公司成立至今，本着对电子行业的促进与发展，不断的致力于技术创新和设计改良。经中华人民共和国国家知识产权局及台湾经济部智慧财产局审批，先后获得以下发明专利：
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1999年,获得贴片式半导体元件SMD先打扁新型结构专利权。此新型结构设计能大大减少晶粒在封装过程中所受的应力。
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2007年,获得TO-220新型结构专利权。此新型结构设计使TO-220本体更小，从而节约安装空间；圆柱型引脚设计可360°弯折，满足客户无限空间设计。
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2008年,获得用于二极管加工焊接的碳精石墨焊接板专利权。此石墨焊接板在二极管制作过程中能实现孔径定位引线焊接，使得晶粒定位更精准。
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2008年,获得TO-220新型结构制备方法及结构专利权。新结构制备方法提高了产品品质，缩短生产制程，资源得到有效节约。
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2008年,获得内控真空焊接炉专利权。使用此创新内控真空炉焊接，无需添加助焊剂，避免晶粒受污染，且氮气用量仅为普通隧道炉用量的1/1000。
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2008年,获得贴片式半导体元件SMD先打扁新型结构专利权。此新型结构设计能大大减少晶粒在封装过程中所受的应力。
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2008年,获得贴片式半导体元件SMD先打扁新型结构制备方法专利权。新结构制备方法提高了产品品质，缩短生产制程，资源得到有效节约。
这些创新发明主要通过对石墨焊接板的结构改良、晶体管组合结构的改进及焊接炉的新型设计，使得二极管的品质提高，空间设计柔韧度增强，耗材减少，从而给您提供更优化的产品性价比！
社会在不断进步，我们将不懈努力，开创更多的新技术，与您共同发展！
不吃鱼挺 科技 ：
对华为的禁令不是偶然，因为美国想要的正是芯片的垄断性优势，从而长久掌握 科技 主导的地位！从芯片设计到制造生产都拥有绝对的核心技术。而华为的出现彻底打破了高通对市场的独占，这是他们所不允许的“公平竞争”…
【…这样做的后果却只会让中国自给自足。】
微软创始人比尔盖茨对于制裁华为的禁令在的采访中这样表示。
造芯重中之重之一，半导体基础材料硅晶圆，是硅晶柱通过钻石刀片切割而出的晶圆片，尺寸越大生产难度越高。国内虽然需求量巨大，长期以来大多仰赖进口，而大尺寸技术由日本企业垄断。目前国产技术掌握的是小尺寸的量产，大尺寸的8寸和12寸的自产率仍很低。
新进展：上海新升12英寸硅晶圆技术并通过中芯国际的验证，虽然产能较低，但这是国产硅晶圆厂商的崛起！
而更艰难的是光刻工艺，正是华为栽跟头的“卡脖勒颈”之处！最新的NA EUV光刻技术为进军3nm工艺制程而准备，而中芯国际迟迟无法引进EUV光刻机，虽然突破达N+1工艺功耗可以接近7nm，但性能还无法到达，7nm也无法量产，更别说5nm的掘进…台积电和中芯都同样受到美国技术制约，高端光刻机也只有阿斯麦的全球唯一…所以开放7nm之时应该也是3nm商用之时，华为麒麟估计将被迫拉后成隔代产品…
“卡脖子”正是迫使努力的“鼓舞”！
国产造芯在紧追国际脚步的同时，更迈向 探索 新方向的突破！——石墨烯技术可以说是全球同时起步。硅晶圆片在日渐精细的工艺制程下，终要到达它的物理极限，据了解其极致点或是1nm，即使能生产也要考虑到良品率问题！而石墨烯的碳基晶圆被誉为是下一个芯片材料的替换品——国产8英寸石墨烯晶圆实现了小批量生产！
石墨烯被誉为在无数的纳米材料中最薄达0.335纳米！有多薄？一根头发丝的20万分之一，难以置信，这么细都让人类发现了，那既然发现了就得拿来用！
石墨烯造芯片，怎么造？能否达到硅晶圆的级别，因为麒麟9000上可是塞了153亿颗晶体管！
据悉：使用石墨烯碳基晶圆制造芯片性能将会是硅基芯片的10倍以上，更重要的是功耗更低——提高性能同时减少发热量正是手机的极致追求…
而工艺制程上 的推测是28nm的碳基芯片就可以达到7nm的硅基芯片的水平，足足拉近了两代技术，而国产成熟制程可以达到14nm…也就是可以不使用极紫外光光刻机也能达到5nm的级别，论制造消耗也将降低很大的成本支出！
石墨烯材料如此神奇，据悉：在导电性上更是比硅强100倍，导热也比铜高10倍等等优势…都足以表明这是非常有潜力的半导体材料，但为何至今不推广使用？因为：贵！——据悉其价格高达5000元/克！
但价格绝对不是阻挡前进的脚步，关键在于技术，目前的水平在石墨烯提纯上依旧有很多杂质，所以还无法像硅晶柱一般量产，但国产8寸石墨烯晶圆的成功试产，也代表着一次成功的突破，完全足够作为国产技术的先进招牌！
并且据统计关于石墨烯领域的研究，国产研发已拥有37521件专利，占全球67%位居世界第一！
新领域的 探索 ，从被动到主动。掌握一项核心技术就获得一片领域的话语权，拥有技术的优势就能让所谓的禁令无效化，只有加强自研能力才能不再被牵着鼻子走——既然无法获得别人发挥到极致的技术，那就 探索 新技术自己去极致的发挥！
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