集成电路为什么在一个半导体wafer上，不怕整个wafer导通吗？

wafer本身不掺杂导电很弱吧。。。

需要隔离的地方会挖槽沉积二氧化硅的。。。Jalain(站内联系TA)集成电路做在一个wafer是为了有更好的电特性的一致性吧，在模电中貌似用集成电路的话会比单个元件之间的互联效果好的多，比如电压比较器很少用两个三极管的，做在一个集成电路中控制好了工艺才有较好的工作点。至于导电的问题，在不掺杂的情况下半导体的电阻率还是挺高的，而且集成电路实现功能的时候一般都是PN型之间配合，单个的wafer一般都是同一类型做衬底，然后通过一些工艺按要求往上沉积其他的类型（P+、N等），这样形成了结区，才能有整流或者放大的功能。sanlangustc(站内联系TA)半导体材料导电性介于导体与绝缘体之间，经过掺杂等工艺可以变成导体，以制备各种电子器件，如最基本的PN、MOS管等，形成复杂的具有各种功能的电路，这是使用半导体材料的独特特性，别的材料替代不了。至于器件间的隔离，半导体材料反应可以生成很好的绝缘体材料，如将Si氧化成SiO2，起到绝缘的作用，又或者通过沉积绝缘材料等，所以不用担心整个片子的导通问题。knightshui(站内联系TA)1.wafer的电阻较高，就算有漏电流也很小，可以不考虑。

2.设计者想了很多办法防止器件之间产生意外的较大的寄生漏电流，如隔离等。PANDALCD(站内联系TA)可以根据不同的需要制作很多WELL,在well之间可以用SiO2隔离，所以不会出现你所提到问题的！zaixw(站内联系TA)怕 所以一般的情况下 整块接地 不行就用阱隔离了kingdomzjx(站内联系TA)你的问题是关于集成电路的隔离的。

集成电路中多个器件制造在一个衬底上，如果不隔离是肯定连通了，因此需要做隔离工艺。

大致分为两类，一类为元器件之间自然隔离的；另一类是做隔离工艺实现隔离的，如pn结隔离、介质隔离。

一楼没看清问题。为公平起见，我先把一楼的回答翻译成中文，加上我的评语【在黑括号内】，然后再给出我的回答。取决于你要解什么问题【没错】。如果我们只考虑自由费米子，那么狄拉克方程具有洛仑兹对称【胡言乱语。谁问＂自由费米子＂了？】。它的表象分类为H和自旋【H里不包含自旋？你上课睡着了吧？】。因此，我们选择这些变量【自旋是个变量，H可不是】。而且狄拉克方程具有平移不变性，所以可以用动量来表示其解【文不对题。半导体器件里几乎没有平移不变的问题】。当有相互作用时，应该用别的，如中心力问题中用角动量【越说离题越远。半导体里哪来的中心力问题？】。当耦合到电磁场时，事实上还有一个量子数，就是电荷【错！电荷在固体里是个常数，只有在量子场论里才是量子数】。还有，如果我们考虑电子的弱相互作用，那么还有同位旋【一楼这是在忽悠谁呢？半导体物理要考虑同位旋，那你是不是坐火箭上下楼啊？】正确答案：在玻耳兹曼方程中，电子的分布函数有七个变量：三个坐标、三个动量分量、一个时间变量。如果是稳态过程，时间变量可以去掉。即使是瞬态问题，时间也不是粒子的自由度。所以从玻耳兹曼方程讲，电子应该有六个自由度。从热力学意义上讲，每个动量分量都是相应方向坐标分量的共轭变量，所以只有三个自由度。除非做自旋电子学，否则自旋自由度可以不考虑。简言之：玻耳兹曼方程六个自由度，热力学三个自由度。

理论上，P衬底或N衬底都可以。

实际上，自由电子的迁移率是空穴的三倍，因此用自由电子为多数载流子的N型半导体做导电沟道的话，通过电流能力要强得多。另外，从控制角度而言，NMOS可以用正电压开启，使用起来比较方便，而PMOS需要用到负电压，就不那么方便了。

因此常见的功率型MOS管都是N型，PMOS有，比如IRF9540等，但种类比较少，价格也贵一些。

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