电子是在1897年由剑桥大学卡文迪许实验室的约瑟夫·约翰·汤姆森在研究阴极射线时发现的。
1897年,英国剑桥大学卡文迪许实验室的约瑟夫·约翰·汤姆森重做了赫兹的实验。使用真空度更高的真空管和更强的电场,他观察出负极射线的偏转,并计算出负级射线粒子(电子)的质量-电荷比例,因此获得了1906年的诺贝尔物理学奖。
汤姆逊采用1891年乔治·斯托尼所起的名字——电子来称呼这种粒子。至此,电子作为人类发现的第一个亚原子粒子和打开原子世界的大门被汤姆逊发现了。
扩展资料
物理学家现在已经证明可以通过电学手段控制磁性半导体中的磁性,为新型自旋电子器件铺平了道路。半导体是信息处理技术的核心,以晶体管的形式,半导体充当电荷的开关,允许在二进制状态0和1之间切换。
另一方面,磁性材料是信息存储设备的重要部件。研究利用电子的自旋自由度来实现记忆功能。磁性半导体是一类独特的材料,可以同时控制电荷和自旋,有可能在单一平台上实现信息处理和存储 *** 作。
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稀磁半导体兼具半导体和磁性材料的性质,使同时利用半导体中的电子电荷与电子自旋成为可能,为开辟半导体技术新领域以及制备新型电子器件提供了条件。尽管目前对于DMS材料应用的研究尚处于实验探索阶段,但已展示出其广阔的应用前景。如将 DMS材料用作磁性金属与半导体的界面层,实现自旋极化的载流子向非磁性半导体中的注入,可用于自旋 极化发光二极管的制造。而对于某些铁磁层/无磁 层的多层异质结构,如GaMnAs/AlGaAs/GaMnAs 等,通过调节外部参数如温度、电场等,可控制半导 体层中的载流子浓度以及磁性层间的磁耦合,这种特 性能够应用于制造磁控、光控的新型超晶格器件。
理想的稀磁半导体材料应该具备如下的性质:
(1)其TC能达到500K以上,充分保证相关器件的热稳定性和广泛的应用范围(2)材料的载流子浓度足够低,可以很容易通过光或电控制载流子媒介导致的铁磁性(3)材料载流子的迁移率足够高,保证器件运行响应的速率(4)相对于磁离子具体的无规律分布,材料的磁性质足够稳定并且可重复(5)自由载流子平均交换场要足够大,能够产生大的磁阻和大的隧穿磁阻现象(6)具有足够强的磁光效应,保证磁存储信息的光读出(7)集体磁衰减足够弱,保证利用光和输运的自旋传递现象)即利用准粒子激发 *** 作磁化是可行,等等。
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