内的空穴扩散到n型半导体后留下带负电的固定电荷。n型半导体内的电子也会扩散到p型半导体后留下带正电的固定电荷。但是形成的空间电荷区内的电场会阻碍上述载流子的扩散运动，同时由于这个内建电场的形成，p型半导体内的电子会在电场作用下漂移到n型半导体中，n型半导体内的空穴会漂移到p型半导体中。随着空间电荷区的扩展，内建电场变强，载流子的漂移电流会变大，而内建电场的变强也会抑制前面提到的载流子的扩散电流。最终当漂移电流和扩散电流达到平衡时，空间电荷区将不再扩展，这时pn结就达到了平衡的状态。

p型半导体一定能和n型半导体结合。根据掺入杂质性质的不同，杂质半导体可分为，P型半导体和N型半导体，里"P"是指"正"的意思，"N"是指"负"的意思，PN结最重要的特性是单向导电性，它是一切半导体器件的基础。

---