mems工艺和半导体工艺的区别

mems工艺和半导体工艺的区别：

1、MEMS加工技术工艺是根据产品需要，在各类衬底（硅衬底，玻璃衬底，石英衬底，蓝宝石衬底等等）制作微米级微型结构的加工工艺。而ic工艺则侧重于半导体器件的制作，其衬底基本以硅衬底为主，少数特殊器件会使用GaAs/GaN等材料，其工艺核心是为了制作高集成度的各类器件，目前已经做到纳米级，特征尺寸更加精细。MEMS加工技术工艺制作的微型结构主要是作为各类传感器和执行器等，其中更加器件原理需要而制作的可动结构（齿轮，悬臂梁，空腔，桥结构等）以及各种功能材料，本质上是将环境中的各种特征参数（温度，压力，气体，流量等等）变化通过微型结构转化为各种电信号（电压，电阻，电流等）的差异，以实现小型化高灵敏的传感器和执行器。

2、半导体工艺指半导体制造工艺，工艺过程多晶硅到区熔或直拉到单晶硅棒到滚、切、磨、抛到硅片，硅片是一种硅材料通过加工切成一片一片的。硅是一种硬度很高的物质，硅材料看起来像石头一样，他要经过清洗干净然后用炉子加热融化形成一个大块的硅锭，然后再用特定机器来进行细切成一片一片。

因为GaAs是直接带隙半导体材料。直接带隙半导体重要性质如下：当价带电子往导带跃迁时，电子波矢不变，在能带图上即是竖直地跃迁，这就意味着电子在跃迁过程中，动量可保持不变——满足动量守恒定律。相反，如果导带电子下落到价带（即电子与空穴复合）时，也可以保持动量不变——直接复合，即电子与空穴只要一相遇就会发生复合（不需要声子来接受或提供动量）。因此，直接带隙半导体中载流子的寿命必将很短；同时，这种直接复合可以把能量几乎全部以光的形式放出（因为没有声子参与，故也没有把能量交给晶体原子）——发光效率高（这也就是为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作的根本原因）。

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