半导体材料的元素位于

半导体材料是由一系列元素组成的，其中包括碳（C）、氮（N）、氧（O）、硅（Si）、磷（P）、硫（S）、砷（As）、硒（Se）、锗（Ge）、锡（Sn）、铜（Cu）、铋（Bi）、铝（Al）、钼（Mo）、钨（W）、铍（Be）、钒（V）、钴（Co）、钛（Ti）、钙（Ca）、锆（Zr）、铌（Nb）、镁（Mg）、铬（Cr）、钼（Mn）、钽（Ta）、铷（Rb）、锶（Sr）、钇（Y）、铯（Cs）、钆（Gd）、锆（Zn）、铪（Hf）、钼（Hg）、铊（Tl）、铯（Pb）、铋（Bi）、锇（Os）、钌（Ir）、钯（Pd）、铑（Rh）、钌（Ru）、铱（Yb）、铂（Pt）、钯（Au）、铑（Hg）、钐（Tm）、钆（Gd）、铕（Er）、钆（Tb）、铽（Dy）、镝（Ho）、钬（Lu）、锝（Tm）、钆（Yb）、锆（Lu）、钋（Th）、钍（U）、钚（Np）、铀（Pu）、钐（Am）、钫（Cm）、镭（Lr）等。

按照杂质在半导体材料中的行为可分为施主杂质、受主杂质和电中性杂质。按照杂质电离能的大小可分为浅能级杂质和深能级杂质。浅能级杂质对半导体材料导电性质影响大，而深能级杂质对少数载流子的复合影响更显著。氧、氮、碳在半导体材料中的行为比较复杂，所起的作用与金属杂质不同，以硅和砷化镓为例叙述杂质的行为。

1可能影响半导体的单向导电性2造成电路短路3烧坏用电器答案补充

半导体中的杂质对电导率的影响非常大，本征半导体经过掺杂就形成杂质半导体，一般可分为N型半导体和P型半导体。半导体中掺入微量杂质时，杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态，在禁带中产生附加的杂质能级。能提供电子载流子的杂质称为施主(donor)杂质，相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。

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