半导体激光退火原理漏氧气会怎么样

半导体激光退火原理漏氧气会形小，升华或分解发生。根据查询相关信息得知，是氧元素形成的一种单质，化学式O，化学性质比较活泼，与大部分的元素能与氧气反应。常温下是很活泼，与许多物质不易作用。高温下很活泼，能与多种元素直接化合，氧原子的电负性仅次于氟有关。

以上情况务必根据制程和产品规范要求执行 *** 作，如无相关规范或规范未必细述必要向工程部门提出ECN 工程修改通知。

假设硅原材长期（超过720小时）真空下温度300度50度来回退火则特性肯定重大影响。

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