半导体配件需要清洗吗？

需要清洗的：

电子清洗技术（包括清洗剂和与之配套的清洗工艺）对电子工业，特别是对半导体工业生产是极为重要的。在半导体器件和集成电路的制造过程中，几乎每道工序都涉及到清洗，而且集成电路的集成度愈高，制造工序愈多，所需的清洗工序也愈多。在诸多的清洗工序中，只要其中有一道工序达不到要求，则将前功尽弃，导致整批芯片的报废。可以说如果没有有效的清洗技术，便没有今日的半导体器件、集成电路和超大规模集成电路的发展。其实这个环节是蛮重要和需要

探索技巧的，做半导体行业工作的都需要很大的耐心和细心，才能出色的完成这项工作的，现在半导体行业发展的很迅速，集成电路的集成密度越来越高，相应的清洗技术也随之复杂起来，其实这方面也有很大的发展前途的，我曾经有位同事，从基层的技术员升职到工程师助理，最后自己又升到了工程师的位置，如果楼主要考职称的话，可以先咨询一下设备工程师和制程工程师，一般制程工程师的工资会高一点。

RCA cleaning 就是采用RCA方法来清洗的意思.

RCA是一种典型的、普遍使用的湿式化学清洗法,该清洗法主要包括以下几种清洗液：

（1）SPM：H2SO4 /H2O2 120～150℃ SPM具有很高的氧化能力,可将金属氧化后溶于清洗液中,并能把有机物氧化生成CO 2和H2O.用SPM清洗硅片可去除硅片表面的重有机沾污和部分金属,但是当有机物沾污特别严重时会使有机物碳化而难以去除.

（2）HF(DHF)：HF(DHF) 20～25℃ DHF可以去除硅片表面的自然氧化膜,因此,附着在自然氧化膜上的金属将被溶解到清洗液中,同时DHF抑制了氧化膜的形成.因此可以很容易地去除硅片表面的Al,Fe,Zn,Ni等金属,DHF也可以去除附着在自然氧化膜上的金属氢氧化物.用DHF清洗时,在自然氧化膜被腐蚀掉时,硅片表面的硅几乎不被腐蚀.

（3）APM (SC-1）：NH4OH/H2O2 /H2O 30～80℃ 由于H2O2的作用,硅片表面有一层自然氧化膜(SiO2),呈亲水性,硅片表面和粒子之间可被清洗液浸透.由于硅片表面的自然氧化层与硅片表面的Si被NH 4OH腐蚀,因此附着在硅片表面的颗粒便落入清洗液中,从而达到去除粒子的目的.在 NH4OH腐蚀硅片表面的同时,H2O 2又在氧化硅片表面形成新的氧化膜.

（4）HPM (SC-2)：HCl/H2O2/H2 O 65～85℃ 用于去除硅片表面的钠、铁、镁等金属沾污.在室温下HPM就能除去Fe和Zn.

清洗的一般思路是首先去除硅片表面的有机沾污,因为有机物会遮盖部分硅片表面,从而使氧化膜和与之相关的沾污难以去除；然后溶解氧化膜,因为氧化层是“沾污陷阱”,也会引入外延缺陷；最后再去除颗粒、金属等沾污,同时使硅片表面钝化.

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