半导体拆分上市提速,比亚迪拿出新“杀手锏”

半导体拆分上市提速,比亚迪拿出新“杀手锏”,第1张

比亚迪半导体董事长兼总经理陈刚曾表示,IGBT 并不是靠砸钱就能砸出来的。

新能源汽车、动力电池领域的成功赋予了比亚迪在传统汽车向新四化转型的话语权,因此当比亚迪在为发展半导体业务聚拢资金时,投资机构“砸钱”就显得十分乐意,“马太效应”也在半导体这片蓝海开始显现。

42天两轮融资,估值百亿

日前,比亚迪官方宣布,继A轮19亿融资后,比亚迪半导体有限公司完成A+轮融资7.99亿元,投后估值超百亿元。

比亚迪还表示,本次增资扩股事项完成后,比亚迪半导体注册资本将增加至人民币4.1亿元,公司持有比亚迪半导体72.3%股权,比亚迪半导体仍为比亚迪控股子公司,仍纳入公司合并报表范围。

在首轮融资中,投资方均为国内外知名知名投资机构,领投为红杉资本、中金资本以及国投创新,Himalaya Capital等多家机构参与认购。

也正因为半导体增资扩股项目吸引了众多财务及产业投资人的青睐,又考虑到未来拟实施的各项业务资源整合及合作事项,比亚迪进行了第二轮引入。

在第二轮战略投资中,投资方包括韩国SK集团、小米集团、联想集团、中芯聚源、北汽产投、上汽产投、深圳华强、蓝海华腾、英威腾,以及招银国际、中信产业基金、厚安基金等众多A+轮战投入股或通过基金入股。

据比亚迪披露的信息,比亚迪在完成融资之后将加快推进比亚迪半导体分拆上市工作。

直面技术竞争

比亚迪半导体公司核心业务主要是车规 IGBT 和工业 IGBT 两个领域。从2005年组建团队开始,比亚迪的IGBT研发已经有15年的时间了,比亚迪也因此成为了中国第一家实现车规级 IGBT 大规模量产以及唯一一家拥有 IGBT 完整产业链的车企。

IGBT (Insulated Gate Bipolar Transisto)中文名称为绝缘栅双极型晶体管,或许在半导体制造的人看来,IGBT只是一个分立器件,但这个小小的器件如今已成为电子器件里技术最先进的产品,并已经全面取代了传统的Power MOSFET,被称为电力电子装置的“CPU”,作用相当于人体的大脑。

作为能源转换与传输的核心器件,IGBT芯片与动力电池电芯被称为电动车“双芯”。它在新能源汽车行业有着举足轻重的地位且应用十分广泛,应用领域包括电动控制系统、车载空调控制系统、充电桩等;从成本占比来看,IGBT模块占电动汽车成本将近10%,占充电桩成本约20%。

此外,在智能电网方面,无论是输电端还是变电端,亦或是用电端,均离不开IGBT的应用。

目前来看,全球IGBT市场竞争格局由英飞凌、富士、三菱等国际主流生产厂家主导,国际厂商起步早,研发投入力度大,因此拥有较高的专利壁垒,国内IGBT也十分依赖国外,90%需要进口,再加上IGBT适配特点,工艺设备的购买、配套都十分困难。

我国的功率半导体技术尚处于起步阶段,一般采取“设计+代工”模式,即设计公司提供芯片设计方案,国内一些集成电路公司代工生产。而随着我国新能源汽车的迅速发展以及基础设施的完善,IGBT供需缺口的问题将越发明显,打破国际垄断、实现自主研发和国产替代势在必行。

供应商的进阶路

从与长安汽车合资设立动力电池公司开始,比亚迪在汽车制造领域的供应商之路可以说是真正开启了,而后与奥迪、捷豹路虎签订的协议也让其供应商的身份得到进一步巩固。按照计划,比亚迪将于 2022 年前后把整个电池业务分拆出去独立上市。

显然,比亚迪半导体准备走同样的一条路。

2018年底,比亚迪发布IGBT4.0技术,据了解,该技术在多项关键性能指标上优于市场主流产品,例如电流输出能力高15%,综合损耗降低20%,温度循环寿命可达主流同类产品10倍以上,可以说该技术是中国 IGBT 芯片崛起的代表作,同样也打破了高性能IGBT受制于人的局面。

数据显示,目前比亚迪 IGBT 芯片晶圆的产能每月 10 万片,年供应新能源高达汽车 120 万辆。在2020年4月底,比亚迪IGBT项目在长沙动工。据了解,该项目总投资10亿元,将建成年产25万片8英寸新能源汽车电子芯片生产线,投产后可满足年装车50万辆新能源汽车的产能需求。项目达产后预计年度营业收入可达8亿元,实现年利润约4000万元。

另一方吧,比亚迪还在与华为在车载芯片方面进行深度合作。

据了解,华为麒麟芯片正独立探索在汽车数字座舱领域的应用落地,首款产品是麒麟710A,目前已经与比亚迪签订合作协议。比亚迪对此也回应称:“已经拿到了麒麟的芯片技术文档,开始着手开发。”、“麒麟芯片拓展汽车市场已经有数月,目前主要锁定比亚迪,希望借助车型落地,打开市场。”

对华为芯片略微了解的都知道,麒麟芯片是华为海思半导体公司自研的手机芯片,目前只是向华为手机和荣耀手机供应,但华为方面对这款产品的拓展研发从未停止,率先在比亚迪产品中应用也不足为奇。

头条说:

一方面自己铆足力气研发,另一方面又紧抱住行业大佬华为,比亚迪丝毫没有掩饰自己成为汽车芯片领域顶级供应商的野心。

全球汽车行业朝着电动化智能化发展是必然趋势,IGBT能够提高用电效率,是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。

同时,从半导体到芯片,对国内车企来说这是一片需要迅速占领的蓝海,尽管比亚迪已经取得一定突破,但想占领市场跻身供应商难度依旧面临很大困难。在疫情这只黑天鹅下各行业资金吃紧的时期,手握资金的比亚迪能否把握住发展窗口期迅速成为“独角兽”,值得期待。

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国产势力想要在半导体行业换道超车是非常不容易的,需要大量的人才以及强势的专业技能。毕竟外国的半导体发展了这么多年技术相对来说是比较成熟的。然而,我国的半导体是在最近十几年才发展起来的,而且大多数的技术和手段都是依靠国外,如果不是外国对我国科技以及华为的打压,可能我们的国人都发现不了在半导体行业,我们正处于弱势群体。

随着外国势力对我国科技的打压,也让我们清楚地认识到了我们在科技方面存在着严重的不足,而且在半导体行业也处于弱势需要不断地积累人才并且提高技术手段。

半导体行业是真正的高精尖技术行业半导体的生产无论是产品的研发以及生产产品的设备都是非常复杂的,只有有一个国家的技术几乎不可能真正的完成,只要结合各个国家的强项,才能生产出最好的半导体产品,但是我国在半导体行业的核心技术不是很强,依然处于一种比较落后的状态。只要外国势力对我国的半导体进行打压,那么我国就会出一种非常窘迫的状态。

所以说在半导体行业积累大量的人才和技术是迫在眉睫的事情,要不然我国的消费行业以及电子类的产品可能一直处于被国外打压的状态下,为了提升我国半导体的技术,发展我国的高科技行业第三代半导体的布局正在提速,但是,我国想要在半导体行业换道超车,这是一件非常不容易的事情,首先就是我国对于半导体研发的一些设备并不充足,大量生产半导体的设备还是需要依赖进口,其次就是再生产半导体的过程当中,许多技术以及配置也不是很全面,会让我们在这个过程当中困难重重。

不同于第一代半导体材料硅基的发展在国内正面临一系列掣肘,作为化合物半导体材料的碳化硅器件正逐渐迎来商用加速期。

特斯拉率先让碳化硅器件上车起到了关键推动作用。多方机构都预测,在未来5-10年间,碳化硅器件的应用增长点会陆续涌现,包括新能源 汽车 、储能、光伏风能发电、5G通信等领域。

碳化硅商用落地的典型代表就是特斯拉,在其推动下,碳化硅的应用进度和市场空间都打开了想象力。

基本半导体董事长汪之涵在前述论坛演讲中指出,从1982年IGBT发明到现在,其仍然是功率半导体器件中最为重要的一个,在各种电力电子应用中发挥着巨大作用。

不过在过去几年时间里,人们欣喜地发现,在很多高端应用中,碳化硅MOSFET已经逐渐取代硅基IGBT。“这个取代的过程和势头,似乎比大家前几年的判断来得更早更快,所以我们认为,碳化硅成为功率半导体主流的时代似乎已经来到。”他续称,虽然目前碳化硅器件的成本比硅基IGBT要高不少,但从全生命周期成本来看,通过使用碳化硅器件,现在的账已经能算过来了。

根据Yole研判,到2027年预计全球碳化硅芯片市场规模约63亿美元,其中接近80%的市场(也即约50亿美元)来自于新能源 汽车 。汪之涵指出,根据其团队测算,随着碳化硅产品成本降低,到2027年,一辆车上不同部件使用碳化硅的价格在2000-3000元,那么届时全球将有一千万辆车使用碳化硅器件,实际上这个数量将只多不少。

芯粤能半导体CTO相奇则指出,“双碳”战略正开启新能源转换的黄金时代,其中电能转换推动需要功率器件,碳化硅器件在其中优势尽显。

根据机构统计,到2030年,中国大陆总用电量将达到10.5万亿度/年,若能用碳化硅功率器件替代传统硅基器件,可节电万亿度,约等于10座三峡大坝。

从应用端来看,新能源 汽车 、光伏和储能、航天、工业等领域牵引下,全球碳化硅市场的规模正快速成长,预计2019-2025年的复合年均增长率为30%。

山东大学晶体材料实验室、南砂晶圆教授徐现刚也指出,碳化硅单晶应用主要为两个方面:一是电力电子碳化硅器件领域,在导电型衬底之上做碳化硅同质外延,如新能源 汽车 、高铁运输、智能电网的逆变器等器件上应用;二是把碳化硅作为衬底材料,生长氮化镓材料的异质外延,在高频大功率微波电子器件里获得了较大应用,也在雷达、通信系统等方面有应用。

不过,目前国内在碳化硅功率器件和衬底市场依然有较大发展空间。据调研机构Yole统计,无论是碳化硅器件销售额,还是碳化硅导电型衬底市场视角来看,占据主要份额的都为来自美国、欧洲和日本的公司,部分情况下甚至有垄断态势。

一种观点认为,在关键碳化硅衬底技术方面,国内和海外厂商的差距大约是2-3年,但随着集中力量推进研发,这个时间差距有望进一步缩短。

徐现刚在演讲中指出,从衬底发展来看,海外厂商在十年前突破了6英寸衬底技术,目前已稳定导入产业;并在国内“十三五”期间突破了8英寸衬底量产的关键难题,正快速导入量产进程。

国内厂商近些年来也在积蓄经验后快速推动研发落地。“针对碳化硅单晶的研究前期,我们亟需和下游密切配合。在研发2-3英寸单晶时,很难找到电力电子大规模应用,所以我们找到了光电子应用;在6英寸和8英寸单晶上,我们希望和半导体界以及电力电子行业密切配合,也做好了准备。产业角度的需求已经非常旺盛;技术路线上,碳化硅外延的整个产业链不存在被制约发展的问题,所以我认为,8英寸时代真正到来了。”

他续称,就像最开始一种观点认为硅基不用那么着急被碳化硅器件替代一样。特斯拉作为第一个吃螃蟹的人成功之后,大家都开始积极跟进,才有了现在被认为行业将爆发式增长的预期。“所以我想碳化硅晶圆尺寸发展也一样,成熟的8英寸衬底推出后,必然会让成本降低。当然先要面对研发、材料良率低等现阶段难题,但实际上随着技术进步,这也是之前6英寸研发过程中都遇到过的情况。”

还有一个不可忽视的问题是各地的积极建设。一些行业人士指出,在未来十年,整个碳化硅行业面临着巨大机会,同时挑战也很大。目前国内多个省份和城市已经开始推动碳化硅材料和器件等环节的大规模项目落地,这一方面意味着各地都在认可碳化硅的发展未来并积极促进,但另一方面,大规模建设后,在未来几年可能也会面临行业整合过程。

同时,目前南沙在碳化硅领域的产业链已经部署相对完善。“我们称为‘聚沙成塔’,打开地图看会发现,南沙的确是一家一家公司拼图一样拼出了一个产业园,从南砂晶圆开始不断延伸产业链。因此我们认为,南沙发展半导体产业有其独特的思路和节奏。”

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