真空镀的应用

目前水电镀在重工业上应用较多（汽车等），而真空电镀则广泛应用于家用电器、化妆品包装。

如果真空电镀的硬度能达到水电镀的等级，那么水电镀将要消失了。

目前很多手机上的金属外观件，都采用PVD真空离子镀，不仅能够提供漂亮的颜色而且耐磨性很好。不过比较贵，成本较高。

溅射镀：磁控溅射镀膜设备：

磁控溅射镀膜设备是一种多功能、高效率的镀膜设备。可根据用户要求配

置旋转磁控靶、中频孪生溅射靶、非平衡磁控溅射靶、直流脉冲叠加式偏压电源等，

组态灵活、用途广泛，主要用于金属或非金属（塑料、玻璃、陶瓷等）的工件镀铝、

铜、铬、钛金、银及不锈钢等金属膜或非金属膜及渗金属DLC膜，所镀膜层均匀、

致密、附着力强等特点，可广泛用于家用电器、钟表、工艺美术品、玩具、车灯

反光罩以及仪器仪表等表面装饰性镀膜及工模具的功能涂层。

a旋转磁控溅射镀膜机；旋转磁控溅射镀膜技术，是国内外最先进的磁控溅射镀膜技术，靶材利用率达到70～80%

以上，基体镀膜均匀，色泽一致。

b平面磁控溅射镀膜机；

c中频磁控溅射镀膜机；

d射频磁控溅射镀膜机。

可以在金属或非金属（塑料、玻璃、陶瓷）的工件镀金属铝、铜、钛金、锆、银、不锈钢及金属反应物（氧化

物、氮化物、炭化物）、半导体金属及反应物。所镀膜层均匀、致密、附著力好等特点。

一、 单室/双室/多室磁控溅射镀膜机

该镀膜机主要用於各种灯饰、家电、锺表、玩具以及美术工艺等行业，在金属或非金属（塑料、玻璃、陶瓷）等

制品镀制铝、铜、铬、钛、锆、不锈钢等系列装饰性膜层。

技术指标：

真空室尺寸：可以根据用户的要求设计成单室或双室或多室

极限压力：8×10-4Pa

恢复真空度时间：空载 从大气至 5 × 10-2Pa ≤ 3或8min（根据用户要求定）

工作真空度：10～1.0× 10-1Pa

工艺气体进入装置：质量流量控制器（可选配自动压强控制仪）

转动工件架形式：公 / 自转工件架

溅射源：矩形平面溅射源（1～4个）/柱状溅射源（1个）/混合溅射源

可以选配：基片烘烤装置；反溅射清洗

二、单室/双室/多室磁控反应溅射镀膜机

该镀膜机主要用於太阳能吸热管所需要的镀膜涂层（如Al—N/Al或Cu—C/1Cr18Ni9Ti）；高级轿车後视镜镀膜

（蓝玻）；装饰仿金、七彩镀膜；透明导电膜（ITO膜）；保护膜。

技术指标：

真空室尺寸：可以根据用户的要求设计成单室或双室或多室

极限压力：8×10-4Pa

恢复真空度时间：空载 从大气至 5 × 10-2Pa ≤ 15min（根据用户要求定）

工作真空度：10～1.0× 10-1Pa

工艺气体进入装置：质量流量控制器（可选配自动压强控制仪）

工作气路：2路或3路

转动工件架形式：公 / 自转工件架

溅射源：矩形平面溅射源（1～4个）/柱状溅射源（1个）/混合溅射源

三、多功能镀膜机

设备基本配置：

真空室

工件转动系统

真空抽气系统

工作气体供气系统

溅射系统：平面溅射/柱状溅射/中频溅射/射频溅射系统

动系统

控制系统

冷却系统

技术指标：

真空室尺寸：φ600×800 φ850×1000 φ1000×1200 φ1100×1500 可以根据用户的要求设计成箱式

极限压力：8×10-4Pa

恢复真空度时间：空载 从大气至 5 × 10-2Pa ≤ 15min（根据用户要求定）

工作真空度：10～1.0× 10-1Pa

工艺气体进入装置：质量流量控制器（可选配自动压强控制仪）

工作气路：2路或4路

转动工件架形式：公 / 自转工件架

溅射源：矩形平面溅射源（1～4个）/柱状溅射源（1个）/中频溅射源/射频溅射源/混合溅射源

用途：本设备应用磁控溅射原理，在真空环境下，在玻璃、陶瓷等非金属；半导体；金属基体上制备各种金属膜、合

金膜、反应化合物膜、介质膜等等。

四、实验系列磁控溅射镀膜机

技术指标：

真空室：φ450×400

极限压力：5×10-5Pa

工作压力：1～1.0× 10-2Pa

真空系统主泵：涡轮分子泵

阴极靶数量：2～5个

工作气体控制：质量流量控制器，自动压强控制仪

工作气路：2路或4路

靶电源：直流磁控溅射源（10000W），

中频电源（10000W），

射频电源（2000W）。

工件转动：行星式公自转

工件负偏压：/

性能特点：磁控靶数量多，靶材种类变化大，各种参数变化范围大，所镀制膜层有金属、合金、化合物，可镀制单

层或多层膜。

五、中频磁控溅射镀膜机

中频磁控溅射镀膜技术是磁控技术另一新里程碑,是镀制化合物（氧化物、氮化物、碳化物）系膜的理想设备，

彻底克服了靶打弧和中毒现象,并具溅射速率快、沈积速率高等优点,适合镀制铟锡合金（ITO）、氧化铝（AL2O3）

、二氧化硅（SiO2）、氧化钛（TiO2）、氧化锆（ZrO2）、氮化硅（Si3N4）等，配置多个靶及膜厚仪,可镀制多种多

层膜或合金膜层。

六、射频磁控溅射镀膜机

具有溅射速率高，能镀任何材料（导体、半导体和介质材料）。在低气压下等离子体放电，膜层致密，针孔少。

主要技术参数

真空室尺寸：F500&acute450（mm）

极限真空度：优於4&acute10- 4 Pa （3&acute10- 6Torr）

溅 射 靶： F 100mm磁控溅射源三只溅

射功率： 直流5千瓦，射频2千瓦

问题一：真空镀膜，什么是真空镀膜 在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。

真空镀膜技术初现于20世纪30年代，四五十年代开始出现工业应用，工业化大规模生产开始于20世纪80年代，在电子、宇航、包装、装潢、烫金印刷等工业中取得广泛的应用。真空镀膜是指在真空环境下，将某种金属或金属化合物以气相的形式沉积到材料表面（通常是非金属材料），属于物理气相沉积工艺。因为镀层常为金属薄膜，故也称真空金属化。广义的真空镀膜还包括在金属或非金属材料表面真空蒸镀聚合物等非金属功能性薄膜。在所有被镀材料中，以塑料最为常见，其次，为纸张镀膜。相对于金属、陶瓷、木材等材料，塑料具有来源充足、性能易于调控、加工方便等优势，因此种类繁多的塑料或其他高分子材料作为工程装饰性结构材料，大量应用于汽车、家电、日用包装、工艺装饰等工业领域。但塑料材料大多存在表面硬度不高、外观不够华丽、耐磨性低等缺陷，如在塑料表面蒸镀一层极薄的金属薄膜，即可赋予塑料程亮的金属外观，合适的金属源还可大大增加材料表面耐磨性能，大大拓宽了塑料的装饰性和应用范围。

真空镀膜的功能是多方面的，这也决定了其应用场合非常丰富。总体来说，真空镀膜的主要功能包括赋予被镀件表面高度金属光泽和镜面效果，在薄膜材料上使膜层具有出色的阻隔性能，提供优异的电磁屏蔽和导电效果。

问题二：真空镀膜的过程是什么？ PVD，CVD，PECVD，热蒸镀。不知道你想了解哪一种？

问题三：ar真空镀膜是什么意思 有的好多，主要利用辉光放电(glow ????? discharge)将氩气(Ar)离子撞击靶材(target)表面, ????? 靶材的原子被d出而堆积在基板表面形成薄膜。溅镀薄膜的性质、均匀度都比蒸镀薄膜来的好,但是镀膜速度却比蒸镀慢很多。新型的溅镀设备几乎都使用强力磁铁将电子成螺旋状运动以加速靶材周围的氩气离子化, ????? 造成靶与氩气离子间的撞击机率增加,

问题四：真空镀膜的特点是什么 1、常规的表面涂覆常常随着环境的破坏和人身伤害，PVD技术和涂层性能可以应用于各类与人体直接接触的领域

2、外观保护，硬质涂层微米级的厚度可有效地保护高档产品的外观

3、色彩：亮灰色、q黑色、放不锈钢色、咖啡色、玫瑰金、日本金等

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问题五：真空镀膜原理是什么？ 蒸发镀膜

通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发镀膜设备结构如图1。

蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或决定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。

编辑本段类型

蒸发源有三种类型。①电阻加热源：用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质（图1[蒸发镀膜设备示意图]

）电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料；②高频感应加热源：用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质；③电子束加热源：适用于蒸发温度较高（不低于2000[618-1]）的材料，即用电子束轰击材料使其蒸发。

蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。

为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。生长掺杂的GaAlAs单晶层的分子束外延装置如图2[ 分子束外延装置示意图

]。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜最慢生长速度可控制在1单层/秒。通过控制挡板,可精确地做出所需成分和结构的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。

编辑本段溅射镀膜

用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，沉积在基片上。溅射现象于1870年开始用于镀膜技术，1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。常用的二极溅射设备如图3[ 二

极溅射示意图]。通常将欲沉积的材料制成板材──靶,固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶几厘米。系统抽至高真空后充入 10～1帕的气体（通常为氩气），在阴极和阳极间加几千伏电压，两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏范围。溅射原子在基片表面沉积成膜。与蒸发镀膜不同，溅射镀膜不受膜材熔点的限制,可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物质。溅射化合物膜可用反应溅射法，即将反应气体 (O、N、HS、CH等)加入Ar气中,反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉积在基片上。沉积绝缘膜可采用高频溅射法。基片装在接地的电极上，绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接地，一端通过匹配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。接通高频电源后，高频电压不断改变极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶上。由于电子迁移率高于正离子，绝缘靶表面带负电，在达到动态平衡时，靶处于负的偏置电位，从而使正离子对靶的溅射持续进行。采用磁控溅射可使沉积速率比非磁控溅射提高近一个数量级。

编辑本段离子镀

蒸发物质的分子被电子碰撞电离后以离子沉积在固体表面，称为......>>

问题六：什么是真空镀膜技术？ 所谓真空镀膜就是置待镀材料和被镀基板于真空室内，采用一定方法加热待镀材料，使之蒸发或升华，并飞行溅射到被镀基板表面凝聚成膜的工艺。

一、镀膜的方法及分类

在真空条件下成膜有很多优点：可减少蒸发材料的原子、分子在飞向基板过程中于分子的碰撞，减少气体中的活性分子和蒸发源材料间的化学反应（如氧化等），以及减少成膜过程中气体分子进入薄膜中成为杂质的量，从而提供膜层的致密度、纯度、沉积速率和与基板的附着力。通常真空蒸镀要求成膜室内压力等于或低于10-2Pa，对于蒸发源与基板距离较远和薄膜质量要求很高的场合，则要求压力更低。

主要分为一下几类：

蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。

蒸发镀膜：通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。

蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或决定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。

蒸发源有三种类型。①电阻加热源：用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质（图1[蒸发镀膜设备示意图]）电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高频感应加热源：用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质。③电子束加热源：适用于蒸发温度较高（不低于2000[618-1]）的材料，即用电子束轰击材料使其蒸发。

蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。

为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。生长掺杂的GaAlAs单晶层的分子束外延装置如图2[ 分子束外延装置示意图]。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜最慢生长速度可控制在1单层／秒。通过控制挡板,可精确地做出所需成分和结构的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。

溅射镀膜：用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，沉积在基片上。溅射现象于1870年开始用于镀膜技术，1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。常用的二极溅射设备如图3[ 二极溅射示意图]。通常将欲沉积的材料制成板材――靶,固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶几厘米。系统抽至高真空后充入 10-1帕的气体（通常为氩气），在阴极和阳极间加几千伏电压，两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏范围。溅射原子在基片表面沉积成膜。与蒸发镀膜不同，溅射镀膜不受膜材熔点的限制,可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物质。溅射化合物膜可用反应溅射法，即将反应气体 (O、N、HS、CH等)加入Ar气中,反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物（如氧化物......>>

问题七：真空镀膜技术什么情况 很高兴凯德利冷机为你答

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问题八：真空镀膜的种类 在真空中制备膜层，包括镀制晶态的金属、半导体、绝缘体等单质或化合物膜。虽然化学汽相沉积也采用减压、低压或等离子体等真空手段，但一般真空镀膜是指用物理的方法沉积薄膜。真空镀膜有三种形式，即蒸发镀膜、溅射镀膜和离子镀。

蒸发镀膜 通过加热蒸发某种物质使其沉积在固体表面，称为蒸发镀膜。这种方法最早由M.法拉第于1857年提出，现代已成为常用镀膜技术之一。蒸发镀膜设备结构如图1。

蒸发物质如金属、化合物等置于坩埚内或挂在热丝上作为蒸发源，待镀工件，如金属、陶瓷、塑料等基片置于坩埚前方。待系统抽至高真空后，加热坩埚使其中的物质蒸发。蒸发物质的原子或分子以冷凝方式沉积在基片表面。薄膜厚度可由数百埃至数微米。膜厚决定于蒸发源的蒸发速率和时间（或决定于装料量），并与源和基片的距离有关。对于大面积镀膜，常采用旋转基片或多蒸发源的方式以保证膜层厚度的均匀性。从蒸发源到基片的距离应小于蒸气分子在残余气体中的平均自由程，以免蒸气分子与残气分子碰撞引起化学作用。蒸气分子平均动能约为0.1～0.2电子伏。

蒸发源有三种类型。①电阻加热源：用难熔金属如钨、钽制成舟箔或丝状,通以电流,加热在它上方的或置于坩埚中的蒸发物质（图1[蒸发镀膜设备示意图]）电阻加热源主要用于蒸发Cd、Pb、Ag、Al、Cu、Cr、Au、Ni等材料。②高频感应加热源：用高频感应电流加热坩埚和蒸发物质。③电子束加热源：适用于蒸发温度较高（不低于2000[618-1]）的材料，即用电子束轰击材料使其蒸发。

蒸发镀膜与其他真空镀膜方法相比，具有较高的沉积速率，可镀制单质和不易热分解的化合物膜。

为沉积高纯单晶膜层，可采用分子束外延方法。生长掺杂的GaAlAs单晶层的分子束外延装置如图2[ 分子束外延装置示意图]。喷射炉中装有分子束源，在超高真空下当它被加热到一定温度时，炉中元素以束状分子流射向基片。基片被加热到一定温度，沉积在基片上的分子可以徙动，按基片晶格次序生长结晶用分子束外延法可获得所需化学计量比的高纯化合物单晶膜，薄膜最慢生长速度可控制在1单层／秒。通过控制挡板,可精确地做出所需成分和结构的单晶薄膜。分子束外延法广泛用于制造各种光集成器件和各种超晶格结构薄膜。

溅射镀膜 用高能粒子轰击固体表面时能使固体表面的粒子获得能量并逸出表面，沉积在基片上。溅射现象于1870年开始用于镀膜技术，1930年以后由于提高了沉积速率而逐渐用于工业生产。常用的二极溅射设备如图3[ 二极溅射示意图]。通常将欲沉积的材料制成板材――靶,固定在阴极上。基片置于正对靶面的阳极上,距靶几厘米。系统抽至高真空后充入 10～1帕的气体（通常为氩气），在阴极和阳极间加几千伏电压，两极间即产生辉光放电。放电产生的正离子在电场作用下飞向阴极，与靶表面原子碰撞，受碰撞从靶面逸出的靶原子称为溅射原子,其能量在1至几十电子伏范围。溅射原子在基片表面沉积成膜。与蒸发镀膜不同，溅射镀膜不受膜材熔点的限制,可溅射W、Ta、C、Mo、WC、TiC等难熔物质。溅射化合物膜可用反应溅射法，即将反应气体 (O、N、HS、CH等)加入Ar气中,反应气体及其离子与靶原子或溅射原子发生反应生成化合物（如氧化物、氮化物等）而沉积在基片上。沉积绝缘膜可采用高频溅射法。基片装在接地的电极上，绝缘靶装在对面的电极上。高频电源一端接地，一端通过匹配网络和隔直流电容接到装有绝缘靶的电极上。接通高频电源后，高频电压不断改变极性。等离子体中的电子和正离子在电压的正半周和负半周分别打到绝缘靶上。由于电子迁移率高于正离子，绝缘靶表面带负电，在达到......>>

问题九：什么叫UV真空镀膜？ UV喷涂真空镀膜工艺流程：

底材→前处理（净化）→喷涂UV底漆→IR/热风干燥→冷却→UV固化→真空镀膜→喷涂UV面漆→IR/热风干燥→冷却→UV固化

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