1、首先看设计,华为海思和紫光展锐分列国内前两名。目前,两家公司在不少领域已是世界领先水平,但一个巨大的问题是,其架构授权的核心都被外人掌握。
目前,国内仅有中科院的龙芯和总参谋部的申威拥有自主架构,前者用于北斗导航,后者用于神威超级计算机,民用领域基本是空白。
2、设备和材料是又一大短板。制造芯片的三大设备光刻机、蚀刻机和薄膜沉积,国内仅中微半导体的介质蚀刻机能跟上行业节奏,其7纳米设备已入围台积电名单。
半导体行业前景在全球芯片短缺下,中国加快布局芯片行业,我国半导体制造商也正纷纷抢购二手芯片制造设备。而在此背景下,日本二级市场半导体价格大涨,有望成为一大赢家。
据日经中文网3月1日报道,多家从事于二手市场的商家透露,在近一年时间里,日本二手半导体设备价格平均上涨了20%;而光刻设备等核心设备价格更是涨至3倍以上。日本金融机构三井住友则表示,与2008年的雷曼危机之后相比,半导体设备行情涨至10倍以上。
三菱UFJ负责租赁的人士指出,受到美国影响,中国正在大量采购上一代半导体设备,而在该国售出的二手设备中,近90%流向了中国市场。
可以说,半导体产业的飞速发展在为半导体新设备带来市场的同时,也为二手半导体设备提供了“舞台”。因为二手产品更具备价格优势,追求更低生产成本的中企在该领域正日渐活跃。
除了从日本供应商处购买,此前我国也顺利从韩国购买到了半导体重要设备——光刻机。据观察者网报道,晶瑞股份斥资1102.5万美元(约合人民币7126万元),从韩国代理商SK Hynix处购买的二手ASML浸没式光刻机(XT 1900Gi)已顺利到货。
据报道,晶瑞股份预计在今年上半年完成设备的安装调试,用于研发最高分辨率达28nm的高端光刻胶;并计划在3年内完成ArF光刻胶产品相关技术参数及产品定型,实现规模化生产。
总的来说,二手市场正成为中企从海外供应商处找到转机的良方,受此助力,我国芯片行业的研发进展也有望踏上新的台阶。
1nm芯片不是极限。
1nm就是摩尔极限,也就是说,硅基芯片的极限精度理论上只能达到1nm,但由于自然环境的限制,其实际精度永远不可能达到1nm。
制程越小,功耗越小,在实现相同功能的情况下,发热小,电池可使用的时间更长。这就是芯片制程越来越小的主要原因。
台积电已经研发出了3nm芯片制造,本以为自己已经独占鳌头,却让人没有想到的是,近日英特尔突然宣布它们已经突破了芯片的摩尔极限,并且已经研发出三套方案,1nm不再是芯片精度的尽头。
发展:
芯片上有无数个晶体管,他们是芯片的核心,也就说,目前的技术是要把晶体管做的越来越小,这样,芯片上能容纳的晶体管就很多,芯片的性能就随之增加。
而目前最小的是1 nm栅极长度的二硫化钼晶体管。而且,并不是到1nm才会发生击穿效应,而是进入7nm节点后,这个现象就越来越明显了,电子从一个晶体管跑向另一个晶体管而不受控制,晶体管就丧失了原来的作用。
硅和二硫化钼(MoS2)都有晶体结构,但是,二硫化钼对于控制电子的能力要强于硅,众所周知,晶体管由源极,漏极和栅极,栅极负责电子的流向,它是起开关作用,在1nm的时候,栅极已经很难发挥其作用了,而通过二硫化钼,则会解决这个问题,而且,二硫化钼的介电常数非常低,可以将栅极压缩到1nm完全没有问题。
1nm是人类半导体发展的重要节点,可以说,能不能突破1nm的魔咒,关乎计算机的发展,虽然二硫化钼的应用价值非常大,但是,目前还在早期阶段,而且,如何批量生产1nm的晶体管还没有解决,但是,这并不妨碍二硫化钼在未来集成电路的前景。
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