半导体FRAM是什么？

半导体FRAM是ferromagnetic random access memory的英文缩写，即铁电存储器，FRAM利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。铁电效应是指在铁电晶体上施加一定的电场时，晶体中心原子在电场的作用下运动，并达到一种稳定状态；当电场从晶体移走后，中心原子会保持在原来的位置。这是由于晶体的中间层是一个高能阶，中心原子在没有获得外部能量时不能越过高能阶到达另一稳定位置，因此FRAM保持数据不需要电压，也不需要像DRAM一样周期性刷新。由于铁电效应是铁电晶体所固有的一种偏振极化特性，与电磁作用无关，所以FRAM存储器的内容不会受到外界条件（诸如磁场因素）的影响，能够同普通ROM存储器一样使用，具有非易失性的存储特性。

FRAM是一种环保的存储器，写入的数据不能通过物理分析被盗用，没有备用电池要求。FRAM的优势包括五个方面：非易失性、安全性、可靠性、高速和低功耗。具体讲，FRAM可以覆盖（无需擦除），写周期与读周期相等，具有防篡改功能。 MB89R118是富士通RFID LSI最新版本，可添加自定义快速指令，实现更快的数据读/写。通过降低功耗，通信距离也得到了改善。此外，它还具有防冲突功能。所以MB89R118比较适合各种分布式数据处理应用，如供应链管理、物流、零售系统、回收系统、质量控制等。 嵌入了FRAM非易失性存储器的MB89R118数据保存时间长达10年，它还有远胜于其它非易失性存储器的极高的编程次数（高达1010）。它支持广泛的温度范围，工作温度为-20℃至85℃，存储温度为-40℃至85℃，可以用于恶劣环境条件下的质量控制和产品控制。 该产品支持高速内存访问/高速数据处理，其内部存储器FRAM的编程周期为75.52μs/block（8字节）。MB89R118嵌入的FRAM存储器打破了以前传统非易失性存储器的写入瓶颈，写入时间大幅缩短了。 针对更快速度读取大容量数据的需求，可以利用读多块/写多块指令，一次读/写2块数据（16字节）。自定义指令（读多块无限指令）可连续读取最多256块（2048字节）。快速指令是该产品的新功能，可将从MB89R118到读/写器的响应时间缩短一半，实现高速处理。 FRAM的特性有利于数据保护，访问（写入）FRAM以字节为单位。在确保每一次写入有足够在电源电压后，执行每个字节的写入。如果RF电源在访问期间掉电，MB89R118可检测下降的电源电压。在检测后，MB89R118继续用存储在平流电容器中的电荷进行写 *** 作。所以，如果在电源关闭期间进行写 *** 作，用户也不会丢失数据。 总之，FRAM及嵌入FRAM的RFID LSI的特性和独有功能将让它在各种应用中发挥出最大优势。详见富士通官网http://cn.fujitsu.com/fss

非易失性铁电存储器 (FRAM) 和集成半导体产品供应商Ramtron International 公司宣布推出512 Kb的3V非易失性FRAM器件——FM25L512，带有高速串行外设接口(SPI)。该款器件采用8管脚微型封装，能够提高数据采集和存储能力，并且削减应用成本和PCB空间，应用领域从多功能打印机到工业用电机控制器等。

Ramtron 副总裁Mike Alwais称：“FM25L512为我们的256Kb 串行FRAM用户在相同的小占位面积中提供双倍的存储容量。这样，系统设计人员在下一代的打印机和电机控制设计中，无需增大线路板面积便可提高数据采集能力。”

Ramtron 的FM25L512是带有工业兼容SPI接口的512Kb非易失性FRAM，充分发挥了FRAM技术的高速写入能力。该硬件上可以直接替代相应的EEPROM，而且性能更佳，并能以高达20MHz的总线速度执行无延时的读写 *** 作，同时提供10年的数据保存能力，以及几乎无限的读写次数和极低的工作电流。FM25L512 器件的工作电压为3.0 到 3.6V，可在 -40 ℃ 至 +85℃ 的工业温度范围内 *** 作。

对于那些需要频繁且快速写入 *** 作及/或低功耗工作的应用而言，FM25L512的性能凌驾同类的非易失性存储器解决方案。这些应用包括从先进的数据采集 (该应用中读写寿命非常重要) 到要求严苛的工业控制 (该应用中较长得写入等待时间和较短得读写寿命会导致数据丢失) 等各种应用。与串行EEPROM 不同，FM25L512能以总线速度执行无等待写入 *** 作，而且功耗更低。

Ramtron目前提供8管脚“绿色”/RoHS TDFN (薄型双排引脚扁平无铅) 封装的FM25L512样件，与SOIC-8封装管脚兼容，订购1万片的起价为每片7.61美元。

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