但可以在p型衬底上,通过掺杂形成N阱。同理也可以在但可以在N型衬底上,通过掺杂形成p阱。
在不考虑除杂质以外的因素,掺入(可以是用扩散的办法、也可以使用离子注入)比原来的n型杂质更多的p型杂质进行补偿就可以了。如果考虑其他因素(如位错、界面态等),可能在掺入p型杂质后半导体并不显p型,这时可能要进行退火或其他处理(如GaN中掺Mg,就需要用H处理)。
另外掺入的不一定是三族元素。
通过向本征半导体参入各种类型的杂质,可获得X型半导体。比如硅材料中参入3价元素杂质(如硼),杂质原子贡献一个空穴,使得原本征半导体成为P型半导体,参入5价元素(如砷)可使得杂质原子贡献1个自由价电子,使得原本征半导体成为N型半导体。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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