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四甲基氢氧化铵是一种化学物质,分子式是C4H13NO。有毒性,通过皮肤接触或者吸入会抑制呼吸肌肉群,造成呼吸肌肉停止,导致吸入者脑部缺氧死亡。目前(2020-3-24)无解药。简介:无色结晶(常含三、五等结晶水),极易吸潮,有一定的氨气味,具有强碱性,在空气中能迅速吸收二氧化碳,形成碳酸盐为有机强碱,具有较强的腐蚀性。通常制10%、25%的水溶液,含5分子结晶水的四甲基氢氧化铵为无色潮解性针状结晶,熔点62~71℃,沸点120℃,加热到沸点时易分解成三甲胺、二甲醚(90%)和甲醇(5%)。物化性质蒸气压:17.5 mm Hg ( 20 °C)储存条件 2-8°C稳定性:稳定的,易燃。不相容的是具有较强氧化剂,如强大的氨基酸。不可与铝,碱金属,强氧化剂,酸,酰氯,酸酐,卤素混合。用途1.在有机硅方面,四甲基氢氧化铵作为二甲基硅油,氨基硅油,苯甲基硅油,有机硅扩散泵油,无溶剂有硅模塑料,有机硅树脂,硅橡胶等的催化剂;2.在分析方面,四甲基氢氧化铵作为极谱试剂;3.在产品提纯方面作为无灰碱用以沉淀许多金属元素;4.在有机硅片生产中常用作计算机硅片面用光亮剂、清洗剂和触刻剂等。优点:四甲基氢氧化铵优点是:它具有强碱性,在不超过分解点的温度下稳定。当催化完毕后很容易除掉,不留任何残渣。对有机硅产品无污染。因此又称为“暂时催化剂”,在分析中可用于极谱试剂用来沉淀不含灰粉的许多元素的氢化物。包装:塑料瓶、塑料桶。正胶显影工艺中主要用的显影液是四甲基氢氧化铵(Tetramethylammonium Hydroxide, TMAH),NTD显影液是乙酸正丁酯(n-Butyl Acetate, nBA)TMAH水溶液的主要成分是水,占99%以上。它被广泛用于光刻工艺中的显影。不管是I-线、248nm、193nm、193nm浸没式或是EUV,都是使用TMAH水溶液做显影液。有时为了避免光刻胶线条的倒塌,还可以在TMAH水溶液中添加很少量的表面活化剂。一般来说,一个Fab生产线只使用一种显影液,显影液通过管道输送到每一个匀胶显影设备,又叫做厂务集中供应(bulk delivery) 随着光刻线宽和均匀性的要求越来越高,光刻界也试图改变现有的TMAH显影液。例如,使用6.71 wt%的TBAH (tetrabutylammonium hydroxide)水溶液作为显影液。初步的实验结果显示,TBAH能够减少显影时光刻胶的膨胀并使得光刻胶图形表面更加不亲水,能有效地减少线条的倒塌。而且,TBAH比TMAH有更高的显影灵敏度。从20nm技术节点开始,负显影技术(Negative Tone Develop, NTD)被广泛用于关键层的光刻。负显影技术中的关键材料是显影液以及显影后的冲洗液。它们不再是TMAH和去离子水,而是特殊设计的有机溶剂。光刻胶在显影液中的溶解行为与光刻胶的灵敏度以及最终图形的边缘粗糙度都有关联。使用高速原子力显微镜(High Speed Atomic Force Microscopy, HS-AFM)可以原位(in-situ)观察显影时图形形成的过程半导体工艺涂完胶不能立马显影是因为需要曝光过程。根据查询相关公开信息显示,光刻工艺是半导体元件制作中的常用工艺,通过在半导体基片(如硅晶圆)表面涂敷一定厚度的光刻胶,然后进行曝光,才能显影,以对基片表面的材料做图形化处理。曝光不匀。负胶显影:在负性光刻胶的非曝光区的光刻胶在显影液中溶解,在光刻胶上形成三维图形。负胶显影不透是因为曝光不匀,特阔幅长网,制网曝光时往往需要分版进行曝光,在每版曝光时,曝光灯的往复行程控制不足,使每版的两边曝光程度不足;在版与版之间,由于包片松紧程度不一,也会使曝光程度出现差异,从而导致圆网显影不匀或者不透。
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